Диск обтюратора

Номер патента: 1514134

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Горлин, Елизаров, Парицкий

МПК: G03B 41/00

Метки: ик-излучения, ионизационного, регистрации, типа, фотографической

1. УСТРОЙСТВО ИОНИЗАЦИОННОГО ТИПА ДЛЯ ФОТОГРАФИЧЕСКОЙ РЕГИСТРАЦИИ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ , содеpжащее pасположенные по ходу излучения систему фокусиpовки, газоpазpядную ячейку, состоящую из фотопpиемника и пpозpачного контpэлектpода с газоpазpядным пpомежутком между ними, pасположенных в газонаполняемой камеpе, систему охлаждения фотопpиемника, узел откачки и нагнетания газа и pегистpиpующее устpойство, отличающееся тем, что, с целью pасшиpения диапазона pегистpиpуемых длин волн и повышения чувствительности, устpойство снабжено экpаниpующей камеpой с фокусиpующим элементом, pасположенной совместно с газонаполненной камеpой в вакуумиpованном коpпусе, пpи этом система охлаждения выполнена в виде магистpали пpокачки жидкого гелия, содеpжащей тpи...

Номер патента: 1810932

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Игуменов, Крутоголов, Лункина, Плосконосов

МПК: H01L 31/0352

Метки: ик-излучения, приемника, структура

...Ферми, Е, - дно зоны проводимости, Еч - потолок валентной зоны.Структура содержит подложку 1 из уэкоэонного полупроводникового материала и -типа проводимости, на которую последовательно нанесены дополнительный слой 2 р -типа проводимости, слой 3 р-типа проводимости,Рассмотрим работу заявляемой структуры в фотоприемнике ИК-излучения, где излучение принимается со стороны подложки (хотя структура может работать и при освещении со стороны п-слоя).Воэможность работы структуры в фотоприемнике с засветкой со с 1 ороны подложки обеспечивается тем, что за счет сильного легирования материала подложки примесью п-типа регистрируемое излучение проникает через подложку 1, а за счет того, что толщина дополнительного слоя 0,1-1 мкм - через...

Номер патента: 475907

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Валов, Гончаренко, Марков, Рывкин, Ярошецкий

МПК: H01L 31/14

Метки: измеритель, ик-излучения, мощности

...с направлением распространения света в кристалле, и охватывают фотоприемник по всему периметру.Экспериментапьно уствновпено, что при одной и той же длине и площади фотопри емника отношение сигнвп-шум принимает максимальное значение при ориентации кристаппа дырочного германия в нвпрввпе нии оси 111 и имеет минимальную величину дпя ориентации 11001, При этом отношение сигнап-шум дпя фотоприемников с контактами в направлении оси 1 11 Ц воз растает в 2,5 раза, по сравнению с фотоприемниками с контактами в направлении оси475907 Составитепь Г. КорниловаРедактор Г. Яковлева Техред М. Левицкая Корректор Н, Золотовская Заказ 5226/467 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и...

Номер патента: 1478918

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Ашмонтас, Градаускас, Мармур, Оксман

МПК: H01L 31/10

Метки: ик-излучения, регистрации

...в цепи затвора на инерционность фотоответа,ра ведет к изменению сечения и проводимости канала и соответственнок изменению протекающего в цепи исток-сток тока. Заявляемый способприменим в широком температурном интервале, Высокое быстродействиеобеспечивается тем, что разогревэлектронной подсистемы отличаетсямалой инерционностью (время релак 42,сации носителей по энергии1 О с).Затвор должен быть закорочен с истоком, так как сечение канала и егопроводимость управляются не напряжением на затворе, а разогревом носителей излучением,П р и и е р, Проверка способа была проведена на кремниевых полевыхтранзисторах КП 902, КП 903, КП 302,КП 103, у которых были удалены корпу1478918 свободных носителей и отсутствуетвлияние сопротивления...

Номер патента: 824836

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Васильева, Воровьев, Стафеев

МПК: G02F 1/03, H01L 31/00

Метки: ик-излучения, модулятор

...решетки кристалла) и постоянстве вводимой в кристалл мощности на один носитель заряда е р(р)Е (где р(р) - подвижность дырок, Е - напряженность электрического поля) Ь о (р) падает с ростом дырок в диапазоне р= (1 - 9) 10" см -примерно как Ло р - " (т = 0,5 - О,б 5). Однако величина Ьа р Л (глубина модуляции) при М 1 растет с ростом дырок примерно р"(п=0,35 - 0,5). 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 С другой стороны мощность, выделяемая в единице объема вещества, растет в непрерывном режиме с ростом дырок, что приводит к разогреву кристалла и падению глубины модуляции света.Гаким образом, при модуляции света в непрерывном режиме должна сущестьовать оптимальная область концентраций дырок, для которой достигается максимальная глубина...