Термопреобразователь

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик.06,75 (21) 2142400 нем 3 киосудорственный комитетСовете Министров СССРоо делам изобретенийи открытий(71) Заявите Московский ордена Тру строительный нн го Красного Знамени инженериоститут им, В. В. Куйбьппева(54) ТЕРМОПРЕОБРАЗОВАТЕ Изобретение относится к области температурных измерений, а точнее к термопреобразователям, преобразуняцим температуру в частоту, и може быль использовано в системах автоматическог контроля и регулирования различных технологичес ких процессов, а также в системах кодирования.Известны термопреобразователи, преобразую щие температуру в частоту на основе триггерных ехем, включающих два транзистора с емкостными связями и термочувствительцыми элементами в коллекторно-базовыхцепях 1 и 21. Однакоони обладают невысокой термостаоильностью и невоз можностью получения релейной частотной харак теристики. ователь 31, ух транзистоыми связами,стен т ящий из му р.п.ракже 15 ме термопреобраз братора на двкторно-базов состо льти колл ком пи емяза ния и льногой тер лем з. 2 ае мостабильностью и ейной частотной х возможность чения р Целактеристики.личепие термостабильейной частотной харакется за счет того, что в изобретения - увеемы и получение рел и, Эта цель достига ности сх теристик дающими коиденсаторами, термодиодом в качестве та. Однако он также облад гермопреобразователь введены две цепочки, каж.дая из которых состоит иэ однопереходного транзистора с каналом Р типа, диода, включенного в прямом направлении между первой базой и эмит тером однопереходного транзистора, дополнительного конденсатора, одна обкладка которого соеди.непа с коллектором основного транзистора, а дру.тая-с первой базой однопереходного транзистора, и дополнительный транзистор типа п-р-п, коллектор 0 которого соединен с плюсовой клеммой источникапитания, между базой и коллектором которого включен в прямом направлении термоднод, явля.ющийся чувствительным элементом, а между базой и эмиттером включен делитель, состоящий иэ пере.нного и дополнительного резистора, средняя точка которого подключена к минусовой клемме источника питания, причем эмиттер однопереходного транзистора соединен с базой второго основного транзистора, а вторая база через переменный резистор совместно с коллекторно-базовыми сопротивлениями мультивибратора соединена с эмит.тером дополнительного транзистора.На чертеже представлена схема термопреобразователя.Термопреобразователь содержит основныес 27207 ь 7 дХгГ 11 НИППХ 1 Заказ 6422 сное ляал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проекти т 1 гацэисторл 1 и , Ослония геОндеисатО 12 ы 3 и 4,резисторы кпллскториой натрузки 5 и 6, раэряпныерезисторы 7 и 8, дополиителы 1 ле,опдецсатО 12 ьх 9 н10, одyоперехоцные т 12 анэгисторы 11 ц 12, диоды 13и 14, пе 12 емсгиг 1 е реэцсторГя 12 н 16 г дополнительний транзистор гл-р, термодиод 18, дополнительный 12 сэистО 12 19 псреГисхихьхй 1 эеэистор 20 и ис.точиик п 5 ттанн 55 1.Термолреобразоватеххь рабОтает следунпцим Об.разом.Йараьхерь 12 аэ 125 цИОй цспп 37 ц 4.8 Оххределяютмаксимальною част 2 ту Гсххс 12 ах 5 ш, Диоды 13 и 14термокомпенси 12 гхет схему ИО Обратным токам за.пертых транэистОРОЛ и 2 беспечиваюг заряд конде.,сат 212 ОЛ 9 и 10 прцхсрпО ЯО О 1 и;пановно урохэвя сОсхгОвцьхми хопгцсххсатО 12 аьв 3 ц 4, гзхтохтс 12 схохптьхетраНЗИСторЫ 11 П 12 И ПРОИЕССЕ 1 абатЬХ ГКЕММаКЛЮЧЯЮТСЯ ОХХЬКг 2 В ТОМ Сгтупас, ЕСЛН ХХацг 252 ХЕЕХХЕкОнденсаторОв.з, 4 и 9 11 больцхе ххиц 25 хткегняперекпоченигх транэцстогон 11 хх 12,Узел, сОсгояхцхй ххз траххзххстора 1;, ерьто.,диОда 18, переменного резистора 20 л дотО 1 ппхтельНОГО рсэист 012 э 1 Г) иэмспест уг 2 Оэень нап 12 яженхтлзаряда конденсаторов 3,4 и 9 Ю в фуцкцтьи смае.ратуры контролируемой среды, восххрхтпимаегтайтс 12 мОдиОДОМ 18, Есхи т 12 аххэисОэы и прОцсссе рабОты нс нклочаютсЯ, тО частОта те%е 125 ллхи максималыа и ОпредслЯстся лараме 5 ранги изр 5 цхВ 2 Йцс 555 3, / и 4 г 8, П 125, Ркглхочсх,хгн хр;ятзтхсто 12 Ов 11 уЧаСТОХЗ ГЕХХЕ 12 ЯТО 12 а ЬПТЦИМОЭпгХа,Тсрм 00612 аэОнатсль пмсст 12 сл Гпуц) астОтпг 1 ОХЯРаКТЕ 12 ИСХИЮ В П 2 УИГЦИИ ТС;ЛИСг 2 ЯТУ 12 Я ХагХТ 12 ОХИрусмОЙ среды при уц 12 гглхе 5 пхх ЛО урх 2 втпо хап 12 Я 2 ф:нця 3212 яда кО 51 дгснсатОХ"лФОрмула изобрстенця Т 12 мО 1 ц)спб 2,яэОггательг сОстОящий цз ъ 5 угчьти.ви 512 атора ид двух транзисторах ттдта рО с коллекторно базовыми связями, двумя времязадаю щими конденсаторами, источником питания и тер.модиодом в качестве чувствительного элемента, О т л и ч а ю щ н й с я .тем, что, с целью увеличения термостабильностн схемы н получения релейной частотной характеристики, в него введены две це.почки, каждая из которых состоит из Однопереходного транзистора с каналом Р типа, диода, включен.ного в прямом направлении между первой базой и 1 п змиттером однопереходного транзистора, допол.щтельного конденсатора, одна обкладка которого соединена с коллектором основного транзистора, а: другая.- с первой базой одтопереходного транзистора, и дополнительный транзистор типа п.р-л, 1 б,коллектор которого соединен с плюсовой клем.мой источника питания, между базой и коллекто.ром которого включен в прямом направлении терищщод, являюанйся чувствительным злементам, а между базой и змнттером включен делитель, 2 р состояний лз переменного и дополнительного режйора, средняя точка которого подключена к минусовой клемме . нстеннтка витания, причем зииттер однакреходного транзистора соединен с Вазой второго осаеиого транзистора, а вторая база крез переьенный рещстор. совместно с коллекторно-базовьшн сонротнвленнями мультивнбратора соединена с зьятгтвром дополнительного транзис.тора,И Источники ииформацин, принятые во вниманиетгри зксттертизе1, Авторское свидетельство СССР Мф 210423,кл. 6 01 К 716, 18,01,67,2. Кривоносов А.И. "Полупроводниковые дат.ВЯ, чики теьщературыф нвд. "Энергия", М 1974.3. Буданов Б. П Кривоиосов А.И., ".Преобразо.ватель температуры в частоту","Приборы и системы управления", 19 б 7, 1 те 1, с. 43-44.