Гайлес

Номер патента: 609144

Опубликовано: 30.05.1978

Авторы: Гайлес, Домахина, Сименштейн, Чесноков

МПК: H01J 9/02

Метки: автоэлектронным, катодно-сеточного, катодом, узла

...(пленка вольфрама) слоев. С помощью литографии в верхнем слое изготавливают отверстие, сквозь которое, используя слой металла в качестве защитного слоя, вытравливают отверстие в пленке изолятора, причем травление проводят до тех пор, пока не вскроется область подложки, большая по диаметру, чем отверстие в пленке металла. Образуется полость. На полученную структуру напыляют любым известным способом например напылением в вакууме или катодным распылением) пленку маскирующего слоя, например, окиси алюминия. Толщина маскирующей пленки должна быть меньше толщины изолирующего слоя. При напылении материал маскирующего слоя осядет по всей поверхности заготовки, в том числе и на дне полостей, образуя тем круглый островок, по форме и размерам...

Номер патента: 374677

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гаврюшкин, Гайлес, Домахина, Чесноков, Янина

МПК: H01J 1/304

Метки: автоэлектронный, катод

...механическим нагрузкам, а проводящая пленка - иметь толщину, достаточную для необходимой концентрации электрического поля у эмиттирующей кромки лезвия еличение механиченизковольтных авто 30 Авторыизобретения В. В, Чесноко 2При испытаниях предлагаемого автоэлектронного катода подтвердились высказанные выше предположения, однако катод работал нестабильно, имели место пробои вакуумного промежутка катод - анод, При этих пробоях развивалась вакуумная дуга, распространяющаяся по всей ширине лезвия катода, разрушая проводящую пленку и оставляя характерный след в виде ажурных узоров. В дальнейшем оказалось, что разрушение катода вакуумной дугой имеет место только при определенных толщинах проводящей пленки - не меньше определенного...

Номер патента: 341185

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гайлес, Чесноков

МПК: H05K 3/00

Метки: ___бнблиотена, всесоюзная, лтиш-1г, ш1с«д

...объему и конф)игурации хгикрополост)и, затем на всю подлокку с учаспкагми буферяого материала - сг;лошиоп герметизирующип слой Толщина герхгети)зг)рующего слоя 3 выбирается небольшой, порядка 0,1 хткл.Г 1 ргг нагре)вании получетвной системы в атмо)сфере газового травителя, действующего только на буферный материал 2, молекулы травителя прони)кают сквозь тонкую пленку ге)рметизиругсщего слояи взаимодействуют с буферным материадсм 2. Молекулы, появившиеся г результате реакции, проходят341185 Предмет изобретения 1 Риг 1 Фиг 2 Составитель А. Мерман Техред 3, Тараненко Корректор С. Сатагулова Редактор И, Грузова Заказ 1933/10 Изд.814 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж.35,...