Моделирующая среда переменной структуры

Номер патента: 2002135

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Альпин

МПК: F16C 17/00

Метки: газовой, гидродинамического, жидкой, образования, слоя, среды

...в слое;- уменьшение Р 2 способствует уменьшению сопротивления при затягивании жидкости в слой, что также увеличивает интенсивность изменения давления и уменьшает тепловыделение в слое;- увеличение Рз по сравнению с Рк способствует уменьшению утечек из слоя, что еще более увеличивает интенсивность изменения давления, которое вызывает увеличение толщины слоя и за счет этого уменьшает в нем тепловыреление,Указанное выше соотношение между 10 15 20 25 силами вязкостного трения достигается несколькими вариантами способа.1-й вариант - в слое, показанном на 30 фиг.3 и 4, на который воздействуют тепловым полем, создают повышенную и переменную (согласно кривым 25, 26. и 27) по толщине слоя вязкость в зонах, расположенных вдоль выходной 5-6 и...

Номер патента: 243936

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Борисенко, Газовой, Губкина, Московский, Перлин, Петровский

МПК: G01N 17/00, G01N 3/20, G01N 3/36

Метки: давления, испытания, перемениого, среде

...5 25 для замера деформаций и нагружающее устройство. Последнее снабжено пневмогидравлическим аккумулятором б, установленным на штоке 7 нагружающего устройства и тидрозатвором, выполненным в виде открытого бака 8, заполненного жидкостью, с жиклерной трубкой 9, связывающей полости аккумулятора и бака.Установка работает следующим образом.В исходном положении (при атмосферном давлении РО в камере 1) уровень жидкости в аккумуляторе б доходит до отметки РО, а в баке 8 - до верхнего уровня, Объем аккумулятора над уровнем жидкости заполнен воздухом. При этом общий вес аккумулятора и находящейся в ней жидкости до уровня Ре обеспечивают заданную первоначальную нагрузку,По мере повышения,давления среды в камере 1 при добавлении в нее среды...

Номер патента: 217308

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Иностранцы, Патрис, Сосьете, Франци

МПК: H01M 4/88

Метки: пористого, топливных, электрода, элементов

...и активированного угля.Электрод может быть, например изготовлен 15 следующим образом.Из 100 ч, порошкообразного активированного угля, предварительно просеянного через сито, имеющее отверстия 200 мк, 90 ч, 10%-ного раствора полистирола в трихлорэтилене и 20 ч.20 ацетиленовой сажи приготовляют, перемешивая, однородную пасту, Затем эту пасту прессуют в форме при давлении от 2000 до 1400 кг/сма, но желательнее при давлении 800 кг/см 2. Таким образом получают пластинку 25 или элемент электрода толщиной от 2 до 8 мм.Приготовленную пластинку высушивают на открытом воздухе 48 час для испарения трихлорэтилена. Далее пластинку покрывают пленкой серебра толщиной от 0,03 до 0,04 мм 30 погружением в 50%-ный раствор нитрата сеТираж 530 делам...

Номер патента: 1277381

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: многофункциональный, структуры, цифровой, элемент

...12 напряжение высо" кого уровня - сигнал "1".При подаче на все управляющие входы 16 и 17 сигнала "1" состояние на выходе 12 зависит от изменения напряжения на сигнальном входе 15. При переходе этого напряжения от уровня "1" к уровню "0" током через резистор 14 и базоэмиттерные переходы транзисторов 10 и 11 отпирается транзистор 11 и формируется сигнал "0" на выходе 12. Отпирающий ток существенно возрастает за счет добавочного тока емкости нагрузки через транзистор 10 в базу транзистора 11.Данное увеличение базового тока и обуславливает возрастание нагрузочной способности элемента.Через некоторое время после отпирания транзистора 11 откроется и перейдет в режим насыщения транзистор 8, что вызовет запирание транзисторов 10 и 11, и на...

Номер патента: 178400

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01M 4/08, H01M 6/00

Метки: гальванических, пастированных, электродов, элементов

...емных форм 2. В це жен питатель 3 для цилиндрической пов ны отверстия 4, со т из дисковой цент ых по ее периферии итре центрифуги ра пастированного цин ерхности питателя диняющие полость Р ф.разь- сполока. На сделапита ч До последнего времени изготовление пастированных электродов гальванических элементов осуществлялось вручную путем шприцования, например цинка, на токоотвод через калиброванную насадку. Такое изготовление электродов малопроизводительно и не обеспечивает необходимого качества из-за ненадежного контакта пастированного цинка с токоотводом, наличия воздушных пузырьков в пастированном цинке и других причин.Цель изобретения - повышение производительности и качества электродов. Это достигается тем, что в устройстве...