Способ изготовления непроволочных резисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(71) Заявитель ое из неоргматериалавыполненну осится к технолцеталей и може и и изготовлен ала и наполсрецой. Над ения н глеродв на основев, наносимых из неорганич ц углом а 3 и 4,пленные в вание, выполненнодиэлектрическогозуется цлительнос ского атериала, характериью технологического металли- касаются ностью получения мощс малым разбросом по отивлений,ения - получение мощных лым разбросом по номиений. роцесс и труд сторов м сопр изобре снования,ния опреных номинЦел резист калам м про основание, ого диэлектт в жицоздействуют ыми электЭто достигается те выполненное из неорга рического материала, кую органическую сре на его поверхность им рическими разрядами.На чертеже предст Реализующая предлага ничес погружаюду и в а установка,способ. Изобретение от производства радио быть использовано зисторов,Известный спос водочных резистор содержащих веществ Опубликовано 30.10.80 Бюллетень Ф 40Дата опубликования описания 02.11.80 Г. А. Воробьев, Ю. П. Данилов и С. А. Не мский институт радиоэлектроники и электроннотехники 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕПРОВОЛОЧНЫ РЕ ЗИСТОРОВ2Основание 1, выполненн ническог о диэлектрического помещают в ванну 2, также из диэлектрического матери ненную жидкой органической поверхностью основания 1 по ней располагают цва электро представляющих собой закре изолирующих стержнях 5 и 6 ческие иглы, острия которых поверхности диэлектрическог Расстояние между точками ка деляется параметрами источника высоко го напряжения и составляет 1 4 мм.При подаче на электроды 3 и 4 импульсного напряжения в межэлектродном промежутке возникает электрический разряд, Он разрушает участок поверхнос ти диэлектрического основания между точками касания электродов, в результат чего образуется углубление, имеющее виц канавки, которая расположена вдоль прямой, соединяющей концы электродов. После образования канавки разряд раз3 34 вивается в жидкой органической среде. При этом происходит крекирование органическик веществ с выделением газообразных и твердык продуктов, например сажи, которая заполняет углубление между электродами, прочно спекаясь с расплавленной частью диэлектрика по каналу разряца и образуя сажевый мостик. Перемещение одного из электродов по поверкности основания приводит к тому, что сажевый мостик становится продолжением неподвижного электрода. Электрический разряд. развивающийся между движущимся, электродом и свободным концом токопровоцящего мостика, разрушает следующий участок поверхности и процолжение мостика, В резудьтате при равномерном движении электрода на поверхности диэлектрического основания образуется токопроводящий участок в виде ровной черной линии. Электрическое сопротивление единицы цлины токо- проводящего участка опрецеляется приходящимся на нее количеством импульсов высокого напряжения.Непроволочные резисторы, полученные этим способом, нацежны, так как спекшийся материал, являющийся продуктом соединения сажи с диэлектриком,1096 фмеханически прочно соединяется с основанием и его не удается отделить от негобез разрушения послецнего.В качестве циэлектрического основания может использоваться фарфор. керамика, плавленный кварц, различные сорта стекла; в качестве жидкой органической срецы - трансформаторное масло,Источник импульсного напряжения можетиметь следующие параметры: амплитудаимпульсов 80-120 кВ, длитедьностьфронта импульсов 10 4-10 5 с, частотаследования импульсов 100 Гц. Времяполучения токопроводящего участка зависит от номиналов резисторов и составляет2-5 с,Ф ормуда изобретенияСпособ изготовления непроводочнык резисторов на основе углеродсодержащик веществ, наносимых на основание, выполненное из неорганического диэлектричес- кого материала, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью получения мощных резисторов .с малым разбросом по номиналам сопротивлений, основание погружают в жицкую органическую среду и воздействуют на его поверхность импульсными электрическими разрядами. В
СмотретьЗаявка
1480481, 12.10.1970
ТОМСКИЙ ИНСТИТУТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
ВОРОБЬЕВ Г. А, ДАНИЛОВ Ю. П, НЕНАХОВ С. А
МПК / Метки
МПК: H01C 17/06
Метки: непроволочных, резисторов
Опубликовано: 30.10.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-341096-sposob-izgotovleniya-neprovolochnykh-rezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления непроволочных резисторов</a>
Способ импульсной обработки активированных диэлектрической присадкой электродов газоразрядных ламп искрового разряда
Номер патента: 1774390
Опубликовано: 07.11.1992
МПК: H01J 9/44
Метки: активированных, газоразрядных, диэлектрической, импульсной, искрового, ламп, присадкой, разряда, электродов
...критерию "новизна".Сравнение заявляемого решения нетолько с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники не позволяет выявить в них признаки,отличающие заявляемое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенныеотличияНа фиг,1 и 2 приведены экспериментально полученные зависимости среднегонапряжения зажигания (фиг.1) и нестабильности напряжения зажигания (фиг.2) от количества разрядных импульсов приобработке электродов, Зависимости получены при исследовании газоразрядной лампыФПС 0,045 и приведены для различныхЭНЕРГИЙ ОбРабатЫВаЮЩЕГО ИМПУЛЬСа Яоб:кривая 1 при Яоб = 2 Дж, кривая 2 приЯсб = 4 Дж. кривая 3 при Яоб = 10 Дж,кривая 4 при Яоб = 16 Дж, кривая 5 приЯоб = 24...
Способ определения скорости электрохимической реакции между твердой поверхностью электрода и электролитом
Номер патента: 556374
Опубликовано: 30.04.1977
Авторы: Борисова, Гухман, Кадер
МПК: G01N 27/48
Метки: между, поверхностью, реакции, скорости, твердой, электрода, электролитом, электрохимической
...и исключая затем влияние возникшего концентрационного перенапряжения, можно определить искомую величину с большей простотой и точностью, чем это было возможно раисе.556374 Примером электрода может служить изолированное кольцо толщиной 7, заделанное втрубу, заподлицо с ее стенками.После концентрации с(х, у) вблизи поверхности электрода при больших значениях числа Прандитля, характерных для рассматриваемого процесса описывается уравнением:дс дсдх ду 2где су, - скорость трения,т, - кинематический коэффициент вязкости,у - расстояние по нормали к поверхности электрода, 15х - расстояние от передней кромки датчика,Р - коэффициент диффузии.Кроме обычных граничных условийс (х, сс) .= сс = ( - оо, у) = с(2) 10 1(30гУ(7) 25 допустимо считать...
Устройство для контроля поверхности оснований резисторов
Номер патента: 286744
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Андреев, Антонов, Рожков
МПК: H01C 17/00
Метки: оснований, поверхности, резисторов
...служащее для раскладки штабиков ца годные и брак. Фотоэлектронный умножитель 15 служит для преобразования светового С 5 гнала в электрический.Цилиндрические детали навалом засыпаются в бункер 1 и из него по наклонному лотку 3 по мере расхода ссыпаются в заборник, где направляются и захватываются язычком трубки 6 заборника и через нее в вертикальном положении поступают в накопитель 7. Из накопителя детали поступают в пазы равномерно вращающегося диска 8 и перемещаются им в горизонтальное положение. При совпадении паза диска с щелью на кожухе 9 деталь по наклонному скосу паза диска 8 ц наклонной направляющей 10 выкатывается на консольные валики И манипулятора ц устанавливается между ними.Детали с габаритными размерами, большимп, чем...
Устройство для транспортирования заготовок оснований резисторов
Номер патента: 356701
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Садов
МПК: H01C 17/00
Метки: заготовок, оснований, резисторов, транспортирования
...ролики 20 и 21 для захвата нанизанных на спицу заготовок 22 резисторов. Шестерни 23, 24 и 5 пружина 25 обеспечивают синхронизацию вращения роликов 20 н 21 и мявкий зажим между ними заготовок.Профильные кулачки 9 и 10 установлены с зазором, обеспечивающим захват спицы ра бочими поверхностячи и ее подъем при их в,ращении.Для лучщего захвата спицы рабочие поверхности кулачков 9 и 10 имеют накатку.15Шестерни 11 и 12 служат лля синхронизации вращения ведущего 9 и ведомого 10,кулачков, причем шестерня И жестко закреплена иа одном валу,с кулачком 9 и служитдля передачи вращения шестерне 12, скрепленной с кулачком 10 и установленной в вырезе,кронштейна 13, посаженного свободнона ось 14,Пружинна 15 обеспечивает мягкий прижимведомого кулачка 10,к...
Устройство для нанесения покрытий в вакууме на керамические основания резисторов
Номер патента: 415338
Опубликовано: 15.02.1974
Автор: Гаильман
МПК: C23C 14/26, H01C 17/08
Метки: вакууме, керамические, нанесения, основания, покрытий, резисторов
...19, Внутри шлюзов 8 ц 9 расположены емкости 20 и 21, в которые подаются основания резисторов: перед загрузкой в барабан 2 из загрузочного приспособлсция 4 в емкость 20 при открытом затворе 22 ц после металлизации из барабана 2 в емкость 21 прц открытом затворе 17.Емкости 20 и 21 снабжены рычагами 23 ц24, служащими для поворачивания этих емкостей вокруг оси, проходящей вдоль емко сти. Такая конструкция шлюзов позволяет подавать основания резисторов при открытых затворах 16 и 25 в барабан 2 и емкость разгрузочного приспособления 5, Беличье колесо испарителя закреплено на основании 26 цспарителя. Основание испарителя после каждого цикла металлизации (прогрев спирали и испарение сплава) поворачивается ца угол 90-60. При этом к токоведущим...
Предыдущий патент: Система охлаждения судового оборудования
Следующий патент: Способ получения хлоропренового каучука
Случайный патент: Способ изготовления пространственного арматурного каркаса