Матрица запоминающего устройства

(и) 43569 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик) М. Кл. С 11 с 11 соединением заявки-осударственный комите Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий(43 лл 5) Дата опубликования описания 27.11.7 В, Мартынюк Авторыизобретени Г. Самофалов(71) Заявнтел Киевский ордена Ленина политехнический институтим, 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции О УСТРОЙСТВ(54) МАТРИЦА ЗАПОМИ Цель изобретения овышение техноло ошение матриць и чности ее изготов Изобретение относится к запоминающим устройствам,Известна матрица запоминающего устройства, содержащая сегнетопьезоэлектрическую пластину, на которую нанесены 5 управляющие электроды, объединенные проводящими полосками в соответствующие шины.Однако при ее изготовлении практическиисключена возможность применения методов планарной технологии, так как конструкция известной матрицы исютючает нанесение всех электродов на одну грань пластины. При этом весьма затруднительно точное взаимное раоположение взаимосвязанных электродов на различных гранях, осоьенно при малых геометрических размерах запоминающих элементов, когда незначительное смешение взаимосвязанных электродов может привести к существенному изменению параметров соб ственно запоминающего элемента, что накладывает ограничения на выбор минимальных геометрических размеров элементов, а следовательно, и на возможность ,увеличения быстродействия матрицы, 1 ж ления,Достигается это благодаря тому, чтоуправляющие электроды расположены наодной грани пластины, а управляющие шины изолированы друг от друга пленкамидиэлектрика в местах пересечения.На фиг. 1 приведена конструкция матрицы запоминающего устройства, вариант;на фиг. 2 - запоминающий элемент,Предлагаемая матрица содержит сегнетопьезоэлектрическую пластину 1, на которую нанесены управляющие электроды2-6. Все электроды - числовые 2, общие3, 4 и разрядные 5, 6 - расположены наодной грани пластины 1. Эти электродыпроводящими полосками объединены соответственно в управляющие числовые 7,общие 8, 9 и разрядные 10, 11 шины, Вданном варианте конструкции числовые шины 7 расположены в направлении, пересекающемся с направлением общих 8, 9 иразрядных 10, 11 шин. В другом варианте конструкции общие шины могут бытьрасположены в направлении, параллельном с направлением числовых шин, В местах пересечения на поверхности пластины шины разделены пленками диэлектрика 12. Для повышения технологичности матрицы пленки диэлектрика 12 наносятся на поверхность пластины в виде полос, причем по одной полосе на каждые два числа. Все шины 7-11 подсоединены к соответствующим контактным площадкам 13, В зависимости от последовательности технологических операций при изготовлении матрицы и требований, предъявляемых к разрядным и числовым шинам по ик входным емкостям, проводящие полоски числовых шин 7, а также разрядных 10, 11 и общих 8, 9 шин могут быть расположены как на поверхности слоев диэлектрика (см. фиг. 1) так и под ними. Итак если необходимо, чтобы шины имели малую входную емкость, о их располагают на поверхности пленок диэлектрика, диэлектрическая проницаемость которых значительно ниже диэлектрическойпроницаемости материала пластины 1.Участки материала между разрядными 255, 6 и общими 3, 4 электродами в данном варианте конструкции, числовыми 2 иобщими 3, 4 электродами в другом варианте конструкции продольно заполяризованыв одном направлении (направления вектора 30поляризации Р показаны на фиг. 2). Поляризация этих участков пластины является постоянной и не меняется в процессе работы матрицы, Матрица работает следующим образом, 35Запись информации осуществляется путем приложения напряжений поляризации кчисловым 7 и общим 8, 9 шинам, Приэтом участки материала между электродамивыбранного числа поляризуются так, что их 4 Онаправление поляризации соответствуеткоду записываемого числа. В остальныхзапоминающих элементах поляризацияучастков между электродами остается неизмени мой, 45В режиме считывания информации всеобщие шины 3, 4 подключаются к общей 4точке матрицы (на чертеже не показана). 1При этом на выбранную числовую шину 7подается импульс напряжения считывания,амплитуда и длительность которого выбирается таким образом, что действие импульса не приводит к изменению спонтаннойполяризации, а следовательно, не приводити к разрушению записанной информации.Поддействием импульса считывания участки материала межд соответствующими числовыми 2 и общими 3, 4 электродами деформируются, та деформацияпередаетсяна участки материала мекду разрядными5, 6 и общими 3, 4 электродами. В результате прямого пьезоэффекта на симметричных разрядных шинах 10, 11 по-,являются импульсы напряжения, Импульсы на обеих разрядных шинах в каждомразряде имеют противоположную полярность, Разнополярность импульсов определяется противоположным соотношениемзаданных направлений поляризации участков материала, расположенных между разрядными и общими, числовыми электродами по обе стороны от каждого числовогоэлектрода. А полярность импульсов накаждой разрядной шине определяется направлением поляризации участков материала между числовыми и общими (разрядными, общими) электродами выбранногочисла, установленного при записи информации,Предмет изобретенияМатрица запоминающего устройства, содержащая сегнетопьезоэлектрическую пластину, на которую нанесены управляющие электроды, объединенные проводящими полосками в соответствующие управляющие шины, о т л и ч а ю ш а я с я тем, что, с целью упрощения матрицы и повышения технологичности ее изготовле нияуправляющие электроды расположены 1 на одной грани пластины, а управляющие шины изолированы друг от друга пленками диэлектрика в местах пересечений.485499 Состгвнтеаь Н,Рудаков Корректор З,Тарасова Редактор Е.Гончар Техред Н,Ханеева ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытии Москва, 3035, Раушская наб 4 Предприятие сПатент, Москва, Г, Бережковская наб., 24 Заказ З 7/ Изд. а 1 дЗФ Тираяг 648 Подписное