Устройство для заряда и разряда химического источника тока

Номер патента: 1818981

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Варданян, Гуюмджян, Рштуни

МПК: G01R 31/26

Метки: базе, заряда, неосновных, носителей, параметров, транзистора, электрофизических

...в зависимости от магнитного поля, а 1, поддерживаетсяпостоянным):в 21. 1гг фВсоя (и В),ст г К(Г)(4)Из отношения выражений (1) и (3)получают подвижность ННЗ1 ви = - агссоя(В В ).гВ ст ст(5)а из выражений (2) и (4) - время жизниННЗ в базе транзисторав вВ В И - Уст ст т ттв вВ -В ы ыст ст т т(6)Имея значения,и и г, рассчитывают диффузионную длину ННЗ по формуле-- итгде 1. - диффузионная длина ННЗ.На чертеже представлена структура контролируемого транзистора в магнитном поле.П р и м е р, Измерения времени жизни, подвижности и диффузионной длины ННЗ в базе проводились для мощных транзисторов ТК-63, ТК-100 и ТК-63, Результаты измерений сведены в таблице. Там же приведены значения ти и Е, рассчитанные по формулам (6),(5) и (7)...

Номер патента: 951589

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Заверюха, Матвеев, Михаэлян, Смирнов

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...пятого транзисторного ключа 15, соединен с коллектором шестого ключа 18, база которого через резистор 19 соединена с базой первого ключа 4.Устройство для управления силовым транзистором работает следующим образом.Транзисторные ключи 4 и 8, резисторы 6 и 10 образуют схему бистабильного ключа в цепи положительного тока управления, который может находиться либо во включенном состоянии (транзисторы находятся в режиме насыщения), либо в выключенном (транзисторы находятся в режиме отсечки). Ключ в цепи отрицательного тока управления выполнен аналогично.При подаче на резистор 12 отрицательного импульса от генератора 14 транзисторный ключ 9 открывается и по цепи положительной обратной связи открывает транзисторный ключ 5, причем процесс...

Номер патента: 1067591

Опубликовано: 15.01.1984

Автор: Уманский

МПК: H03K 3/53

Метки: импульсный, модулятор

...выход 12синхронизатора 13, ограничительныйрезистор 14, второй выход 15 синхронизатора 13 и резистор 16,В модулятор введены разделительные диоды 17 и 18, защитная цепь всоставе диода 19 и дополнительныхобмоток 20 и 21 у зарядных дросселя3 и трансформатора 1, а также регулирующее устройство 22.35Регулирующее устройство 22 содержит стабилитрон 23, резисторы 24 и25, ключевой транзистор 26, однопере.ходный транзистор 27, интегрирующуюцепь 28 (выполненную,например, в 40составе индуктивности 29, резистора30 и.конденсатора 31) и разделитель 1ный трансформатор 32 с первичной,вторичной и дополнительной обмотками33,34 и 35 соответственно, а также 45пороговый элемент 36 (например,ввиде диода 37 и стабилитрона 38). Первичная обмотка 2 зарядного...

Номер патента: 270789

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Музюкин, Проектно, Техники, Центральный

МПК: H03K 3/28

Метки: одновибратор

...напряже ребления энерг одновибратора, ом, подключен ереход эмиттер а которого сое и входного тра При возникновении про ния в момент формировани ла длительность последнег при возникновении выброс 0 так как в первом случае к заряжается от более низк во втором - от более высо к величине напряжения ко ния.вала в цепи питая выходного сигнао увеличивается, а а она уменьшаегся, онденсатор 7 переого напряжения, а кого по отношению ллекторного питаазана схема предлагаемог На чертеже п одновибратора.В исходном с а транзисторы 2 реходе коллекто ние напряжениявольта. Для предотвращения ити формируемого импульподключена через диодистора 1.При подаче входного и транзисторыты, при этер транзистет нескольк.закрыт,и на пера паде- десятых менения...

Номер патента: 572906

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Большаков, Пронин, Прушинский, Савлук, Удовик, Федоров, Филиппов

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, тактовых, формирователь

...33 и 39 открыты и насыщены, На выходе 43 устанавливается высокий уровень напряжения, при этом ток в базу транзистора 39 проходит через резисторы 34 - Зб от вспомогательного источника питания шины 38. Транзистор 40 находится в области инверсного насыщения, При поступлении на вход 42 положительного входного импульса вследствие различного порога срабатывания входных диодно-резисторных переключательных цепей 5 - 8 вначале включаются транзисторы 1 и 2, а затем - последовательно транзисторы 3 и 4.Коллекторным током транзисторов 1 - 3 закрываются последовательно транзисторы 32, 33 и 39, а за счет коллекторного тока транзистора 4 формируется срез на входе 42. Во время действия на входе 42 высокого уровня напряжения на выходе 43 поддерживается...