Инжектор многозарядных ионов

Номер патента: 1565288

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Арбузов, Дектярев, Исаев, Рябчиков

МПК: H01J 37/317

Метки: имплантации, ионной

СПОСОБ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ путем периодического импульсного формирования плазмы с помощью вакуумно-дугового разряда на катоде, экстракции, ускорения ионов из плазмы дугового разряда, облучения мишени, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки за счет формирования совпадающих по глубине профилей распределения примесей, первоначально измеряют зависимость среднего заряда ионов пучка от тока дугового разряда, затем ток дугового разряда на катоде устанавливают в зависимости от соотношения массовых и порядковых номеров ионов пучка и атомов мишени так, что средние проективные пробеги ионов в мишени равны.

Номер патента: 146891

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Хейнц

МПК: H01J 3/04, H05H 7/10

Метки: инжекторов, ионов, источник, протонов, ускорителей

...магнитного поля линзы, что повышает надежность работы и удобство регулировки источника.На фиг. 1 изображен предлагаемый источник; на фиг. 2 - разрез по линии А-Б.Цифрой 1 обозначен радиально намагниченный кольцевой магнит из маниперма. В магнит введено кольцо 2, с помощью которого осуществляется водяное охлаждение магнита. К этому кольцу примыкает полюсный наконечник 3,Второй полюсный наконечник 4, образующий вместе с наконечником 3 линзу, соединен магнитопроводом, лишенным воздушных зазоров с наружным полюсом постоянного магнита. Необходимая электрическая изоляция между полюсными наконечниками 3 и 4, находящимися под различными электрическими потенциалами, достигается с помощью самого постоянного магнита, удельное электрическое...

Номер патента: 886699

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Гусев, Кузнецов, Нечаев

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтного, инжекторов, ионных, источников, питания, реакторов, термоядерных

...модуляторы к управляющим электродам зарядных ключей, выходы микропроцессора через модуляторы подключены к управляющим входам разрядных1 О ключей, а дополнительный выходмикропроцессора подключен черезмодулятор к зарядному ключу первойформирующей линии.Функциональная схема устройствавысоковольтного питания ионных источников инжекторов термоядерныхреакторов изображена на фиг. 1, нафиг. 2 - диаграмма выходного высо-ковольтного напряжения питания ион 20 ного источника,Устройство состоит из набораформирующих линий 1, 2, 3 и 4, ко-,торые через зарядные ключи иэ последовательно соединенных диодов 5,25 6, 7 и 8 и управляемых разрядников9, 10, 11 и 12, и общий зарядныйреактор 13 подключены к управляемому источнику 14 питания...

Номер патента: 1132726

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Галль, Дашук, Краснов, Кузьмин, Лукашенко, Николаев

МПК: H01J 37/08

Метки: ионов, источник, масс, основе, разряда, скользящего, спектрометрии

...превышает толщину стенки диэлектрика, Электроды могут быть выполнены с возможностью перемещения вдольоси цилиндрического диэлектрика, атокопроводящий заземленный элементвыполнен в виде цилиндра с наружнымдиаметром в 2-5 раз меньшим внутрен3 113него диаметра диэлектрика и расположен на внутренней поверхности диэлектрика по образующей так, что упомянутая образующая и образующая наружной поверхности диэлектрика, покоторой расположен один из электродов лежат в одной плоскости, приэтом диэлектрик выполнен с возможностью вращения вокруг оси,На фиг, схематически изображенпредлагаемый источник ионов, содержащий источник импульсного электрического питания 1, подключенный кэлектродам 2 и 3, разделенным разделительным диэлектриком 4, на...

Номер патента: 353531

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Зеликин, Щепачев

МПК: C02F 1/52, C02F 1/66

Метки: веществ, взвешенных, вод, высоким, двуокиси, кремния, содержанием, сточных, тонкодисперсных

...мг/л. Пример 2.К 1 лсточныхводдержащих 2,2 г/л взвешенных веществлая сажа), 2 г/л ЯоСО и 0,43 г/лЙа %добавляют 15 мл сточных вод хими 2+,чески осажденного мела (Са :взвесь = 1:520 Смесь каРбонизУют до пРевРащениЯ Йа 10 Зв г 1 аНО З и вводят при перемешивании5 мл раствора, содержащего 15,6 г/лГЕ(БОЕ) . Температура 35 С; рН 8,3,Через 2 час отстаивания кажущийся объем25 осадка 5%, а через сутки 1,5%, Жидкая фаза прозрачна (содержание взвешенных веществ менее 30 мг/л),Пример 3, 1 лсточныхвод, содержащих 2,5 г/л взвешенных веществ (белая сажа), 2,3 г/л НОСО и 0,3 г/л 5Й д 50 нейтрализуют 5%-ной Н 2 б О пофенолфталеину, вводят при перемешивании10 мл раствора, содержащего 55 г/лМС 1 (М Д; взвесь=1: 1 5), а затем10 мл раствора, содержащего...