Однополосный модулятор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
р 5403 И Союз Советских Социалистических Республик(53) УДК 621.372(088.8) теньпо делам изабретени и открытий09.02.7 ата опубликования опис 72) Авторы изобретени(54) ОДНОПОЛОСН М О 13, к грузк ных котор доно ветви ной рОд щим с согласованнымиого деления направл азирующей схемы 5 лечи равного деле ого направленногощего входной и вых онтактирующимиами 10 плеч равиответвителей 8 фой подключенылнительно введентеля 9, соединяюазъемы 3 и 4.нополосный модуобразом н- К ия тор работает следую терь в 10(22) Заявлено 05.11.73 (21) Государственный комитет (23) ПриоритСовета Министров СССР публиковано 25.12,76. Бюл Изобретение относится к радиотехнике нможет использоваться для получения однополосного сдвинутого по частоте СВЧ-сигнала.Известный однополосный модулятор содержит ротор, статор с входными и выходными 5разъемами и фазнрующую схему на направленных ответвителях с нагрузками.Однако известный модулятор имеет боль.шие потери СВЧ-мощности,Цель изобретения - уменьшение пооднополосном модуляторе.Для этого в однополосном модуляторе ротор выполнен в виде сепаратора с роликами,контактирующими с согласованными нагрузками плеч равного деления направленных ответвителей фазирующей схемы, к которойподключены плечи равного деления дополнительно введенного направленного ответвителя,соединяющего входной и выходной разъемы,На фиг. 1 представлена конструкция предлагаемого устройства; на фиг. 2 - разрезА - А на фиг. 1.Устройство содержит ротор 1, статор 2 свходными и выходными разъемами 3 и 4 соответственно и фазирующую схему 5, нанесенную на плату 6 которая с платой 7 образуетсимметричную полосковую линию, Фазирующая схема 5 выполнена на направленных ответвителях 8 и 9 с нагрузками 10 и 11, Ротор1 выполнен в виде сепаратора 12 с роликами 3 Вращение входного ротора 1 через сепара. тор 12 передается роликам 13, которые обкатывают плату 6, замыкая и размыкая соответствующие согласованные нагрузки 10 фазирующей схемы 5. Нагрузки 10 установлены так, что при повороте ротора 1 происходит последовательное их включение со сдвигом электрических фаз на 90. СВЧ-сигнал поступает на входной разъем 3 и посредством направленных ответвителей 8 разветвляется на четыре канала, последовательно замыкаемые на согласованные нагрузки 10. В каждом плече происходит отражение сигнала по определенному закону, при помощи ответвителей 8 отраженные сигналы суммируются в соответствующих фазах. На разъем 4 подается сигнал, смещенный по частоте относительно входного на частоту, равную О=иУ (Гц), где и - число роликов 13, а У - скорость вращения сепаратора 12 (об/сек).540315 Формула изобретения Раг Составитель Е, Шаруева едактор Г. Киселева Техред И. Карандашова Корректор Т. Гревцовказ 3019/15 Изд,375 Тираж 963 Подписи ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Раушская наб д. 4/5пография, пр. Сапунова, 2 Таким образом, на выходе модулятора осуществляется сдвиг СВЧ-сигнала с малыми потерями за счет применения гальванического контактирования металлических роликов 13 и согласованных нагрузок 10 фазирующей схемы 5. Однополосный модулятор, содержащий ротор, статор с входными и выходными разъемами и фазирующую схему на направленных ответвителях с нагрузками, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью уменьшения потерь, ротор выполнен в виде сепаратора с роликами, 5 контактирующими с согласованными нагрузками плеч равного деления направленных ответвителей фазирующей схемы, к которой подключены плечи равного деления дополнительно введенного направленного ответвителя, 10 соединяющего входной и выходной разъемы.
СмотретьЗаявка
1968905, 05.11.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3325
ШВОРОБЕЙ ЮРИЙ ЛЕОНИДОВИЧ, БЕЗЛЮДОВА МАРТА МИХАЙЛОВНА, СЕКУРОВ АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, ОСИПОВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ГЕРАСИН ИГОРЬ АЛЕКСАНДРОВИЧ, МАРТЫНОВ ЮРИЙ СТЕПАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01P 1/12
Метки: модулятор, однополосный
Опубликовано: 25.12.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-540315-odnopolosnyjj-modulyator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Однополосный модулятор</a>
Гибридная интегральная схема свч
Номер патента: 1694021
Опубликовано: 20.02.1997
Авторы: Ануфриев, Иовдальский, Молдованов
МПК: H01L 23/00
Метки: гибридная, интегральная, свч, схема
1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с рисунком металлизации на лицевой поверхности и по крайней мере с одной монтажной площадкой, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях платы, теплоотводящее основание, скрепленное с металлизацией обратной стороны платы, и бескорпусные электронные приборы, закрепленные связующим веществом на монтажной площадке и соединенные с рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения условий теплоотвода, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических параметров, монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой...
Интегральная схема свч
Номер патента: 1526521
Опубликовано: 10.10.2005
Авторы: Барладян, Мякишев, Ожерельева
МПК: H01L 27/02
Метки: интегральная, свч, схема
Интегральная схема СВЧ, содержащая макрокристалл арсенида галлия с металлизированной нижней поверхностью, на верхней поверхности которого содержатся активные и пассивные элементы, элементы с субмикронными размерами, полевые транзисторы с электродами затвора и стока, соединенными с отрезками микрополосковых линий, и с электродами истока, соединенными с нижней поверхностью через сквозное отверстие, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и уменьшения теплового сопротивления, элементы с субмикронными размерами выполнены по крайней мере на одном отдельном микрокристалле, при этом полевые транзисторы на микрокристалле имеют на всех электродах выступы, расположенные в...
Переключатель направления тока в нагрузке
Номер патента: 961064
Опубликовано: 23.09.1982
Автор: Турченкон
МПК: H02M 1/08
Метки: нагрузке, направления, переключатель
...а вторые выводы второгои четвертого резисторов - к базамсоответственно третьего и четвертого.транзисторов противоположных плеч ЗО .моста.961064 формула изобретения На чертеже представлена принципиальная электрическая схема переключателя направления тока в нагрузке.Переключатель содержит мостовую схему,из силовых транзисторов 1-4, 5 двух управляющих транзисторов 5 и б, диоды 7 и 8, резисторы 9-12, клеммы 13 и 14 для подключения источника управляющих сигналов, клеммы для подключения источника 15 тока, и 10 клеммы для подключения нагрузки 16.Устройство работает следующим образом.В случае отсутствия управляющегосигнала на клеммах 13 и 14 транзис торы 5 и б закрыты, закрыты также соединенные с ними силовые транзисторы 1-4 мостовой...
Функциональный преобразователь тока в нагрузке двухкаскадной схемы магнитных усилителей
Номер патента: 114548
Опубликовано: 01.01.1958
Автор: Хмельник
МПК: H03F 9/00
Метки: двухкаскадной, магнитных, нагрузке, схемы, усилителей, функциональный
...указанных ампервитков от тока полностью определяетсядиодной схемой.Так как ток на выходе второго каскада пропорционален указаннымампервиткам, а ток на выходе первого каскада пропорционален току вобмотке управления 2, то зависимость тока на выходе второго каскадаот тока в обмотке управления имеет тот же характер, что и зависимостьрезультирующих ампервитков обмоток 6 и 7 от тока, поступающего изпервого каскада,Выбирая соответствующим образом эгу зависимость, можно получить любую зависимость тока на вьходе второго каскада от тока управ.ления, т. е. любую характеристику функционального преобразователя.Описанная схема содержит два магнитных усилителя (два каскадаусиления), Легко получить схему функционального преобразователя,114548...
Гибридная интегральная схема свч-устройства
Номер патента: 989764
Опубликовано: 15.01.1983
МПК: H05K 3/30
Метки: гибридная, интегральная, свч-устройства, схема
...его с ТКЛР керамических или ферритовых подложек. Использование в качестве среднего слоя пластины ковара или молибдена объ 40 ясняется следующим образом. ТКЛР керамических (керамика А, поликор) и ферритовых (ферриты СВЧ-диапазона) подложек колеблется в иньтервале 6-9,5 х 10 6 С упри 20-100 С, ТКЛР молибдена меньше ТКЛР ковара.45 Поэтому, выбирая в качестве среднего слоя компенсирующей пластины молибден или ковар и регулируя толщину плакирующих слоев меди в интервале 50-200 мкм, можно создать компенсирующие триметаллические пластины с ТКЛР, изменяющимся в диапазоне 6-9,5 х 10 С ". Так, ТКЛР о триметаллической пластины, йзготовленной из молибдена толщиной 0,6 мм, плакированного слоями меди толщиной0,2, мм, равен 6,0 х 10 6 С ", а ТКЛР 0....
Предыдущий патент: Коаксиальный переключатель
Следующий патент: Сверхвысокочастотный вентиль
Случайный патент: Установка для испытания образцов горных пород