ZIP архив

Текст

Соаоз Соеетсва Социалистимесва Республиквт, свидетельства Л" Зависимо М. Кл. С 23 Ь 7 04 аявлено 28.И,1972 ( 1803965 26-9) единением заявки М ооударстеениый комитет Соаатв Миннотрое СССР аа делам иэааретеиий н атирытийоритет УДК 655,224,4(088.8) Опубликовано 05,1,1974, В;оллетень Л Дата опубликования описания 11 Л 1.1 Авторыизобретения Ф, Васильев, В. И. Сапронов и М лин аявител ГОТОВЛЕНИЯ ПЕРФОРИРОВАННОЙ ФОЛЬГИ ТРИ Изобретение относится к технологии производства элементов радиоаппаратуры, Устройство может быть использовано при изготовлении перфорированной фольги с высокоточными калиброванными отверстиями.Известна матрица для изготовления перфорированной фольги гальванопластичсским методом, выполненная в виде пластины с выступами, задающими контуры отверстий; на пластину нанесено металлическое покрытие, повторяющее конфигурацию изделия, Покрытие изготавливают из материала, от которого изделие может быть отделено после гальвацизации.Известная матрица воспроизводит контуры отверстий с невысокой точностью и быстро пзцашивается, так как гальваническое наращивание металла происходит во всех открытых направлениях и наряду с утолщением металлической пленки происходит заращиванис отверстий и других деталей рисунка.Цель изобретения - повышение точцостц воспроизведения контуров отверстий и изцосочстойчпвости матрицы.Предлагаемая матрица отличается тем, что се изготавливают из вецтильпого материала с моцокрцсталлпческой структурой, например пизкоомпого кремния, а вершины выступов покрывают изолирующим слоем, наг,ример окисью кремния. Матрица изображена на чертеже.Пластина 1 изготовлена цз вентильного металла с моцокрцсталлической структурой, например из низкоомцого кремния. Вершины 5 выступов 2 покрыты изолирующим слоем, например окисью кремния. 1 Лзолируощим слоем могут также служить окись тантала и другие стеклоооразные изолирующие пленки, обеспечивающие хорошее сцепление и цадежцучо 10 электрическую цзоляцио. Толщина изолирующего слоя - цс менее 40 А.Рабочую поверхность матрицы можно формировать разлп шыми способами, цо лучшие результаты получаются прп осаждении ди электрических пленок и последующей фотогравировке. Глубина гравцруемых канавок матрицы должна быть не меньше толщины формируемой фольги или пластины. Прц гальваническом осаждении пленка растет на 20 всех проводящих участках, в том числе и пабоковых степках выступов. В результате геометрические размеры фасоццых отверстий ца фольге точно соответствуют размс рам элементов матрицы.25 Очень хорошие резуль 1 аты получают прциспользовании пластин из цпзкоомцого кремния, ориентированных в плоскости (100). Это кристаллографцчсское направление позволяет глубоко протравливать кремний при мини мальцых боковых подтравах. На матрицеСоставитель Г. Челей Текред Л. оБгданов ектор Н. Торкни Редактор Б. Федотов Техред Л. Богданов осударствснного комитета С по делам изобретений и о Москва, 5 К.ЗЬ, Раушская нБ. Федотов ЦНИИПИ ак ипография, пр, Сапунова, 2 можно получить рисунок, по размерам практически не отличающийся от фотошаблопов. Предмет изобретения1. Матрица для изготовления перфорированной фольги гальванопластическим методом, выполненная в виде пластины с выступами, задающими контуры отверстий, отл ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения точности воспроизведения контуров отверстий и изпосоустойчивости матрицы, она изготовлена из вентильного металла с монокристаллической структурой, а вершины вы.ступов покрыты изолирующим слоем,5 2. Матрица по п. 1, о т л и ч а ю щ а я с я тем,что она изготовлена из низкоомного креми И 51.3. Матрица по п, 2, отличающаяся тем,что вершины выступов покрыты слоем окиси10 кремния. а Корректор Н. Торкинаовета Министров СССРткрытийаб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

1803965, 28.06.1972

МПК / Метки

МПК: C25D 1/10

Метки: 414328

Опубликовано: 05.02.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-414328-414328.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">414328</a>

Похожие патенты