Способ контроля записи информации на многодорожечном магнитном носителе

Номер патента: 1453446

Опубликовано: 23.01.1989

Автор: Савранский

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: аморфный, записи, информации, носитель, полупроводниковый

...Чу. Причем Ч и ЧРвыбираются таки 35ми, чтобы напряжение на аморфном по-.лупроводнике Ч = Ч Р + Чу было меньше Ч 1 необходимого для записи информации. Затем, быстро снимаяЧу 1производят запись информации,При записи инфорйации согласно прототипу оба напряжения Чи Ч имеРют одинаковую полярность. В моментвремени , на управляющие электродыподают напряжение Ч. При этом суммарное напряжение Ч возрастает и вмомент временипревышает пороговое,что вызывает умейьшение сопротивления аморфного полупроводника. Процессзаписи информации заканчивается в мо-.50мент времени З 1 когда сопротивление аморфного полупроводника достигает минимальной величины. Времязаписи информации с равно сумме вреЗбб 55мени нарастания Ч до Чи изменец Н, .е.= " - : (фиг.1).При...

Номер патента: 627530

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Буравихин, Горовой, Казаков, Ушаков

МПК: G11B 11/02

Метки: записи, информации, носитель, тонкопленочный, ферромагнитный

...при сравнительно низкой температуре нагрева (600 о700 С), приводит к резкому изменению магнитных и электрических свэйств носителя. Используют полученные термичес ким испарителем в вакууме тэнкэпленоч ные носители иэ железоникелевых сплавэв с ОПК решеткой. НэсителиГе-И с ОПК структурэй эбладают высокой намагниченнэстью насыщения, Послеоэтжига до 600-700 С в них осуществляется мартенситный ОПКфГПК фаээвый перехэд. В тонкопленочных носи телях высэкэтемпературная ГПК фаза соЗаказ 5634/50 Тираж 717 П одписноеЦНИИПИ Государственного кэмитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 храняется при охлаждении до кэмнатной температуры. П осле...

Номер патента: 1415956

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Рябушкин, Сергеев

МПК: G11C 13/04

Метки: записи, информации, монокристаллическом, низкотемпературным, носителе, полупроводниковом, примесным, пробоем

...интенсивность света, достаточнаядля пробоя. Носитель записи, используемый для реализации предлагаемогоспособа, представляет собой однородную монокристаллическую пленку нлипластину компенсированного полупроводника, легированного мелкими примесями. На йленку (пластину) полупроводника нанесены два омических контакта. Способ записи осуществляютследующим образом. Полупроводник охлаждают до температуры Т, удовлетворяющей условию ТЕ/К где К - постоянная Больцмана воздействуют нанего постоянным электрическим полемс напряженностью Ер ниже темновойнапряженности Е т цизкотемпературногопримесного пробоя и облучают светомс частотой 1 и интенсивностью, соответствующей записываемой информации. Напряженность Ер электрическогополя выбираютисходя из...

Номер патента: 1139968

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Ачкасов, Журиков, Садовский, Сорокин, Тимофеев

МПК: G01D 15/06, G01D 9/28

Метки: записи, информации, носитель, электрочувствительный

...полярности от усилителей записи 5. Гибкая движущаяся бесконечная лента 6 является другим(общим) пишущим электродом, к которому подключается потенциал положительной полярности от тех же усилителейзаписи. Между электродами расположен электрочувствительный носитель 7(например электрохимическая бумага),который протягивается с помощьютранспортирующих валиков 8 и 9. Привод 10, состоящий из синхронногодвигателя с редуктором, сообщаетвращательное движение развертываюшему цилиндру 1, транспортирующим валикам 8 и 9, которые обеспечивают поступательное движение электрохимической бумаги 7. Кроме того, привод 10обеспечивает движение бесконечнойленты 6. Общий электрод 6 установленна коромысло 11, которое может поворачиваться вокруг оси под...

Номер патента: 1727108

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Зайченко, Комаров, Кочкин, Кутаев, Степанов, Яременко

МПК: G03G 15/00

Метки: записи, информации, носитель, фототермопластический

...к появлению ненулевого уровня сигнала на выходе элемента И 20, преобразуемого инвертором 21 в нулевой уровень сигнала на втором входе элемента И 22, Это появлению на входе элемента И 20 нулево го, а на выходе инвертора 21 - ненулевого уровня сигналов. Элемент И 22 срабатывает и на вход блока 24 управления нагревом поступает управляющий сигнал Ч, разреприводит к появлению нулевого сигнала на его выходе и к снятию управляющего сигнала с входа блока управления нагревом 24, т,е.к прекращению действия проявляющего токового импульса и фиксации голограммы.При этом вследствие тепловой инерции диэлектрической подложки 11 процесс проявления будет продолжаться, приводя к некоторому увеличению дифракционной эффективности (сплошная кривая на...