Способ концентрирования примесей в таллии
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
с 111 4897) 8 Союз Советских Ооциалистических Республик(51) М, Кл 01 д 15/ 01 с 1 3/3 01 п 1/2 сударственнык комитет Совета Министров СССРпо делам изобретений 3) УДК 543.546.6(088,8) и открыти Авторыизобретения ков и А, М. Устимов 1) Заявител имкентский ордена Ленина свинцовый завод им. М. И, Калинин МЕСЕЙ В ТАЛЛИИ 54) СПОС НЦЕНТРИРОВАНИЯ сновы перевонение, а груп Изобретение относится к способам анализа металлов высокой чистоты, а именно - к способу концентрирования примесей в таллии, и может быть использовано в области аналитической химии. 5Известен метод концентрирования примесей в металлах, заключающийся в том, что исходную навеску материала полностью переводят в летучее соединение и проводят отгонку основы при нагревании. При этом основным 10 условием концентрирования примесей должна быть большая разность в летучести отгоняемого макрокомпонента и отделяемых примесей. В результате проведенной реакции ряд примесей с низкой летучестью пара, по срав нению с летучей основой, остается в остатке, который и подвергается анализу, например, спектральным методом.Недостатком указанного метода концентрирования является то, что примеси в химичес кой форме, имеющие упругость пара выше или близкую к упругости пара с химическим соединением основы, улетучиваются с ней полностью или частично, т. е. происходит снижение степени концентрирования. 25С целью устранения недостатка предлагает:я отгонку основы проводить в присутствии хлорида кадмия.При этом макрокомпонент одится в летучее галоидное соеди па примесей остается в металлической форме. Упругость пара для большинства примесей в металлической форме значительно ниже, чем, например, для хлоридов этих же металлов.Способ позволяет увеличить число определяемых элементов и степень их концентрирования при анализе таллия высокой чистоты за счет избирательного переведения макроосновы в хлорид и отгонки этого соединения при нагревании в вакууме. Определяемые примеси при этом остаются в металлической форме.С хлористым кадмием вступают в реакцшо только металлы (7 п, Те, А 1, Мп, Мд, 1 хта), которые имеют электрохимические потенциалы в ряду индивидуальных хлоридов при температуре процесса более отрицательные, чем у кадмия.Группа примесей (Аи, Аз, Ю, Те, В 1, Сц, Ад, Ге, Со, %, Яп, Р 1, Ста, 1 п, с электрохимическпм потенциалом более положительным, чем у кадмия, останется в металлической форме.При взаимодействии расплавленного таллия и хлористого кадмия в вакууме произойдет реакция замещения (2 Те+Сс 1 С 1 е=Сс 1+2 ТеС 1), в результате которой образуются металлический кадмий и хлористый таллий. Эти вещества имеют высокую упругость пара и отгоняются.При использовании массы хлористого кадмия для хлорирования исходной навески таллия с некоторым рассчитанным недостатком приме489718 Предмет изобретения Составители Н. Чалков Корректор Н. Аук Редактор Е. Шепелева Текред 3. Тараненко Заказ 3395/15 Изд. М 1947 Тираж 593 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Ыинистров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр Сапунова, 2 си в металлической форме концентрируются в сплаве с корольком таллия, Упругость пара определенных элементов в сплаве с таллием очень низка и потерь примесей практически не происходит.П р и м е р. Навески 2,5 г таллия и 1,3 г хлористого кадмия в кварцевой чашке помегцают в вакуумную камеру. Отгонку продуктов реакции проводят при давлении 0,1 мм рт, ст. и температуре 360 - 400 С, Время отгонки 60 - 90 мин. Королек таллия, содержащий примеси, растворяют в 1 мл азотной кислоты, Прибавляют угольный порошок и высушивают. Полученный концентрат подвергают спектральному анализу. Способ концентрирования примесей в таллин, преимущество для их последующего спектрального анализа путем отгонки основы, 10 отличаюш,ийся тем, что, с целью повышения степени концентрирования, отгонку основы проводят в присутствии хлорида кадмия.
СмотретьЗаявка
1681275, 12.07.1971
ЧИМКЕНТСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА СВИНЦОВЫЙ ЗАВОД ИМ. М. И. КАЛИНИНА
ЧАЛКОВ НИКОЛАЙ ЯКОВЛЕВИЧ, УСТИМОВ АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 1/44
Метки: концентрирования, примесей, таллии
Опубликовано: 30.10.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-489718-sposob-koncentrirovaniya-primesejj-v-tallii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ концентрирования примесей в таллии</a>
Способ концентрирования примесей в кадмий
Номер патента: 574661
Опубликовано: 30.09.1977
Автор: Чалков
МПК: G01N 1/44, G01N 31/00
Метки: кадмий, концентрирования, примесей
...образом.20 - 30 г кадмия и 0,2 - 0,5 г сплава кадмий-теллур (концентрация теллура в сплаве от 0,03% до 0,07%), в кварцевой чашке помещают в вакуумную камеру. Дистилляцию кадмия проводят при температуре 450 С и давлении 0,05 - 0,1 мм рт. ст. в течение 90 мин. К остатку в чашке прибавляют 100 мг графитового порошка с 0,5% хлористого натрия и перемешивают в течение 5 мин, Подготовленную прооу подвергают спектральному анализу. Условия спектрографировапия следующие: спектрограф - ИСП/30, система освещения - однолинзовая, навеску концентрата примесей и стандартов по 20 мг помещают в угольный электрод, кратер которого имеет глубину и диаметр 4 мм; протнвоэлектрод заточен на усеченный конус, сила тока 14 А, фотопластинки - спектральные...
Металлический термостойкий упруго-фрикционныйдемпфер
Номер патента: 200343
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Андреев, Кондрашов, Семенов
МПК: F16F 7/00
Метки: металлический, термостойкий, упруго-фрикционныйдемпфер
...на одном торце высота отбортовки больше, чем на другом, При сборке торец одной половины втулки с большей высотой от бортовки сопрягается с торцом другой половины, имеющей отбортовку меньшей высоты. Такая конструкция демпфера повышает демпфирующие свойства и обеспечивает большую эластичность,прочность и износостойкость аукен описьтваемыи демпфер, фиг. 2 - разрез по А - А на оит из корпуса 1, демпфии втулки 3. Корпус крепитм корпусе машины. Во внут- втулки монтируется трубое применения демпфера для трубопровода монтируется- . " "" ЙМ200343 Г 1 редмет изобретения Соетпзптепв Г. Н. Запольекпй 1 едгитор Л, .(1. М,аворопкова охре.", Т. Н. Куро 1,ор 1:ек(ори; Т, Д, ИунаеваЗаказ 292010 Гаваи( 535Ц 1111 И(111 Комп.та по л,па: изобретений и...
Способ определения примесей в кадмии•-; . • iai
Номер патента: 331307
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: G01N 21/67
...изобретения является распособа определения примесей Лд, СцМд, А 1, ба, Т 1, Сте, Яп, %, Со, РЬ, Лз Те, Сг, Мо, Мп, Ге в кадмии с чувств стью 10 - т - 10-з%,Это достигается тем, что в анализируемую навеску кадмия весом 50 г добавляют 50 - 100 лг свинца (свинец марки Сспектрально чистый по всем примесям) или 50 - 100 мг висмута (висмут марки Виспектрально чистый, содержание примесей меньше 10 о - 10 - т%) и проводят отгонку кадмия в вакууме О, прс оставлен р й в рвисмута.При отгонке 50 г кадмия в присутствии 50 - 100 мг свинца все примеси остаются в свинце, полностью отгоняется ртуть и на 40 - 50% испаряется цинк. После растворения свинца в азотной кислоте раствор переносят в чашку для выпаривания и получают осадки (концентрат...
Способ концентрирования примесей
Номер патента: 748171
Опубликовано: 15.07.1980
Авторы: Воропаев, Голуб, Красильщик, Цейтленок, Штейнберг
МПК: G01N 1/40, G01N 31/00
Метки: концентрирования, примесей
...100 40 95 50 100 50 100 70 цесса упаривания не обнаружено. Этообстоятельство позволяет испольэоватьпредлагаемый способ при анализе жидкофаэных веществ высокой чистоты напримеси малолетучих элементов (металлов). Величина коэффициента обогаще-.ния определяется только требуемой бО чувствительностью метода анализа иможет достигать 1000 и более (этавеличина в способе упаривания значения не имеет). На чертеже схематически изображена конструкцич спе циального аппарат. Из таблицы видно, что при одинаковой скорости процесса, предлагаемый способ обеспечивает существенное увеличение степени концентрирования.При аналитическом использовании способа упаривания с последующим спектральным анализом угольного концентрата установлено,...
Устройство для получения электрофотографического носителя вакуумным напылением паров селена на металлическую подложку
Номер патента: 1242906
Опубликовано: 07.07.1986
Авторы: Браницкий, Голубинцев, Каралюнец, Котов, Попов, Тазенков, Шнейдман
МПК: G03G 15/00
Метки: вакуумным, металлическую, напылением, носителя, паров, подложку, селена, электрофотографического
...при термообработке слоя 80-90 фС парам селена перед их конденсацией дополнительно сообщают кинетическую энергию разогрева струнным нагревателем, расположенным между испарителем и подложкой,. с одновременным облучением паров ее конденсата светом, имеющим длины волн меньше б 20 нм с энергией больше, чем 2,2 В, а затем после соз-дания сплошного кристаллического нодслоя высокой адгезионной прочности толщиной до 1 мкм дополнительный разогрев пара и облучение конденсата прекращают,Температурное поле струнного нагревателя, имеющего температуру 1500- 2000 С, дробит длинноцепочные молеку- лы пара селена на короткоцепочные молекулы вплоть до атомарного селена и увеличивает их кинетическую энергию в 3-4 раза. Увеличение кинетической энергии...
Предыдущий патент: Способ обезжелезивания растворов азотнокислого алюминия
Следующий патент: Устройство для автоматического регулирования процесса реагентной очистки циансодержащих сточных вод
Случайный патент: Аксиальное молотильно-сепарирующее устройство