Всесоюг: «пёш; йу-: кя1.; ьi биеи-ють: –

Номер патента: 113882

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Каневский

МПК: B23K 1/00, B23K 35/22

Метки: алюминиевых, бесфлюсовой, легкоплавкими, пайки, помощи, припоями, соединения

...недостатков предлагается в качестве припоя применять сплав доэвтектического или заэвтектического состар,з, нагретый до температуры, соответствующей середине температурного интервала кристаллизации припоя, а процесс пайки вести при непрерывном вращении изделий с последующим прекращением вращения, повышением температуры до полного расплавления припоя и охлаждением паяного соединения Высокое качество паяного соединения достигается благодаря тому, что в процессе вращения изделий в расплавленном припое, имеющиеся там кристаллы Способ соединения при помощи бесфлюсовой пайки легкоплавкими припоями алюминиевых изделий, например, стержней, кабелей, труб и прочих между собой или алюминиевых изделий с изделиями из других металлов, например...

Номер патента: 1808554

Опубликовано: 15.04.1993

Автор: Черницын

МПК: B23K 1/00

Метки: конструкций, пайки, паяносварных, соединениями, телескопическими

...= (а 1 сЬ - а 2 бв) ЛТ (1) где д - исходный зазор при комнатной температуре;а 1 - коэффициент термического расширения материала внутрирасположенной детали;бп - наружный диаметр внутрирасположенной детали;а - коэффициент термического расширения материала наружной детали;б - внутренний диаметр наружной де тали;10 йщ(а 1 а 2) (Тпл - 70 С) дй ш(а 1 - а 2) 260 С (3) где Яш - радиус паяного шва,а 1 - коэффициент термического расширения материала внутренней детали,аг - коэффициент термического расширения наружной детали,Тпл - температура плавления припоя- покрытия,При более высоком вакууме ускоряется выделение водорода и в тоже время исключается возможность окисления покрытия, которое может вызвать ухудшение растекэемости припоя, В связи с...

Номер патента: 883981

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Аснис, Ворона, Гуревич, Заболотин, Клименко, Нероденко, Пан, Сухушин, Шендерович

МПК: H01B 12/00

Метки: внутренним, жилы, интерметаллического, многосекционной, основе, расположением, сверхпроводящего, сверхпроводящей, слоя, соединения

...слоя заключается в том, что в шлюзовой напылительной камере наносятслой барьерного материала на концевые участки каждой заготовки, содержащей слой тугоплавкого компонентасоединения и лой стабилизирующегоматериала, на о,л альной части заготовок формиру;,. с.рхпроводящий слойс помощью термообработки в диффузионной камере в при утствии легкоплавкого компонента соединения, удаляютс полученных секций слой барьерногоматериала, располагают концы секций 1(фиг.1 и. 2 ) с зазором 2, в которомсверхпроводящие слои 3 обращеныдруг к другу размещают в нем встав 4 оку ч в области расположения сверхпроводящих слоев 3 и приводят еев контакт с укаэанными слоями 3, например с помощью контактной точечной сварки с ограниченным подводомтепла (конденсаторная...

Номер патента: 1194618

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Лерман, Пиляев

МПК: B23K 3/06

Метки: жидкостью, защитной, пайки, припоем

...Зо щий .экран 15, изготовленный, например, из асбоцемента. Над поверхностью припоя в слое защитной жидкости 16 установлен узел охлаждения 17, выполненный в виде змеевика, закренленного в стенках ванны 1. Холодильник 14 в емкости 11 и узел охлаждения 17 в слое защитной жидкости 16 подсоединены к сети сжатого воздуха.Устройство имеет четыре датчика температуры, например термопары, Датчик температуры 18 установлен в камере для пайки ваящю 1. Датчик температуры 19 устмйЬвлея на стенке сопла 8 в верхней его части 10. Датчик температуры 20 установлен внутри емкости 11 в зоне охлаждения припоя до температуры, близкой к температуре припоя в ванне 1, Датчик температуры 21 установлен над поверхностью припоя в слое защитной жидкости 16,...

Номер патента: 1433714

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Кержнер, Пугач, Струнец, Шапиро

МПК: B23K 35/40

Метки: пайкой, припоя

...компонента, испаряющегося из припоя во время нагрева, в частности парциальное давле" ние цинка при нагреве латунного при поя Л 63, составляет от 24 до 38 кПа при температурах рекристаллизации 740-850 С и выдержке до 5 мин. Посте" пенным повышением давления защитной газовой среды (аргона) удалось в значительной степени подавить испарение цинка при давлении около 78 кПа (0,8 атм), Потери цинка при рекристаллизации под давлением ,78 кПа (т,е, на 40 кПа больше парциального давления) составили всего 0,4 Е, тогда как при различии в давлениях 36 кПа - 0,9 , /30 кПа - 1,13, 20 кПа - 1,7 Х.Таким образом, нижним пределом давления защитной газовой среды,при котором можно проводить рекристаллизацию без изменения состава припоя, является...