ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сойз Советских Соцнааистичесиих Республик1) Дополнительное к авт. свид 1) 21769 22) Заявлено 30.09.7 ЗЗ с присоединением заявки И Государственный комитет Совета Иинистров СССР оо делам изобретений 23) Приоритет,7 2) Авторы изобретеи Михайл ыстрова, Г. К, Кириллова В(71) Заявите 54) ГЛАЗ Изобретение отнорей, используемымматериалов с диэлстью, близкой к 50.Известна глазурьХпО и один окисе Предлагаемый состав глазури позволяетлучить стеклокристаллическое покрытиечистотой обработки поверхности 13 - :7увеличить механическую прочность подлодо 40%, что очень важно для подложек, иющих толщину 0,5 - 1 мм,Кроме того, такое покрытие недиэлектрические свойства и теплопрподложек.Предлагаемая глазурь обладает следуюми свойствами:Температура начала размягчения, С 1200+2Температура растекания, С 1270-(- Коэффициент линейного термического расширения в интервале температур 20 - 400 С,1/С (5 - 6) 10Удельное объемное сопротивление (ом см) при 200 С 10 гз - 1 О 4 и жек меухудш оводно ает сть ЬгО.Наиболее близкой по технической сущности предлагаемому изобретению является гларь, включающая 510 г, А 1 гОз, ВгОз, КО и исел редкоземельного элемента.Недостатком известных составов является невозможность покрытия ими материалов с диэлектрической проницаемостью, близкой к 50.Целью изобретения являетглазури в качестве покрытияс диэлектрической проницаем кзуок ся использование для материаловостью, близкой к глазурь в качестве стве окисла редкоокисел из группы ующем соотношео предлагаемаяит СаО, а в качеэлемента - одинг, УгОз при следнентов, вес. %: Изобрет ставами гл 10 г А 1 гОз СаО Вг 03 1 агОз СеОг О тгОз55 - 65 10 - 15 1 - 5 кисел из СеОг, - 10 50.Для этог1(0 содержземельного1.агОз, СеОнии компоЯОгА 1 гОзВгОзСаООдин о1.а,О ится к составам глазукачестве покрытия дл (трической проницаемо ключающая ЯОг, А 1 гОз, из группы СаО, ВаО,11153523715 Составитель С. БелобоковаТехред А. Камышникова Корректор А, Степанова Редактор Н, Аристова Заказ 2372/13 Изд. Мо 1769 Тираж 575 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5(разрушающая нагрузка, кг) микроплат толщиной 0,3 мм 2600 Диэлектрическая проницаемость в при 1=20.+5 СТеплопроводность, вт/см гр.Тангенс угла диэлектрических потерь, )(104 причастоте 10 в Гц:при 20 С 3,6 - 3,7 при 155 С 8 - 10 Формула изобретенияГлазурь, включающая 510 г, А 1 гОз, ВгОг, КО и окисел редкоземельного элемента, отл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью использования в качестве покрытия для материалов с диэлектрической проницаемостью, близкой к 50, она в качестве КО содержит СаО, а в качестве окисла редкоземельного элемента - один окисел из группы 1.агОз, СеОг, УгОз при следующем соотношении компонентов, вес. :810 г 55 - 6510 - 15ВгОз 1 - 5 СаО 14 - 20 Один окисел из группы1.агОз, СеОг, ЪгОз 5 - 10

Смотреть

Заявка

2176959, 30.09.1975

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4816

БЫСТРОВА ВЕРА ИВАНОВНА, КИРИЛЛОВА ГАЛИНА КОНСТАНТИНОВНА, МИХАЙЛОВА ГАЛИНА АРХИПОВНА

МПК / Метки

МПК: C03C 9/00

Метки: глазурь

Опубликовано: 15.11.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-535237-glazur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Глазурь</a>

Похожие патенты