402073

402023 О П И С - Ф-Н И -Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоцийлистимескихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ авиоимос от авт, свидетс,чьства,ч, Н 01 с 1700 аявлено 14,Н 11.19 68031/ рисоединением заявкиПриоритетОпубликовано 12.Х.1973, Бюллетень4Дата опубликования описания 23.111.1974 осударственныи комитеСовета Министров СССРло делам изаоретенийи открытий УДК 621.317.8:621.396.6авторызобрстеиия 1 нев, Ю. В, Третьяков и Н. Л. Соколо явитель СПОСОБ ПОДГОНКИ ТОНКОПЛЕНОЧН 11 Х РЕЗИСТОРОВ В НОМИНАЛтся тем, что параллельно жение с си - резистор я в ней проИзобретение относится к технологии производства радиоаппаратуры. Способ может быть использован при изготовлении пассивных элементов интегральных схем.Известен способ подгонки тонкопленочных резисторов в номинал, основанный на удалении части резистивного материала под воздействием напряжения, приложенного к резистору и электроду, разделенным диэлектрическим, например воздушным, слоем.Цель изобретения - повышение точности подгонки резисторов в номинал.Предлагаемый способ отличаеплоский электрод размещаютповерхности резистора, а напрястем ы электрод - диэлектрикснимают в момент возникновенибоя.Способ поясняется чертежом.Диэлектрический зазор между резистором и накладным электродом устанавливают микрометрической подачей накладного электрода (пробой в вакууме или газе). Накладной электрод, выполняющий функции электрода высокого напряжения электроэрозии, может иметь любую конфигурацию, соответствующую конфигурации резистора, но должен быть обязательно плоским, что обеспечивает статистический характер распределения эрозиопных кратеров по тонкопленочному резистору. Его размещают параллельно поверхности подгоняемого резистора,Статистический характер распределениямикровыступов на поверхности резистивной 5 пленки и местное усиление электрическогополя па них при приложении к системе накладной электрод - диэлектрик - резистор напряжения дают возможность провести в этой системе большее число пробоев. Это О существенно улучшает временную и температурную стабильность юстированных резисторов, так как в результате юстировки резистивцые дорожки приобретают структуру с равномерно расположенными в ней отверстиями - кратерами, ибо в момент пробоя вылетают в первую очередь слабые места в резистивной пленке.Предлагаемый способ подгонки резисторовсостоит в ограничении мощности, рассеиваео мой в канале пробоя диэлектрического промежутка в момент взрыва микроострия - катода, расположенного на поверхности резистивной пленки - дорожки, что предотвращает перегор ание дорожки при большом числе пробоев. Вследствие малости размеров послепробойного кратера в резистивной пленке сопротивление тонкопленочного резистора незначительно увеличивается, что дает возможность выполнять подгонку с любой трео буемой точностью прп последовательном(со 7 галл) Составитель Е. Ковалева Текред Л. Грачева Корректор Е. Зимина Редактор Ь. Федотов Заказ 63 8 Изд. М 75 Тираж 780 Подписное ШЧИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 проведении пробоев одного за другим с их одновременным счетом и при выборе необходимой площади резистора. Ограничения мощности достигают снятием цацряжсипя В момсит пробоя с помощью Гсцср)то)а отсечки. Дл) этОГ) и к 1 ссВс Висп 1 цсг 0 1 с 10 пи кй ца 1 р 51 кспР 151 используют Гспера 1 Ор АЙпульсов цапряжепия со схемой отсечки цапряжеиия в момент пробоя. Диаметр кратера пробоя тонкопленочных систем металл - диэлектрик - металл, зависящий от скорости подачи энергии в канал проооя, лежит в диапазоне 0,5 - 10 Р при использовании схемы отсечки. При последовательном проведении необходимого числа пробоев с точпостыо до одного (счет импульсов) и использовании генератора отсечки появляется возможность прецизионной подгонки тонкопленочных резисторов (с точностью до 0,001%). Принципиальцые схемы генераторов отсечки могут быть различными, о фупкциоцальцое азцачецие их должно быть одно: ограцичепис мощности, выделившейся в канале пробоя, причем не принудительной ее регулировкой до начала пробоя, а протеканием самого процесса пробоя и параметрами разрядного канала, образующегося при пробое. В качестве источника цапряжеция ) ожет быть использовац геператор импульсов равномерно нарастающего напряжения, совмещенный со схе- мОЙ 01 сскп цаир 51 жспи 51 В 1 Оьси ВОзцикцо Всци)1 и)0005.1)ки) Об)р)зо)1, ирсдл;гасмый си)с)б иодГоики тОикОилспОчиы рсзпсОрОВ ВОЗВОл 51 ст производить практически неограниченное число пробоев иа резистивпых дорожках ши риной до 50 г с мицимальцо возможцым длядаццого типа резистивцой и диэлектрической пленок шагом подгонки. Предмет изобретения 15Способ подгонки тоикоилецочиых резисторов в номинал, основанный ца удалении части резистивцого материала под воздействием напряжения, приложецпого к резисто ру и электроду, разделенным диэлектрическим, например воздушпым, слоем, отличаои(ийся тем, что, с цель)о повышения точности подгонки, плоский электрод размещают параллсльио поверхпости резистора, а сцятие 25 цапряжеция с системы электрод - диэлектрик - резистор производят в момент возцикцовеция в цсй пробоя.