Полупроводниковый прибор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 345210
Авторы: Австри, Иностранец, Сименс
Текст
3492 Ю ОПИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕНИЯК ПАТЕНТУ Союз Советских Социалистических Республикависимый от патента Х Заявлено 04,Х 11,1968 ( 1288163(26-25)Приоритет 02.И 11.1968,Р 1764773.3, ФР 11 1(0 Комитет по делам зобретений и открытийпубликован ори Совете Министров СССР972 Дата опубликования описания Автор зобретения Иностранец Манфред Чермак(Австрия) Иностранная фирма Сименс АГаявите ОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБО а фиг,2 - 4, 5 - сое- тетизируюИзобретение относится к полупроводниковым приборам.При герметизации полупроводниковых приборов широко применяются корпуса, в которых между металлическим основанием и 5 электрическим выводом имеются пластмассовые элементы.Когда прибор работает в условиях частых и резких изменений температуры, нарушается соединение между металлическими и 10 пластмассовыми деталями.Для устранения этого недостатка предлагается детали корпуса, соединяющиеся с пластмассовыми элементами, выполнять из металлокерамического сплава хотя бы в тех местах, 15 где они прилегают к пластмассовым элементам. Предпочтительнее же такие детали выполнять целиком из металлокерамического сплава.Для металлокерамического сплава можно 20 применять металлы и сплавы, пригодные для контактирования с полупроводниками, такие как железо, никель, медь, серебро, молибден, вольфрам.Необходимым требованиям отвечает, на пример, сплав, содержащий в металлический основе медь 30 - 70% и железо 70 - 30%,Пластмассовые элементы корпуса выполняют из термопластической массы, например, на основе эпоксидной смолы.На фиг. 1 показан предложенный полупроводниковый приоор, вид сверху; нто же, разрез по А - А; на фиг. 3,динение корпуса и вывода с герпщей пластмассой, варианты.Деталь 1 корпуса из металлокерамического сплава выполнена со сквозным отверстием 2 прямоугольного сечения в центре и рифленисм 3 снаружи. В сквозном отверстии укреплен полупроводниковый элемент, содержащий полупроводниковое тело 4, например из монокристаллического кремния, с р-п-переходом, соединенное слоем мягкого припоя 5 с электродами б и 7, изготовленными, например, из меди. Боковые поверхности полупроводникового тела защищены слоем лака 8.Полупроводниковый элемент связан с одной стороной 9 отверстия через электрод б и слой мягкого припоя 5. Электрод 7 соединен с выводом 10 также через слой мягкого припоя 5. Пружина 11 опирается на нажимной изолятор 12 из керамического материала. Нажимной изолятор прилегает к выводу 10.Пространство между полупроводниковым элементом и деталью 1 корпуса заполнено пластмассой 13, которая вместе с деталью349210 Составит Г. Корнилова 3. Тараненко едактор Т, Орловска Корректор В. Жолудева аказ 2676/18ЦНИИПИ Комитета Изд.1156лам изобретенисква, Ж, Рау Типография, пр. Сапунова, 2 корпуса полностью закрывает полупроводниковый элемент, Пластмасса может быть залита, вбрызгана Йли впрессована и проникает при этом в поры детали корпуса и токоподводящей детали,На фиг. 1 паяные контакты стабилизированы пружиной. Она не всегда необходима, так как пластмасса обеспечивает достаточное давление в местах пайки.Полупроводниковый элемент может быть установлен в чашеобразной детали 1 корпуса (см. фиг. 3).Деталь 1 корпуса (см. фиг. 4) представляет собой плоскую плитку, на которой расположены полупроводниковые элементы или другие конструктивные детали и которая является таким образом сборной шиной. На фиг. 5 представлена конструкция таблеточного типа, которая может быть выполнена как с прижимными, так и с паяными контактами.5 Предмет изобретения Полупроводниковый прибор, герметизированный пластмассой, содержащий полупроводниковую пластину, по крайней мере, с одним 10 р-гг-переходом, имеющую электрический вывод и установленную на основании корпуса прибора, отличающийся тем, что, с целью повышения его термоциклоскойкости и надежности, основание корпуса и/или электрический 15 вывод выполнены из металлокерамическогоматериала хотя бы в местах соединения с герметизирующей пластмассой. Тираж 406 Подписное открытий при Совете Министров СССР ая наб., д, 4/5
СмотретьЗаявка
1492039
Иностранец Манфред Чермак, Австри Иностранна фирма, Сименс ФРГ
МПК / Метки
МПК: C21C 7/10
Метки: полупроводниковый, прибор
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-345210-poluprovodnikovyjj-pribor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор</a>
Предыдущий патент: Установка для вакуумирования жидкого металлав ковше
Следующий патент: Способ нагрева металла
Случайный патент: Анализатор интервалов времени