410772

Номер патента: 1525746

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Воловник, Савинова

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, исправления, обнаружения, ошибок, памяти

...имеет следующий вид: на первой группе контрольных выхо" дов 10 - 10 появляется только один "единичный" разряд синдрома(где- номер неисправного или полностью отказавшего блока памя" ти), а на второй группе контрольных выходов 11, - 11 - один илинесколько "единичных" разрядов сиидрома р, - р, соответствующих позициям искаженных разрядов этого блока памяти.На выходах всех и сумматоров помодулю два первого блока 4; коррек"ции ошибок формируются инверсныевторые значения информационного входа 8, поступающие на входы второйгруппы мажоритарных элементов бло"ка 6 на входы первой группы кото рых поступают с информационного входа 8, сигналы неисправного блока памяти. В результате на входах первойи второй групп мажоритарных элементов блока б,...

Номер патента: 1649615

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Воловник, Савинова

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, исправления, обнаружения, ошибок, памяти

...разрядов 1 а 3. и 1 Ъ,1 (1 = 1-М; х, 1 = 1-и)двух проверочных плоскостей ь и Вкодовой матрицы трехмерного кода(Фиг.3) и происходит в два этапа.В режиме "Запись" на управляющийвход 13 устройства поступает и 1", ана информационные входы 8-8 И устройства с входной магистрали данных од 2новременно поступают К -разрядныхсообщений (где К = п), каждое из 25которых при отсутствии ошибок должно содержать нечетное количествоединиц.На первом этапе цикла "Запись"каждая К -разрядная группа входов28 обрабатывается независимо от другик групп входов: 88 И ,1,8(+,),.. ,8 И соответствующим блоком 1 и индикатором неисправностей5 Р. При этом в каждом блоке 1(фиг,2и 4) в соответстппи с подматрйцейН двумерного кода, Формируютсяконтрольные разряды по...

Номер патента: 633072

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Андреев, Раев, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: блоках, доменов, магнитных, памяти, регистрации, цилиндрических

...на Пути распространения ПАВ от излучателя 4, Параметры излучателя 4 и приемника 9 ПАВ согласованы с их частотой, На пьезоэлектрической пластине 3 расположен поглотитель 13 ПАВ, 35 выполненный из материала с большим коэффициентом затухания этих волн.Поглотитель 13 расположен на прямой линии с пластиной 8 и приемником 9, т.е. на пути распространения ПАВ, 40 прошедшей последовательно пластину 8 и приемник 9, и служит для поглощения этой волны с целью предотвращения ее вторичного параэитного воздействия (например, вледствие отражения 45 от краев пластины 3) на приемник 9.В качестве волновода ПАВ может быть использован Яе только пьезозлектрик, но и другие материалы, являющиеся хорошими звукопроводами, а в качестве магнитострикционной...

Номер патента: 1018151

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Маркарян, Чахоян

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, исправления, обнаружения, ошибок, памяти

...с входом блока управления и у является выходом устройства, выходыпервого и второго дешифраторовподключены соответственно к однимнз входов элементов ИЛИ, введенытретий и четвертый преобразователикодов, третий дешифратор и сумматоры,причем входы третьего преобразователя кодов соединены с другими выходамиформирователя контрольных сигналов,один из выходов которого являетсяуправляющим, выходы третьего преобразователя кодов подключены к одним извходов первого сумматора, другие вхо-ды которого соединены с выходами первого преобразователя кодов и однимииэ входов второго сумматора, другиевходы которого подключены к выходамвторого преобразователя кодов, а выходы - к одним из входов первогодешифратора и третьего сумматора,выходы которого...

Номер патента: 888213

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Вербицкий, Зеленина

МПК: G11C 29/00

Метки: блоке, исправления, обнаружения, ошибок, памяти

...в том, что приобнаружении аппаратными средствамиконтроля (например, по числовомумодулю) искажения в считываемом двоичном кодовом слове считываются изгруппы ячеек блока памяти 1, в которых размещен первый блок данных, ипорязрядно суммируются по модулюдва все слова этого блока данных,включая контрольное слово, но заисключением восстанавливаемого слова.При этом каждый разряд контрольногослова представляет собой г,оразрядную сумму по модулю два всех слов,входящих в этот блок данных. Формирование контрольных слов производится заранее аппаратным способом в. процессе функционирования блока памяти (например, для постоянного ЗУконтрольные слова заранее заносятсяв соответствующие ячейки накопителя). Оставшееся на сумматоре словоявляется...