Способ изготовления матричных запоминающих
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 378949
Текст
О П И С А Н И Е 378949ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Сопнапистическнх РеспубиикЗависимое от авт. свидетельстваявлено 17 1 Ч.1970 ( 143209118-24) 1, Кл. б 11 с 11/02 присоединением заявками Приорит Комитет по ае зобретений н открытн убликовано 18.1 Ч,1973, Бюллетеньта опубликования описания 21 Ч 1.197 81.327.66 (088,8) при Совете Министров СССРизобретения3 аявитель СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВИзобретение относится к области вычислительной техники и, в частности, к способу изготовления запоминающих устройств электронных вычислительных машин,Известные способы изготовления матричных запоминающих устройств заключаются в том, что ферритовые сердечники прошиваются системой взаимно перпендикулярных проОднако по этим способам прошивка ферритовых сердечников осуществляется вручную, что усложняет технологический процесс и снижает надежность работы всего устройства.Цель изобретения - улучшение технологичности изготовлеия и повышения адежости работы устройства,Для этого на пластину, выполненную из не- магнитного материала, аосят проводящие шины Во Взеимо перпедикулярном а равлении, в местах пересечения которых растюлагают магнитный материал.На чертеже приведено матричное запоминающее устройство, изготовленное предл.гаемым способом.В прямоугольной плоской пластие 1 имеются полусферические лунки 2, расположенные в узлах прямоугольой сетки, Лунки симметричо соединяются узкими дороккакти д, глубина которых несколько больше радиуса пвоводов, укладываемых в эти доров,кн,Пластина укладывается в рамку 4, выполненную из изоляционного материала, например керамики, снабженную по периметру металлизированными пазами 5, расположены 5 ми против дорожек.В пазах запаиваются концы изолированныхпроводов б, уложенных в дорожках.После запайки проводов и образованияпрямоугольной сетки а пластину аклады 0 вается плоский шаблон 7, имеющий с внутренней стороны дорожки 8 и сквозные отверстия А, расположенные против дорожек илунок.В отверстия А загружаются калиброванные5 шарики из легкоплавкого матер;ла. Путемнагрева всего приспособления и опрессовкнполучают матричное запомнитотцее устройство, Узлы проволочной сетки оказываютсявнутри шариков, скрепляющих обмотку и слу 0 жащих в дальнейшем для наесеия магнитной пленки,Последующие операции предназначены дляподготовки поверхности шариков и электролитическому осаждению пермаллоевой пле 5 ки в ориетируемом магнитном поле,Поверхность шариков перед осаждеисмэлектрополируют для устрасия шероховатостей. Шаг проволочной сетки необходимовыбирать так, чтобы шарики при электроли 0 тическом осаждении не экранировали другРедакто рагетти Изд. Ке 449 Тираж 576 Подписноемитета по делам изобретений и открытий при Совете Мшшстров СССР Москва, Ж, Раушскаи паб., д. 4/5 Заказ 1704 ЦНИИПИ ипография, пр. Сапупова друга и толщина магнитного слоя была одинаковой,Размещение и закрепление шариков в узлах проволочной сетки возможно шаговым автоматом.Ориентировочные размеры шариков 0,3 - 0,35 лам, шаг - 0,6 им. Толщина магнитного слоя - несколько микрон. Шарики могут быть выполнены из различного материала.После нанесения магнитного слоя м атри 1- ное запоминающее устройство мокет быть заэкранировано,Металлическая проводящая поверхность покрывается слоем изоляции в несколько приемов до требуемой толщины, Поверх изоляции осаждается слой меди или другой металл, который служит подложкой для последующего наращивания проводящего слоя(экрана) до определенной толщины,5Предмет изобретенияСпособ изготовления матричных запоминающих устройств, основанный на прошивкемагнитных элементов проводящими шинами,10 отличающийся тем, что, с целью улучшениятехнологичности, на пластину, выполненнуюиз немагнитного материала, наносят проводящие шины во взаимно перпендикулярныхнаправлениях, в местах пересечений которых15 располагают магнитный материал.
СмотретьЗаявка
1432091
МПК / Метки
МПК: G11C 11/02
Метки: запоминающих, матричных
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-378949-sposob-izgotovleniya-matrichnykh-zapominayushhikh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления матричных запоминающих</a>
Установка для нанесения светочувствительного слоя на формные пластины
Номер патента: 328415
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Гершберг, Качур, Лозовский, Одесское
Метки: нанесения, пластины, светочувствительного, слоя, формные
...слоя и камеры 3 сушки светочувствительного слоя.В камере предварительной сушки установлен транспортер 4 для подачи формных пластин. Над транспортером расположены нагревательные элементы 5.В камере нанесения слоя находится электромагнптпый цйлпндр 6, ванна 7 для светО- чувствительной эмульсии и набрасывающий валик 8.Электромагнитный цилиндр может быть вы полнен в виде обечайки 9, вратцающейся вокруг намагничивающего сектора 10 и размагничивающего сектора 11. Намагничивающий сектор обеспечивает плотное прижатие формной пластины 12 к электромагнитному ци0 липдруВ камере сушки светочувствительного слоянаходятся транспортер 13 и нагревательные элементы 14, расположенные пад нпм,Установка работает следующим образом.Влажные формные пластины...
Центрифуга для нанесения светочувствительного слоя на формные пластины
Номер патента: 1081618
Опубликовано: 23.03.1984
Авторы: Аргунов, Баршаба, Брейтман, Раков, Хасин
МПК: G03F 7/16
Метки: нанесения, пластины, светочувствительного, слоя, формные, центрифуга
...2для крепления формной пластины 3 с помощью зажимов 4. Ротор 2 соединен с приводом 5.На внутренней поверхности двери 6 установлены устройство 7 сушки и рычаг 8, шарнирно соединенный с регулятором 9 скорости, имеющим регулируемый дроссель 10.Шток 11 регулятора 9 скорости шарнирно соединен с дверью 6.На конце рычага 8 установлено сопло 12 с запирающим плунжером 13.На рычаге 8 неподвижно установлен механизм перемещения запирающего плунжера 13, состоящий из переключателя 14 с пружиной 15 и тяги 16.На внутренней поверхности двери 6 закреплен неподвижный упор 17 и подвижный упор 18, на котором установлен датчик 19 включения цепи питания(не показан) устройства 7 сушки.В цепь питания устройства 7 сушки кроме датчика 19, которым может слу108161...
Матричный накопитель для электронно-оптических запоминающих устройств
Номер патента: 878075
Опубликовано: 10.08.1999
МПК: G11C 11/42
Метки: запоминающих, матричный, накопитель, устройств, электронно-оптических
Матричный накопитель для электронно-оптических запоминающих устройств по авт.св.N 682948, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности накопителя, в каждый запоминающий элемент в диэлектрическую подложку введен концентратор оптического потока, выполненный из оптического волокна в форме усеченной шестигранной пирамиды с конической полостью со стороны входного основания, в магнитных слоях выполнены окна, причем окно в слое магнитотвердого материала совмещено с выходным торцом концентратора оптического потока.
Способ определения глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины
Номер патента: 599662
Опубликовано: 25.10.1978
Авторы: Веревкина, Кулешов, Суровцев, Сыноров
МПК: H01L 21/263
Метки: глубины, нарушенного, пластины, полупроводниковой, слоя
...в высокоЧастотном поле допоявления скин эффекта и выдерживаютв течение 2-5 с, после чего по среднеймаксимальной протяженности следов ориентированных каналов проплавления и ихформе определяют глубину нарушенногослоя и ориентацию монокристаллнческойпластины.На чертеже приведена зависимостьсредней максимальной плошади следовориентироваееееых каналов проплавленияна поверхности кремния ориентации(100) фот глубины нарушенного слояПри индукционном нагреве полупроводниковой пластины (с одновременной инициацией собственной проводимости в полупроводнике) на периферии последнего возникает скин-эффект Обнаруживаемый по появлению ярко светящегося ободка на пластине, Прн выдерживанпи пластины в указанных услоьиях в течение 2-5 с...
Матричный накопитель для запоминающего устройства
Номер патента: 959561
Опубликовано: 23.01.1985
Авторы: Авдеев, Демин, Кружанов, Сафронов, Эннс
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, матричный, накопитель, устройства
...слое которой расположеныдиффузионные шины, на поверхностиполупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с отверстиями, на котором перпендикулярно диффузионным шинам расположены металлические шины, на поверхности металлических шин и первого диэлектрического слоя расположен второй диэлектрический слой с отверстиями, матричный накопитель дополнительно содержит другие металлические шины, расположенные на поверхностях диэлектрических слоев, в одних из отверстий диэлектрических слоев на поверхности диффузионных шин.На фиг.1 изображен интегральный матричный накопитель, вид сверху; на Фиг.2 - сечение интегрального матричного накопителя вдоль диффузионных шин; на фиг.З - сечение интегрального матричного накопителя...
Предыдущий патент: Запоминающее устройство
Следующий патент: Всесоюзнай
Случайный патент: Шаговый транспортер для поточных линий