Всесоюзная

О П И С А Н И Е 390664ИЗОВРЕ 1 ЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт. свидетельства,Ч,1971 ( 1661755/26-9) Заявле 31 с 60 присоединением заявки асудвратвенныи комнтеСовета Миниотрав СССРпа делам изооретенийи открытий Приоритет 1973. Бюллетеньпубликовано 11.Ч УДК 621.373.5 (088.8 кования описания 22.Х 1,1973 та оп Авторыизобретени М. Барбасов, Е. Н. Бел Н. Неустроев и А. К. Соловье Заявите:,:. ь БАР 1 Ч Г "ЬВМ сКА РМИРОВАТЕЛЬ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСО электрическая схемвателя. редлагаемого формиро анзисторы 1 и 2, ключен времязалекторную цепь нейная нагрузка база транзистосато 5 положиержит торых 8. В к на нел тора 1 кон е 25 Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в преобразователях информации.Известный формирователь наносекундных импульсов, содержащий два основных транзистора одного типа проводимости, между эмиттерами которых включен времязадающий конденсатор, нелинейную нагрузку, включенную в коллекторную цепь первого транзистора, конденсатор положительной обратной связи, вклю ченный между коллектором первого основного транзистора и базой второго, и резисторы, обладает большим временем восстановления, потребляет большую мощность в ста ическом режиме и имеет большую длительность форми руемых импульсов.Цель изобретения - уменьшение длительности формируемых импульсов, уменьшение времени восстановления и снижение потребляемой мощности в статическом режиме, Для это го в эмиттерные цепи обоих транзисторов введены дополнительные транзисторы другого типа проводимости, базы и эмиттеры которых соединены соответственно с базами и эмиттерами основных транзисторов, коллектор первого дополнительного транзистора подключен к шине питания, коллектор второго - к резистивной нагрузке, а базы через резисторы - к общейшине.На чертеже изображена принципиальная 30 Формирователь сод трмежду эмиттерами ко вдающий, конденсатор олтранзистора 1 включе и4. Коллектор транзис ира 2 соединены через д н ртельной обратной связи.В эмиттерные цепи транзисторов 1 и 2 включены транзисторы б и 7, базы и эмиттеры которых соединены с базами и эмиттерами транзисторов 1 и 2 соответственно. Нагрузкой формирователя является резистор 8, включенный в коллекторную цепь транзистора 7. Базы транзисторов б и 7 через резисторы 9 и 10 соединены с общей шиной, коллектор транзистора б - с шиной питания. Вход 11 формирователя через конденсатор 12 подключен к базе транзистора б.Формирователь работает следующим образом.В исходном состоянии транзисторы 1, 2, б, 7 закрыты, конденсатор 3 разряжен. При поступлении сигнала на вход 11 с амплитудой, превышающей порог срабатывания формирователя, открываются транзисторы 1 и 7. Изменения напряжения на коллекторе транзистора 1 передаются через конденсатор б на базу транзистора 7, вызывая лавинообразный процессЗЭ 0664 Формирователь наносекундных импульсов,содержащий два основных транзистора одного 5 типа проводимости, между эмиттерами которых включен времязадающий конденсатор, нелинейную нагрузку, включенную в коллекторпую цепь первого транзистора, конденсатор положительной обратной связи, включенный 10 между коллектором первого основного транзистора и базой второго, и резисторы, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью уменьшения длительности формируемых импульсов и времени восстановления, а также снижения потребляе мой мощности в статическом режиме, в эмиттерные цепи обоих транзисторов введены дополнительные транзисторы другого типа проводимости, базы и эмиттеры которых соединены соответственно с базами и эмиттерами ос повных транзисторов, коллектор первого дополнительного транзистора подключен к шине питания, коллектор второго - к резистивной нагрузке, а базы через резисторы - к общей шине. Составитель Ю. ЕркТехред Т, Курилко Корректоры: Л. Новожилова и Н. Прокуратоваова едактор Тираж 780 Совета Минис открытий наб. д 4(5аз 3063/11 Изд.1761 ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, РаушскаяПодписноеов СССР Типография, пр. Сапунова, 2 нарастания тока транзисторов 1 и 7, а следовательно, и тока через конденсатор 3, При этом на резисторе 8 формируется фронт импульса. Одновременно начинается заряд конденсатора 3, в результате чего ток через транзисторы 1 и 7 начинает уменьшаться. Изменения напряжения на коллекторе транзистора 1 при замкнутой петле положительной обратной связи приводит к лавинообразному процессу спада тока заряда конденсатора 3 и запиранию транзисторов 1 и 7, При этом формируется спад импульса. С выхода 13 формирователя снимаются короткие импульсы, длительность фронта и спада которых определяется частотными свойствами транзисторов 1, 2, б, 7. Спад входного сигнала на величину порога срабатывания вызывает отпирание транзисторов 2 и 6, и конденсатор 3 быстро разряжается. Для расширения динамического диапазона в сторону уменьшения крутизны фронтов входных сигналов в коллекторную цепь транзистора 1 включена нелинейная нагрузка,Предмет изобретения