Пцнитнотешпесна

Номер патента: 692873

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Довнар

МПК: C21D 7/14

Метки: биметаллических, штамповых

...охлажДение до температуры относительной устойчивости аустенита того же слоя, выдержку для.прев"ращения аустенита основы изделия вбейнит, повторный нагрев до темпера"туры закалки основного материала, 45закалку и отпуск, окончательное ФорМообразование рабочей Фигуры выполняют после выдержки при;температуре относительной устойчивости плакирующегослоя, после чего производят повторную 50выдержку, а перед повторным нагревомдо температуры. закалки основы производят подстуживание До температурыначала мартенситного превращенияпланирующего слоя с выдержкой в, 55течение 2-10 мин,П р и м е р . Прбизводят плакирование заготонки иэ стали 5 ХНИ матерна"лом марки ЗХ 2 В 8 Ф, относительная устойчивость аустенита которого расположена в интервале 440-600...

Номер патента: 919590

Опубликовано: 07.04.1982

Автор: Рэймонд

МПК: C03B 27/04

Метки: закалке, преимущественно, псевдоожиженного, слоя, создания, стекла

...установлено, что более высокий перепад давлений на пластине 2 со слоями бумаги 1 О улучшает устойчивость псевдоожижения кускового материала ,вплоть до предела, за которым уже не происходит улучшения стабильности.Ис. пользованная пластина 2 содержит двадцать слоев тонкой бумаги толщиной 0,05 мм с воздухопроницаемостью 0,25 л/с ипри нормальном давлении О,1 кН/м . Для псевдоожижения упомянутого материала из -глинозема глубиной 10 см требуется подавать воздух под давлением 52 кН/и . Полученный перепад давления по высоте слоя составляет 9 кН/м , а падение давления на пластине 2-43 кН/м, В данном случае падение давления на пластине составляет 85 от давления подводимого воздуха. Пластина может быть сконструирована таким образом, чтобы...

Номер патента: 1027678

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Буяновская, Давыдова, Дементьев, Павлова, Сенюков

МПК: G03C 1/84

Метки: антистатического, кинофотоматериалов, композиция, основе, противоореольного, слоя, триацетатной

...массы . Затем в смеситель в 4 приема загружают 1 , 3 О вес .сажи специальной глубокочерной ка нальной марки КГО 5 О , после чего перемешивают до получен ия однородной массы.ацетон 6,1, метилцеллозольв 32,5,1-ный водный раствор аммиака 5,4дистиллированной воды 9,33,Смесь перемешивают механическоймешалкой в течение 20 ч, затемфильтруют через систему фильтров.Полученную противоореольнуюантистатическую композицию наносятна триацетатцеллюлозную подложкуна машине дополнительной обработкиосновы,Результаты испытаний изготовленной таким образом основы в предлагаемой композиции представленыв табл.1На обратную сторону основы наносят обычным способом эмульсионныйслой для получения цветной негативной кинопленки.П р и .м е р 3....

Номер патента: 1785048

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Литвак, Моисеев, Чарыков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, гетероэпитаксиального, индия-алюминия, наращивания, основе, раствора, слоев, твердого

...А 1-ЗЬ, Использование эвтектики позволяет перейти от гомогенного расплава к безградиентной твердой фазе и, таким образом, получить, далее, беэградиентный четырехкомпонентный расплав ойределенного состава, Отсутствие Однородности именно в твердой фазе не позволяло ранее получать гетероэпитаксиальные слои твердого раствора п-А 1-Аз-ЗЬ, Только используя эвтектический сплав А 1+ ЗЬ, авторамвпервые в миреудалось получить их,Нагрефй интервале 900 С Т1000 С позволяет получить полнестью гомогенный расплав. При Т900 С затруднено равноМерное перемешивание компонентов в жидкой фазе йз-за диффузионных ограничений, Повышение температуры увеличивает скорость перемешивания, но при Т1000 С резко возрастает давление пара ЗЬ над расплавом, что ведет...

Номер патента: 501087

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Григорьев, Довнар, Трусов

МПК: C21D 1/78

Метки: биметаллических

...штамповкц заготовку охлаждают до температуры относительной устойчивости аустенцта плакирующего материала и выдерживают прц этой температуре в течение времени, необходимого до полного превращения аустенцта основного металла, Выбор температуры и времени выдержки осуществляют в зависимости от составов плакцрующего ц основного материалов на основе диаграмм цзотсрмического распада пере501087 Формула изобретения С:остап Гель Г, Шевченко Коррскгор Т, Добровольская Техред Т, Курилко Редактор А. Купрякова Заказ 62011-1 Изд. М 1081 Тираж 053 Подписное Ц 1-1 ИИПИ Государственного комитспа 1 лвс,а Министров ССС;Р по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раунскп наб, д 1 5Типография, пр. Гапунова, 2 охлажденного аустенита, В...