Подвесной тарельчатый изолятор

Номер патента: 551706

Опубликовано: 25.03.1977

Авторы: Гусак, Коломийцева, Мельник

МПК: H01B 1/06

Метки: арматуры, высоковольтным, изолятором, металлической, соединения, состав

...затруднительно и требует дополнительного нанесения защитной мастики на изоляторыи специального оборудования. Целью изобретения является устранение необходимости в последунлцей обработке соединения путем создания армнровочной связки на основе портландцемента, которая обеспечит низкое переходное сопротивление между покрытием и металлической арматурой без изменения технологических процессов армирования изоляторов.Это достигается благодаря тому, что в состав для соединения металлищской арматуры с высоковольтным изоляторов, снабженным полущюводящим покрытием, включающив портландцемент и кварцевый песок, введены дополнительно двуокись титана и окись бария при следующем соотношении компонентов, вес. %: Известный (портландцемент...

Номер патента: 104108

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Наумов, Новопруцкий

МПК: B29B 17/02

Метки: арматуры, металлической, освобождения, пластмасс, резины

...рода амортизаторы и др.). Поэтому металл, заключающийся в такпк изделиях, может быть с успеком повторно использован. В практике для этой цели изделия обжигьгот в пламени или обрабатывают соответствующими растворителями, причем при обжиге часть дегале 11 деформируется и становится непрпгодноп; обработка растворителями огнеопасна.Предложенный способ устраняет недостатки этик способов,Освобождение металлической арматуры от резины или пластмасс, согласно изобретендго, производят путем пндукцнонного нагрева изделии, прд котором быстро нагревается только металл, д связь между его повсркностью и неметаллом нарушается, что дает возможность легко снять с арматуры резину плп пластмассу. Предмет из о орет енияСпосоо освооожденпя...

Номер патента: 90363

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Левшук, Марский, Смиренкина

МПК: C09D 183/10

Метки: арматуры, зубных, лак, металлической, пластмассовых, покрытия, протезах

...пигмента сульфохромомолибдата свинца и 0,25 г коричневого пигмента помещают в фарфоровую шаровую мельницу, добавляют и ним стандартного лака, 15 - 20,0 от общего количества, и растирают до получения равномернои смеси. Смесь после растирания разбавляют Осальным коли 1 еством лака и тщательно перемешивают на пропеллерной мешалке. Для удаления посторонних включений и крупных част 1 щ готовый лак пропускают через шелковое сито и расфасовывают в герметически закрывающуюся посуду.При нанесении лака на металлическую арматуру перед моделиров кой протеза, ее предварительно очищают от следов буры, окалины и обезжиривают протиранием мономером (метилметакрилатом). Лак наносят на протез кисточкой или прутиком так, чтобы он растекался по Всей...

Номер патента: 94431

Опубликовано: 01.01.1952

Автор: Василевский

МПК: B24D 5/04

Метки: арматура, металлическая, шлифовальных

...7 и у ,ержани 5 2 бразиГО 1 ъассы н 1 ее поВерх НОСТИ СДЕЛБНЫ ВЫСТУПЫ ТраПЕЦЕБд:10 Й фОр)Ь:, ПОЛ) Ч 2 Е.ЫЕ рСЗЯНИЕМ или штампованРе. и ОтгнОанием под уггО, Б нсобходРых участках металлической арматуры.Металлическая аоматура изготовляется резанием плп штампоз- кОЙ из листОВОЙ стали 1 аркР С 1 ) то 1 цпою 2,5 4.1.1, Эта армату ра имеет фор.л круга с з 1 ну,ью бортом, мсОпего в центре отВерстис, 3 по Окру)ккостп - тра 1 сцов)Ыс Бьступ 1, ОтОГн т 110 Вверх Вьст пы получены пмтс Отгиба 1 ия 10 "1 ач и лоскостп к) 1.2 в необходимых участках прорезанных плп просечегных частей круга.АбразиВная масса напрессозываетс 51 на арматуру известными Б ТЕХНИКЕ ПРИЕМ 2 МИ. дмет изо брет ени я атура для шлР;)Ова ьныхна нее аоразивной массы увелиения...

Номер патента: 623240

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Бондарев, Добровольский, Кислицын, Мусин, Павлюк, Россошинский

МПК: H01L 21/04

Метки: арматуре, кристаллов, металлической, пайки, полупроводниковых, приборов, стабилитронов

...стабилизации выше 50 В.Поставленная цель достигается тем, что р- - и переход предварительно нагревают ло температуры, обеспечивающей возрастание обратного тока р - и - перехода выше 0,5 А, а напряжение тока основного нагрева выбирают меньше напряжения стабилизации полу роволни кового кристалла стабилитрон а.Предварительный нагрев может бьть осуществлен током, протекаюпгим в прямом направлении относительно р- - и перехода.В этом случае обратный ток основного нагрева пропускают с задержкой после окончания тока предварительного нагрева. по величине равной или большей времени тепловой диффузии в кристалле. Технологический цикл по описываемому способу следующий. Полупроводниковый кристалл стабилцтроца укладывают между залужеццыми...