Источник напряжения смещения

(53) М. Кл.вН 02 М 102 НОЗ К 19/08 осударотвенный кометеСовета Мнннотров СССРао делам нзобретеннйи откро 1 тнй(23) Приори 3) Опубликовано 05.07.76. Бюллетфнь %25 45) Дата опубликоваиии описании 25,09.76 ДК 1,373(0 72) Авторы изобрете аиский н О. С, Фвелев 71) Заявитель 4) ИСТОЧНИК НАПРЯЖЕНИЯ С абипьиости напряже ния смеще. эистора диненных диодов изб-иисторов торого ка. ект ения;ьная эл держит траи.исоединены сдинен с исто.оком тран.учас включесли крутизнаутиэны транэысие примерно эистозисторр шинаком зисто ,ио итранэ чв тора и Ю. П. Деркач, В. П. Рев Изобретение относится к микроэлектроннике,в частности к устройствам, вырабатывающим заданное постоянное напряжение; может найти примене.ние для согласования по уровням сигналов входныхцепей высокопороговых МДП интегральных схем свыходными цепями интегральных схем на биполярных транзисторах. Они включаются либо непосредственно во входную цепь МДП интегральных схем вы.ходное напряжение источника подается на затвор МДПтранзистора, который одновременно является входомсхемы); либо цепь смещения и входная цепь разделиются (выходное напряжение источника подается назатвор МДП транзистора, а входом служит исток МДПтранзистора).В качестве датчика напряжения смещения обычно используются резистивные делители и делителина МДП транзисторах с постоянным смещением на затворах.Известен источник напряжения смещения надвух последовательно соединенных МДП транзисторах, в котором затвор и сток первого транзистораподсоединены к шине источника напряжения питания,затвор второго транзистора соединен с истоком пер.вого.Цель изобретения - расширение пределов выходйого напряжения и повйшение стния смешения.В предлагаемом источнике напряжения между затвором и стоком второго трапвключена цепочка из последовательно соев прямом направлении полупроводниковыхупомянутая цепочка может быть образованпереходов эмнттер - база биполярных трапколлекторы которых соединены с истокомтранзистора.Данное описание составлено на примеренальной МДП интегральной схемы.На фиг. 1 представлена принципиальнарнческая схема источника напряжения смещна фиг. 2 - модернизированная принципивлрическая схема. Источник напряжения смещения сор 1, цепочку из а диодов 2 , 2Ф3, Затвор и сток траизистера 1й питания, затвор транзистора Э соетранзистора 1, Между затвором и стра 3 (выходом схемы) в данном слдиодов в прямом направлении. Еистора Э во много раэ больше кр1, в истоке транзистора 1 напряжен520674 Назаров мьянова,Составитель.В Техред А. Д Корректор Н. Ковалев Заказ 3115 а(233 тираж 882 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5иал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3равно пороговому, а следовательно, на выходе источ.ника напряжение меньше порогового на суммарноепадение напряжения на прямосмещенных диодах, Этонапряжение позволяет надежно согласовать биполяр-ные и МДП интегральные схемы,6Таким образом, подбором соотношения крутизны транзисторов и выбором числа последовательновключенных диодов выходное напряжение можно из.менять в широких пределах как выше, так и ниже порогового напряжения МДП транзистора.Колебания выходного напряжения такого источ- ф1 ника относительно порогового, обусловленные разбросом величины порогового напряжения, его завы"симостью от температуры и нестабильностью, нестабильностью напряжения питания, уменьшаются с рос,том отношения транзисторов. Поэтому повышение1 встабильности выходного напряжения связаносуве .личением размеров одного или обоих транзисторов,Схема, приведенная на фиг. 2, позволяет получить высокую стабильность выходного напряженияисточника напряжения смещения при минимальных ЯОразмерах транзисторов. Здесь вместо диодов использованы биполярные транзисторы.В этом источнике напряжения смещения одинили несколько биполярных транзисторов 21.2 вклю 4чены таким образом, что змиттер первого соединен оистоком первого МДП транзистора, эмиттер каждого последующего с базой предьщуп.его, база последнего является стоком второго МДП транзистора, общим коллектором служит подложка, Ток, протекающий через МДП транзистор 3- это базовый ток Э 3последнего биполярного транзистора; он меньше тока, протекающего через МДП транзистор 1, - эмиттарного тока первого биполярного транзистора, вЪ, Ъ, р ,Ь, д Ъ, Ькоэффициенты усиления по току в схеме с общим 1 3 коллектором соответственно первого, второго,. , п - ного биполярных транзисторов.Если в источнике напряжения смещения приме. иены два биполярных транзистора (на выходе такого датчика напряжение ниже порогового на 1 - 1,5 в) обычно 1 составляет величину порядка 50+100, Поэтому, если МДП - транзистор 1 выбрать единичным/1. 1 ), то в схеме, изображенной на фиг. 2, размер МДП транзистора 3 может быть уменьшен в 250+1000 раз по сравнению с его размерами для схемы, изображенной на фиг. 1.Такая схема выполняется на одной полупровод. пиковой подложке и в общем технологическом цик. ле с МДП и интегральными схемами. Формула изобретения 1 Источник напряжения смещения на двух пос.ледовательно соединенных МДП транзисторах, в котором затвор и сток первого транзистора.подсоеди.пены к шине источника напряжения питания, затворвторого транзистора соединен с истоком первогоотличающийся тем,что,сцельюрасширенияпределов выходного напряжения, между затвором истоком второго транзистора включена цепочка пос.ледовательно соединенных в прямом направленииполупроводниковых диодов,2, Источник напряжения смещения по п,1, о т. л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения стабильности напряжения смещения, упомянутая цепоч. ка образована из соединенных,между собой р- и. пе. реходов эмиттер - база биполярных транзисторов,, коллекторы которых соединены с истоком второго транзистора.