Г

Номер патента: 673103

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Баранов, Гончаров, Дедушенко, Плетнев

МПК: H01S 5/30

Метки: активный, генератора, квантового, полупроводникового, элемент

...в веществе пассивного слояс атомным номеромбольшим атомногономера материала активного слоя.Активный элемент полупроводниковогоквантового генератора представлен на 2 Офиг. 1, Он состоит из подложки 1, водновода активного элемента 2 и слоя вещества покрьггия 3 с атомным номеромбольшим, чем атомный номер материалаволновода.25Сечение упругого рассеяния элементов на атомах пропорционально атомному номеру в квадрате, в сечение неупру.гого рассеяния - первой степени, поэтому в нанесенном слое упругое рассеяниепреобладает над неупругим, вследствиечего энергия электронного пучка, проходящего нанесенный слой и попадающего в активный элемент, меняется мало,а угловое распределение уширяется значительно. Это ведет к увеличению долиэнергии,...

Номер патента: 1582225

Опубликовано: 30.07.1990

Автор: Горелов

МПК: H01J 1/18

Метки: арматуры, вакуумных, газоразрядных, приборов, электронных, элемент

...Выполнение элементов арматв виде бруса описанной конструкципозволяет повысить его частоту до76 Ж и снизить металлоемкость до 6по сравнению с элементом в виде зланного по концам цилиндрическогобруса сплошного сечения постоянрадиуса. Это обеспечивает отстроарматуры от низкочастотных резонасов, 1 ил.582225 в результате решения задачи оптимизации конструкции заделанного по концам бруса, решенной на классе цилиндрических брусьев постоянного наружного радиуса. Варьируемыми переменными являлись длина и радиус выполненной н брусе по его продольной оси цилиндрической полости, Соответствующие максимальному значению собственной частоты значения этих переменных определяются из условия достижения максимума безразмерного параметра ало соотнс...

Номер патента: 506426

Опубликовано: 15.03.1976

Авторы: Виноградов, Карачевцев

МПК: B01D 59/44

Метки: анализа, ионов, масс, например, спектрометрического

...явилось упро 5 щение процесса получения ионов,Это достигается тем, что по предлагаемому способу между катодом и камерой ионизации ионного источника создают напряжение, меньшее потенциала ионизации газа,10 а импульсное напряжение подают на коллектор источника.На чертеже изображен источник ионов,работающий по предлагаемому способу и содержащий катод 1, камеру ионизации 2 и15 коллектор электронов 3.Между катодом и камерой ионизации ионного источника подают напряжение (1 - б,),меньшее потенциала ионизации У молекул газовой смеси, а на коллектор электронов по 20 дают импульсное напряжение, ускоряющееэлектроны в коллекторной части до энергий,при которых становятся значительными сечения возбуждения атомов, Для запирания вколлекторной...

Номер патента: 1052899

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Асалханов, Пронькинов

МПК: G01L 21/00

Метки: вакуума

...заключающемусяв измерении сопротивления полупроводникового датчика, вызванного адсорб- д 5цией газа на поверхности его чувствительного элемента, в пооцессе измеренияна чувствительный элемент датчика направляют пучок медленных электронов и повеличине полного тока в цепи чувстви- ЗОтельного элемента судят о величине измеряемого вакуума.Полный ток электронов, прошедшихв тело, определяется особенностями отраЖЕННОГО КотоРЫй СКЛадЫВавтсЯ ИЗ УПРУГго и неупруго отраженных электронов,В полупроводниках неупругое рассеиваниеприводит к возбуждению переходов науровне локальных центров прилипвния,что приводит к их перезарядке и изменя Оет характер упругого рассеивания, что из меняет особенности в поведении упругойкомпоненты отраженного тока и...

Номер патента: 1140091

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Паршин, Плескач, Якубов

МПК: G01T 5/06, G03H 1/00

Метки: голографирования, камерах, пузырьковых

...зеркалом 14, электрооптическим кристаллом (ячейкой Поккельса) 15, оптической системой формирования опорного пучка 16 и регистрирующим прибором 8. Кроме того, оптически связаны также и поляризационная призма 11, непрозрачное зеркало 17, полупрозрачное зеркало 14 и оптическая система формирования опорного пучка 16.Злектрооптические кристаллы 10 и 15 электрически связаны через электронный блок задержки 18 с лазером 1. АОптическую линию задержки 9 можно выполнить в.виде системы зеркал, например двух плоских и одного сферического, которая позволяет плавно осуществлять любые временные задержки (от нескольких наносекунд вплоть до нескольких микросекунд)Устройство работает следующим образом.Импульс плоскополяризованного света от лазера 1...