Устройство для регулирования несимметричного напряжения

Номер патента: 171449

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Андрианов, Виньш, Вычислительной, Институт

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, нараметров, туннельных

...4 блока 1, Прп достижении протекающим через диод 2 током значения 1 пах происходит переключение туннельного диода в состояние высокого напря. жения. Перепад напряжений подается на блок 9 формирования и усиления импульсов. Сфор. мированный импульс поступает на блок 10 управления, включающий реле времени 11, через которое сигнал подается на блок 8, и останавливающий источник входного напряженияблока б. Одновременно постоянное напряжение через коммутатор 12 подается на электронный цифровой вольтметр 13, который снабжен печатающей приставкой 14, регистрирующей значение токов 1 х. Для контроля работы вольтметра 13 служит прецезионный вольтметр 15.Аналогично измеряется значение 1;,; только в этом случае напряжение, подаваемое на зажимы...

Номер патента: 184521

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Галецкий, Любович

МПК: H03K 19/10

Метки: диодах, диоде, заряда, логический, накоплением, не-или, туннельных, элемент

...на ко подаются импульсы установки в ноль. м зг ику итемвост диод мленторо ннельном диодеюй импульс пеИзвестны логические элементы НЕ - ИЛИ на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда, содержащие запоминающую ячейку и выходной формирователь,Предложенное устройство отличается от известных тем, что туннельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которое подаются импульсы установки в ноль. Это позволило повысить помехоустойчивость элемента путем устранения паразитного накопления заряда и помехи обратной связи, а также повысить надежность и упростить устройство, применив для обеспечения однонаправленной передачи информации только две последовательности управляющих импульсов.На чертеже...

Номер патента: 244412

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Дубов, Панов

МПК: H03F 3/12

Метки: диодах, туннельных, усилитель

...и б и характеристикипо,казал, что кочески постоянен в стоты,до частоты, ремени КС-исполь.Верхняя граничжет достигать неолее. 11 редмет изобретения с - сопротивление стора;с - индуктивность мента; согласующего рези- согласующего эле Усилитель на туннельных диодах, содержащий несколыко каскадно вчключенных Г-образ-. ных диодно-реактансно-резистивнь 1 Х ячеек,Известны многокаокадные усилители бегущей. волны на туннельных диодах, содержащие диодно-реактансно-резистивные ячейки.Предлагаемый усилитель отличается от иавестных тем, что,последовательная ветвь каждой ячейки образована туннельным диодом, апараллельная - последовательно соединенными катушкой индуктивности и резистором,Это расширяет дианазон частот и улучшает устойчивость...

Номер патента: 449342

Опубликовано: 05.11.1974

Автор: Хитрово

МПК: G05F 1/56

Метки: диода, работы, режима, стабилизации, туннельного

...диод, зашунтировапный конденсатором, - к точкесоединения соответствующего полюса источника питания с одним из электродовтуннельного диода, через первый резисторк другому полюсу источника питания и через другой резистор - к коллектору второ-го транзистора, база которого подключенанепосредственно к коллектору первого транзистора и через третий резистор - к точкесоединения первого резистора со вторымполюсом источника питания, а эмиттер вто-рого транзистора подключен через стабилитрон к указанной точке соединения,Па чертеже представлена принципиальная схема устройства стабилизации режима работы туннельного диода, которое содержит стабилизируемый туннельный диод 1, транзистор 2, транзистор 3, тип проводимости которого противоположен типу...

Номер патента: 475691

Опубликовано: 30.06.1975

Автор: Коротков

МПК: H01B 5/14, H01L 23/02

Метки: диода, патрон, туннельного

...генерации достигается выполнением контактных элементов в виде колпачков с винтовой нарезкой, установленных ца металлических вкладышах, между которыми размещена токопроводящая шайба, отделенная от одного из вкладышей диэлектрической прокладкой.На чертеже изображен описываемый патдиода в схему, вып3 с винтовой нарезкталлических вкладыудерживаются в обоконтакт между вклада обеспечивается вшами размещена швкладыша 4 диэлекОбкладками кондедиод, служат шайбаАналогично можедля диода, которыйной генерации шунтсопротивлением. тзоб ет Предметр енияПатрон для туннельного диода, выполненный в виде цилиндрической обоймы, с противоположных сторон которого размещены коц- О тактные элементы, служащие для включениядиода, о т л и ч а ю щ и й с я...