Усилитель на туннельных диодах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельствал. 21 а-, 18/08 Заявлено 22.Ч 1.1967 ( 1174878/26-9 с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 28 Ч.1969. Бюллетень18Дата опубликования описания 9.Х.1969 ПК Н ОЗЕ Комитет по деламаобретений и открытийпри Совете Министров ДК 621.375.121: :621.375,4 (088.8 Авторыизобретения А. Е. Панов и В. В. Дубов Московский ордена Ленина энергетический ииститЗаявитель р.з 1 ЮСИЛИТЕЛЬ ЙА ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДАХ туннельного С - емкость р-п-,переходдиода;- сопротивление нагру Л - дифференциальноетуннельного диода, тивление каскада ра пию нагрузочки. ки;сопротивление холодное сопроно сопротивлеВсле частот ществе извести усилит дствие токаскадаоно большого, то пль более Анализ формы частотно многокаскадного усилителя эффициент передачи практи диапазоне от нулевой ча определяемой постоянной в зуемых туннельных диодов. ная частота усилителя мо околыких сотен мегагерц и б и характеристикипо,казал, что кочески постоянен в стоты,до частоты, ремени КС-исполь.Верхняя граничжет достигать неолее. 11 редмет изобретения с - сопротивление стора;с - индуктивность мента; согласующего рези- согласующего эле Усилитель на туннельных диодах, содержащий несколыко каскадно вчключенных Г-образ-. ных диодно-реактансно-резистивнь 1 Х ячеек,Известны многокаокадные усилители бегущей. волны на туннельных диодах, содержащие диодно-реактансно-резистивные ячейки.Предлагаемый усилитель отличается от иавестных тем, что,последовательная ветвь каждой ячейки образована туннельным диодом, апараллельная - последовательно соединенными катушкой индуктивности и резистором,Это расширяет дианазон частот и улучшает устойчивость усилителя,10На чертеже изображена принципиальнаясхема предлагаемого усилителя.Он содержит туннелыные диоды 1, сопротивление нагрузки 2, согласующие элементы -резистор 3 и индуктивность 4, батарею смещения б и источник входного сигнала б с внут.ренпим сопротивлением 7.Для подачи напряжения смещения на туннельные диоды в усилителе,использованы ба;тареи, имеющие различные э.д,с, Способ подачи напряжения смещения может быть различным,Доказано, чтс - 25 о,при соблюдении равенспиЛ. 1 - "; г,=сл го, что диапазон усиливаемых предлагаемого усилителя суе диапазона частот каскада редлагаемый многокаскадный стабилен, чем известные.244412 отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона частот и улучшения устойчввости усилителя, последовательная ветвь каждой ячейки ооразо 1 вана туннельным диодом, а параллельная - последовательным соединением катушки индуктивности и резистора. Составитель М. Порфиров дактор А. Бер Техред Л. Я. Левина
СмотретьЗаявка
1174878
Е. Панов, В. В. Дубов Московский ордена Ленина энергетический институт
МПК / Метки
МПК: H03F 3/12
Метки: диодах, туннельных, усилитель
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-244412-usilitel-na-tunnelnykh-diodakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Усилитель на туннельных диодах</a>
Предыдущий патент: Реверсивный усилитель класса д
Следующий патент: Усйлйтель-расши1рйтель импульсоб
Случайный патент: 825676