Всесоюзная i “лтиш-1г; ш1с«д ___бнблиотена j
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик( 1603312/26-9) аявлспо ЗО.Х 1.19 с присоединениех аяакиПриоритетОпубликовано 06Дата опубликова Комитет по делам изобретений и открыт при Совете Министр СССР. В, Чесн оозова Заявител СПОСОБ ИЗГОТОВДЕИИ 1 ГЕРМЕТМИКРОПОЛОСТЛ Известны способы изготовления герметизирсва)иной микрополостн, содеркащей электроды лампы, путехг )га)ст)илього )гапыле)ния в вакууме герметипиру;ощей пленки на пленку с орик)ронпыми отверстиях)и, распопов(ейную 5 на враща):щейся в своей плоскости в процессе НРпьпения плоской подложке. 1 р)г этом пс перхгетру г(а)(дсго Отвдрстия )парастает козыре)к, постенецно перекрывающий отверстие в пленне и образу)с)ц)г)кг вакуухиьую 10 МИП(Р Ой 1 ОЛ О СТ Ь.Однако размеры полости, в плос)оости подложки пе могут быть большими, так как в гсротивногм случае необходима зна)ч)ительная толщина герметизнру)ощей )глебчики, Сов)ремеи .ная технология вакуумного напыления ограничи)вает этот размер одогим или неоколыки,ми микрсвсах)и, полость в гглоскости подлож)к)и может иметь только круглую форму, отношение диаметра полости к ее глубине не может 20 превышать 0,5 - 1,0 вследсттхие эффекта подпылений в отверстие при настильном напыле)нии гермст)и)зиру)сщей плснки и опасности, запрязнений материалом этой пленки электрсдов микрсп ах)пы, 25Цель изобретеггггя - ,повышение на)дежности герметизапии и упрощение технологин при получении ваюумной ми)крополос)и.Это достигается тег, что па обаст формирования микрополости наносят буферный 30 материал в количестве и по конфигурации, соответствующих объему и конфигурации будутщей хгикрополости, и слой гервтетизиру 1 О. щего материала на вс)о поверх)гость подложки с последующим тра)влениехг буферного слоя.Травление буферно(го слоя прсводят при пониженном давлениями газового травителя, после чело подлож)ку отжигают в высоком вап(ууме и папыляют упрочняющий слой герметизирующего хгатсриала.На фиг. 1 показана схема реализации сг)особа; на фиг. 2 - схема структурны после упрочнения.На подлоюк)у 1 (фиг. 1,а) напылением в ва)(ууме через трафарет на)носят буферны)г материал 2 в количестве и копфи)гурации, соответст)пующих необходимым объему и конф)игурации хгикрополост)и, затем на всю подлокку с учаспкагми буферяого материала - сг;лошиоп герметизирующип слой Толщина герхгети)зг)рующего слоя 3 выбирается небольшой, порядка 0,1 хткл.Г 1 ргг нагре)вании получетвной системы в атмо)сфере газового травителя, действующего только на буферный материал 2, молекулы травителя прони)кают сквозь тонкую пленку ге)рметизиругсщего слояи взаимодействуют с буферным материадсм 2. Молекулы, появившиеся г результате реакции, проходят341185 Предмет изобретения 1 Риг 1 Фиг 2 Составитель А. Мерман Техред 3, Тараненко Корректор С. Сатагулова Редактор И, Грузова Заказ 1933/10 Изд.814 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 сквозь герметизирующий слой наружу и улетучиваюгся, Герметичная полость 4 (фиг. 1;б) постепе 1 нно освобождается от буферного материи ал а.Механизм пронииновения молекул сквозь герметизирующий слой может быть разли 1 чным. При малой тодщяне герметизирующий слой обычно содержит сивозные поры размером не бодее единиц и деся-пков анвстрем и проникновение сквозь эги поры - наи 1 бодее вероятный механизм.Получено экспериментальное подтверждение такого проникновения,На сапфировой подложечке размещают слой молибдена, поверх него - слой рения толщиной порядка 0,1 мкм. Проводят травление системы при темпера 1 туре 400 - 500 С в агмосфере хлора при давлениии 10 -- 10 -мм Рт. ст. Толщина молибденового;поделан заметно уменышается, По окончани 1 и вытравливания буферлного материала из полости внутри нее содержится газ-гр авоитель под давлен,ием, равным давлерию снаружи,полости, Еслй наружное давление постепенно уменьшать, например, огкач 1 ивая газ-травитедь, давление внутри полости также снижаегся. Продолжая процесс, можно удалить весь газ-трав 1 и 1 тель из полости. Для того, чтобы обезопасить м 1 икрополость от повреждения и на;текания воздуха перед выносом на воздух, герметизирующий слой 3 целесообразно упрогнить, 1 например, напылением в 5 вакууме добавочного,сломя 5 необходимойтолщины (фланг. 2). 10 1. Способ изготовления ге 1 рметизи 1 рованноймикро 1 полости на подложечке, осноьанный на последователыном нанесенщи на подложечку слое 1 в материало)в, отличающийся тем, что, с целью повьипения надеж 1 ности герметизации 15 и,упрощения технолопии, на обла 1 сть формирования микрополости наносят буферный материал в количесгве,и по конфивурайии, соответст 1 вующих объему и конфипурации будущей микрополости, и слой гермегизирующего 20 материала на всю поверхность, подложки споследующим травлепием буферного слоя.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что,с целью подучения вакуумной микрополости, травление буферного слоя производят при 25 пониженном давлении газового травителя,после чего подлояку огжигают в высоком вакууме и напыдяют упрочняющ 1 ий слой гермегизирувщего ма 1 териала.
СмотретьЗаявка
1603312
В. В. Чесноков, В. Гайлес Н. А. Морозова
МПК / Метки
МПК: H05K 3/00
Метки: ___бнблиотена, всесоюзная, лтиш-1г, ш1с«д
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-341185-vsesoyuznaya-i-ltish-1g-sh1sd-bnbliotena-j.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Всесоюзная i “лтиш-1г; ш1с«д ___бнблиотена j</a>
Предыдущий патент: Квадрупольная магнитная линза
Следующий патент: Зондовое устройство для контроля электрических параметров интегральных схем
Случайный патент: Устройство для подъема и транспортировки грузов