381123

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 1060066

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Попов, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции формирования сплошного скрытого слоя, наращивания эпитакисального слоя, формирования окисла кремния, фотолитографии, травления, формирования диэлектрической изоляции, диффузии и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных интегральных схем, после формирования окисла кремния производят нанесение поликристаллического кремния и под защитой фоторезиста производят травление поликристаллического кремния, окисла кремния, эпитаксиального слоя, сплошного скрытого слоя и подложки на глубине ниже границы области объемного заряда данной части p-n-перехода: n+-скрытый слой - подложка, после...

Номер патента: 405019

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Днепропетровский

МПК: G01B 15/02

Метки: 405019

...кл оч 12, В этот момент блок управления 28 вновь открывает ключи 3 и 12. Ключ 12 пропускает импульс на фазовый модулятор 13, после чего этот импульс подается на волноводный тройник 14, куда также через аттегпоатор 15 и фазовращатель 16, приходит опорный импульс с делителя мощности 5.Дважды отраженный от объекта 8 и опорный импульсы проходят в детекторную камеру 17, где преобразуются, Сигнал с детекторной камеры 17 попадает на логическую схему 18 и далее на индикатор толщины 19.Одновременно часть энергии отраженного импульса ответвляется направленным ответвителем 9 и через фазовый модулятор 20 попадает на волноводный тройник 21, куда также через управляемый фазовращатель 22, аттенюатор 23, диэлектрический фазовращатель 24 приходит опорный...

Номер патента: 320113

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранец, Иностранна

МПК: C07C 51/00, C07C 62/30

Метки: библиотека

...концентрируют досуха и получают 4,20 г сырой Е-с(сссхрнзантемовой кислоты (Б). Эта сырая кислота может быть очищена двумя методами: 1. Очищение Е-с(ссс-хризантемовос кислоты через соль хшпша. Для очистки берут 1,054 г сырой Е-ссссс-хрссзантемовос кислоты (Б), которую растворяют в горячем растворе - 2 г Е-хинина (левовращающее основание) в 4 слсз этанола. Затем добавляют 1 слс воды н 3 слс изопропилового эфира, затем медленно охлаждают до5 С. Выдерживают смесь до полной кристаллизации. Затем ее фильтруют под разрежением, сушат н получают 2,06 г соли Е-хинина 3,3-днметнл(2-метнл- -нропеннл)- циклопропан-карбоновой кислоты. Т. пл.110 С. Концентрацией маточных растворов получают 2-й осадок (0,152 г соли хинина), Т. пл. 110 С.1-й и 2-й...

Номер патента: 1119095

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Брезинский, Намитоков, Френкель, Хмельницкий

МПК: H01H 85/08

Метки: варианты, вставка, ее, плавкая, предохранителя

...токах выше допустимых расплавляются узкие перешейки плавких элементов 2 и возникает электрическая дуга. В канале дуги развивается значительное давление. Под действием этого давления слой зернистого наполнителя 3 между поверхностями плавкого элемента 2 и корпусом 1 сжимается. Поскольку, однако, толщина этих слоев небольшая, то и сжима О ются они незначительно. Вследствие этого давление в канале дуги остается достаточно большим, что обеспечивает требуемое дугогашение и,соответственно, нормальное размыкание цепи. Кроме 15 того, улучшению дугогашения способствует увеличение давления газов в корпусе предохранителя.Рекомендуемое расстояние между плавким элементом и внутренней по О верхностью корпуса вставки (10-40 тощин...