Устройство для испытания материалов на динамическую прочность

Номер патента: 982089

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Верстаков, Крыликов, Преснухин

МПК: G11C 11/34

Метки: динамических, запоминающее, оперативное, памяти, элементах

...группы соединен с вто 89 4рым входом блока управления, первымвходом элемента И первой группы и втоым входом элемента И третьей группы,ыход второго триггера третьей группыподключен к третьему входу блока управления и вторым входам элементов Ипервой и второй групп, управляющие входы триггеров одноименных групп объединены и подключены соответственно кшестому, седьмому и восьмому выходамблока управления, девятый выход которого соединен с информационным входомодного из триггеров первой группы, информационные входы первых триггеровдругих групп являются входами устройства,На фиг. 1 изображена структурная схема ОЗУ на динамических элементах памяти; на. фиг, 2 - часть схемы на фиг. 3.(раскрыта структура блока управления),Устройство содержит...

Номер патента: 1137378

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Головнин, Турыкин

МПК: G01N 3/08

Метки: прочности, пьезокерамических, элементов

...вектором поляризации ПКЭ, нагружение проводят в диэлектрической среде, исключающей пробой между электродами ПКЭ, измеряют напряженность Е электрического поля, в момент разрушения ПКЭ и с учетом измеренных величин судят о прочности ПКЭ.При этом в качестве диэлектрической среды используют сжатый воздух под давлением (4-8) 10 Па или высокий вакуум. 37378 ЪПри рабочих режимах эксплуатациив ПКЗ возникают механические напряжения в результате изменения линейных размеров его частей (доменов икристаллов сегнетоэлектрика), Именно эти напряжения возникают в случае приложения в ПКЭ электрического поля с вектором, совпадающим понаправлению с вектором поляризации 1 О ПКЭ, т,е, ПКЭ при контроле испытывает механические напряжения, идентичные...

Номер патента: 1233011

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Азизов, Генин, Голубев, Куприянов

МПК: G01N 19/04

Метки: образец, отрыве, прочности, соединения, сцепления, элементов

...3 подложки 1 и слой 6 покрытия наносят верхний слой 7 испытуемого покрытия. Подложку 1 устанавливают на опору (не показана) и к штифту 2 прикладывают отрывающую силу Р. Межслойный отрыв слоев 6 и покрытия обеспечивается большей площадью контакта между нижним слоем 6 и частью поверхности шара 4 по сравнению с площадью контакта между слоями 6 и 7 покрытия. Выполнение штифта 2 полым позволяет использовать образец многократно путем установки в нем съемных шаров 4 с покрытиями и повысить точность определения прочности сцепления слоев 6 и 7 соединения при их отрыве за счет сохранения всех поверхностей штифта 2 свобоцными от покрытия и идентичными при испытании разных образцов. При отрыве ша 11 2ра 4 со слоем 6 покрытия от слоя 7...

Номер патента: 307518

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Шагурин

МПК: H03K 17/66

Метки: динамический, или, исключающее, мдп-транзисторах, элемент

...низкий потенциал, 15 недостаточный для отпирания транзисторов 8и 4, а также транзисторов 10 и 11, Тактовый импульс положительной полярности через шину 14 заряжает конденсатор 7 через диод 9 и, действуя через емкости 5 и б на затворы тран зисторов 3 и 4, препятствует отпиранию последних. По окончании импульса диод 9 закрывается, а полов ительно заряженная обкладка конденсатора 7 оказывается заземленной через внутреннее сопротивление генерз тора тактовых импульсов.Таким образом, затвор пнвертирующеготранзистора 8 оказывается под отрицательным потенциалом, достаточным для отпирания транизстора, Орицательный тактовый им пульс по шине 15 открывает нагрузочныйЗаказ 2241/14 Изд.877 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам...

Номер патента: 571909

Опубликовано: 05.09.1977

Авторы: Алексенко, Коночкин, Удовик

МПК: H03K 19/08

Метки: динамический, элемент

...импульсов, а эмвгтеры с соответствующей сиг 6 иальной шиной. На чертеже приведена принципиальнаясхема элемента.Универсальный динамический элемент сь держит логическую цепь на эмиттерах переключающего транзистора 1, многоэмиттериый транзистор 2, входящий в левое плечоэлемента памяти, ннвертирующий транзиотор 3, входящий и правое плечо элемента Ипамяти, резисторы 4, б,Работает элемент следующим образом.На.прямом выходе 6 в исходном состоянии находятся низкий уровень потенциала,принятый за нуль, на инверсном выходе 7 -)20высокий уровень потенпиала, принятый заединицу. Тогда при наличии на сигнальныхшинах 8, 9 аысокого уровня потенциала сприходом очередного тактового импульсапереключающий транзвгтор 1 не изменяетсвоего вьииаочеиного...