Кожухотрубчатый теплообменник

Номер патента: 558701

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Лобанов, Марголин, Рубин, Табэрэ

МПК: B01J 8/44

Метки: аппарата, газораспределительная, кипящего, решетка, слоя, цилиндрического

...и упорные прутки, между которыми свободно размещены концы колосников.Распорные элементы выполнены в виде скобыс толщиной, равной шипине щели между колосниками, и расположены в шахматнш 4 порядке.Кроме того, хомуты скрейкой при помощи распор о шплинтом.На фиг. 1 схематично изображена предлагаемая решетка общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 3.; на фиг. 3 - разрез Б-Б на фиг. 1.Газораспределительная решетка цилиндрического аппарата 1 кипящего слоя содержит колосники 2, распорные элементы (скобы) Э, толщина которых равна ширине щели между колосниками 2, профильные рейки 4, хомуты 5, расцорные клинья 6 со шплинтом 7, упорный пруток 8, опорные балки 9, опорный пруток 10, кронштейны 11 и короткие прутки 12.Прэфильные рейки 4...

Номер патента: 930382

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Иевенко, Кожухарь, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, решетки, цилиндрических

...полеНо, и сканирующий узел 5, позволяющий перемещать образец 6 относительно плоского высокочастотного контура 1, который плотно прилегаетк поверхности диска образца 6 состороны исследуемой ТИП,Определение напряженности поляколлапса решетки ЦМД протекает следующим образом.Образец 6 занимает исходное положение в кювете сканирующего узла 5.Высокочастотный контур 1 вводитсяв начальное положение отсчета сканирующего узла 5. Обычно площадь контура выбирается равной площади чйпазапоминающего устройства (ЗУ), Если необходимо аттестовать образец в це.лом, выбирают контур площадью10 -10 мм , равной площади исслед 4дуемого образца. Для аттестации пленки на однородность контур должениметь меньшую площадь ( 1 мм ).В зазоре полюсных наконечников3...

Номер патента: 1085846

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Астра, Воронов, Жаворонков, Кузьмичева, Минабудинов

МПК: B29C 65/54, B29C 65/70, B29C 65/78, B29D 22/00

Метки: днищами, замкнутых, плоскими, полых, цилиндрических

...меньшим основанием к торцу оправки, а средство для приклейки и опрессовки днищ выполнено в виде опрессовочного стакана, смонтированного с воэможностью аксиальногоперемещения и охвата рабочего торцасборочной оправки, и установленногона внутренней боковой стенке стакана упругого тороидального элементадля взаимодействия с опрессовываемойповерхностью заготовки.При этом упругий тороидальный элемент выполнен полым,Помимо этого, сборочная оправкаустановлена на поворотном столес центральной стойкой, а устройствоснабжено смонтированным на центральной стойке стаканом для центрированной подачи днищ к сборочной оправке,выполненным с кольцевым опорнымвыступом на внутренней боковой стенке и установленным с воэможностьюаксиального...

Номер патента: 1714343

Опубликовано: 23.02.1992

Автор: Куликов

МПК: G01B 11/02

Метки: полых, формы, цилиндрической

...шагом, равным отношению скоростей поступательного Чо и вращательного ь движений, а внутренней поверхности - вид винтовой линии с полем обзора, равным внутреннему диаметру очередного контролируемого изделия 19.Другую часть светового. излучения 1 источника 1, прошедшую зеркало 2 без отражения. в виде светового пучка 2 отражают зеркалом 3 в сторону интерферометра 8 перемещений, Посредством дифракционной решетки 9 интерферометра из пучка 2 формируют кроме пучка 12 нулевого порядка+1два световых пучка 12 и 2 первого порядка дифракции, значение оптической длины пути одного из которых (на фиг.1 пучка 2 ) связывают с пространственным положением общей вершины 0 конических поверхностей Рз и Р 4, Этоо достигают жестким соединением с линзой 7...

Номер патента: 881857

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Змеева, Ломов, Ходосов, Хребтов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, магнитоодноосных, материалах, решетки, формирования, цилиндрических

...Формула изобретения 23-1500 С для эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки состава(В 1 Т, ) (Реба)011. Решетка Всформированная посредством использования суперпоэиции двух магнитных. полей Н и Н направленных вдоль осилегкого намагничивания (ОЛН) доменосодержащего материала при 23 фС, принагревании стабильно существует лишьдо 60 С (участок В на Фиг.1) . Далее, в узком температурном интервале 1-5 С происходит распад решеткина блоки, сохраняющие первоначальнуюструктуру и страйп-структуру междуними,При Формировании указанными действиями при 60 С образующаясяЦМД-решетка В,1 имеет меньшую постоянную решетки 4 при меньших диаметрах ЦМД.Эта решетка статически стабильна винтервале температур от 23 до 100 С,при которой происходит ее распад на 2...