Ждущий мультивибратор

Союз Советскил Социалистических Республиквисимое от авт. свидетельстваЗаявлено 18.11.1971 ( 1634989/ М, Кл. Н ОЗК 3/284 ением заявки Ы с прис итет Квинтет по деламобретений и открытири Совете МинистровСССР публиковано 21,71,1973. Бюллетен УДК 621,373,531.1(088,8 а опубликования описания 1.Х.1973 вторыобретения. Яковлев и Г. С. Масленник аявитель ЩИЙ МУЛЪТИВИБРАТОР а схема предлагаемогиг. 2 - диаграмма наточках схемы. Жд содержит неинвермент памяти, вы етричного триггеВход неинвертируен через резистор я эмиттеров транертирующего усисоединен с базой о, мультивибратор вибраторель 1, элеме несиммах 2 и 3. ии мультий усилитй по схеанзисторсилителя.й точке2 и 3.Вчерез резора 2. тирующиполненньра на трющего у4 к общезисторовлителятранзист подсоединсоединен иыход неинвистор 5Кроме тог Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в радиотехнических установках и микроэлектронной аппаратуре для формирования коротких импульсов.Известен ждущий мультивибратор, содержащий неинвертирующий усилитель и элемент памяти, выполненный по схеме несимметричного триггера.Предлагаемый мультивибратор отл,ичается тем, что вход неинвертирующего усилителя подсоединен через резистор к общей точке соединения эмиттеров транзисторов несимметРиРрр 1 ого триггера, а выход неинвертирующего усилителя подсоединен к базе одного из рранзисторов триггера. Это позволяет упростить мультивибратор.Н а фиг. 1 изо бр а жено мультивибратора; на фпряжений в различных имеет резисторы б, 7 и 8, вход 9ующего усилителя и выход 10.В исходном состоянии (до момента 1,)большой уровень выходного напряжения не 5 инвертирующего усилителя 1 через резистор 5,базо-эмиттерный переход транзистора 2 и ре.зистор 4 поддерживает схему в состоянииустойчивого равновесия, При этом транзистор2 насыщен, а транзистор 3 закрыт, Появление10 на входе 9 продифференцированного импульсаотрицательной полярности (момент 1,) создает на выходе неинвертирующего усилителя 1и на базе транзистора 2 (см. фиг. 2 г) уровеньнапряркения, близкий к нулю, что приводит к15 уменьшению напрякер 1 ия на эмиттерах трав.зисторов 2 и 3 (см. фиг. 2 а). Транзистор 2остается открытым пока происходит рассасывание носителей в его базе. Транзистор 3 прнэтом остается закрытым, Резисторы 4, б и 820 определяют уровень потенциала на входенеинвертирующего усилителя 1 и и гбравытак, чтобы на выходе 10 поддерживался низкий уровень дотенциала,В момент 1 1 ранзнс 1 ор 2 начинает выло25 дить из насыщерлия, что повышает потенциална коллекторе транзистора 2 (см. фиг. 2 д). Вмомент з начинает открываться транзистор 3.При этом повышается напряжение на эмнттсрах транзисторов 2 и 3 и на входе 9 (см.30 фиг, 2 а и 2 б). Входной транзистор нсннвсртирующего усилителя открывается, потенциал на базе транзистора 2 повышается, транзистор 2 начинает открываться. Это приводит к еще большему повышению потенциала на входе 9. Происходит лавинообразный процесс восста новления. Транзисторы 2 и 3 некоторое время остаются открытыми, потенциал на их эмиттерах резко увеличивается. Потенциал на базе и коллекторе транзистора 2 тоже увеличивается. 10В момент 1 транзистор 2 открывается настолько, что шунтирует базо-эмиттерный переход транзистора 3, который начинает запираться, Потенциал на эмиттерах транзисторов 2 и 3 уменьшается, транзистор 2 открывается 15 еще больше. Действие на входе 9 продифференцированного импульса не меняет состояния схемы (момент 15), При этом происходит толь ко кратковременное увеличение степени насыщения входного транзистора неинвертирующего усилителя 1, На фиг. 2 в показаны импульсы на выходе 10. Предмет изобретенияЖдущий мультивибратор, содержащий неинвертирующий усилитель и элемент памяти, выполненный по схеме несимметричного триггера, отлиаа(огцийся тем, что, с целью упрощения устройства, вход неинвертирующего усилителя подсоединен через резистор к общей точке соединения эмиттеров транзисторов несимметричного триггера, а выход - к базе одного из транзисторов триггера,Редактор аде Составитель Ю. ЕркинТехред А. Камышникова ректор Т. ГревцоИзд.744 Тираж 780 по делам изобретений и открытий при Сове Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5