283312

Номер патента: 847841

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Крюков, Маковий, Ус, Федоров

МПК: H01L 27/04

Метки: инжекционная, полупроводниковая, структура

...переклюцающего транзистора, базовый контакт расположен симметричнр относительно любой пары коллекторных областей, при этом продольная осевая линия инжекторной области параллельна линейному расположению коллекторных областей.На Фиг, 1 представлена инжекционная полупроводниковая структура, продольнй разрез; на фиг, 2 - эквивалентная электрицеская схема, реализуемая на инжекционной структуре.На подложке и+-типа 1 с контактом 2 в эпитаксиальном слое и-типа 3 20 сформирована базовая область 1, в пределах которой выполнены три линейно расположенные коллекторные области и -типа 5.+Поверхность структуры покрыта ди электрической пленкой 6, в которой созданы окна для контактной металлизации 7 к крайним коллекторным областям 5 и для контактной...

Номер патента: 507923

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Гимадов, Распутный

МПК: H03K 6/02

Метки: логических, уровней

...сигнала на входной шине 20 З 5 преобразователя высокий ( 2 в), то транзистор 5 переключателя тока закрыт, ток через резистор 8 течет в диоды 6 и 7. При этом ток инвертора 1 0 через транзистор 1 9 повторителя 2 поступает в базу транзисто ра 1 1 выходного каскада 1 и включает его. Напряжение на выходе преобразователя будет близким к напряжению на шине питания 15,45Во время действия фронтов входного сигнала перезаряжается форсирующий конденсатор 3. Для положительного фронта конденсатор 3 заряжается током эмиттера транзистора 1 9 повторителя 2. Следовательно, его 50 коллекторный ток и ток базы транзистора 1 1 выходного каскада во время положительного фронта входного сигнала значительно превышает эти точки в установившемся состоянии. Этим...

Номер патента: 1525562

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Варюхно, Воловик, Запорожец, Ференец

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковый, дефектоскоп

...и усилителя 18 опорного канала объединены и полки; енык выходу согласующего усилителя 8,выход автогенератора 2 соединен свходами амплитудного детектора 3 исогласующего усилителя 12.Двухконтурный автогенератор 2собран на полевом транзисторе, приэт м гхретоковый преобразовательвк.ючен в цепь затвора этого транзистора, а выходной сигнал снимается с второго контура, включенного в цепь стока полевого транзистора.Режим работы амплитудно-фазового детектора 17 определяется соотношением усиления опорного и сигнального каналов как 2: 1 для поддержания разности фаз, равной 4/2,между вектором вносимого напряженияот изменения зазора между преобразователем и контролируемым материалом и вектором опорного напряжения,Блок 14 сравнения предназначендля...

Номер патента: 1543531

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Макарук, Прокимов, Соколенко, Тертышный, Христофоров, Шмалий

МПК: H03B 5/36

Метки: генератор, кварцевый, управляемый

...последовательного резонанса кварцевого резонатора 15 и расширяет его резонансный промежуток,Включение кварцевого резонатора 15в базовую цепь первого транзистора 1уменьшает влияние параметров нагрузки на частоту и амплитуду выходныхколебаний. Первый конденсатор 9исключает влияние питающих напряженийна кварцевый резонатор 15, Второйконденсатор 10 обеспечивает повышенную температурную стабильность, Четвертый конденсатор 12 обеспечиваетнеобходимый режим работы на частотегенерации первого и второго транзисторов 1 и 2,В элементе 14 по фиг.1 включениепервого и второго варикапов 16 и 17последовательно с кварцевым резонатором 15 обеспечивает изменение частоты последовательного резонанса частотозадающей цепи. Катушка 18 улуч-шает линейность...

Номер патента: 641495

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Кочин, Слудников, Смурный

МПК: G11C 8/12

Метки: блоков, выборки, информации, памяти

...тому, что разброс и уход напряжений от температуры окружающей среды иа входах транзисторов, а так же на участках база-эмиттер будут влиять на амплитуду тока выборки, что снижает надежность работы устройства.Целью изобретения является повышение надежности устройства. Поставленная цель достигается тем, чтоустройство содержит дополнительный источиик литания и два транзисторных ключа, коллектор одного из которых подключен к положительному полюсу источника питания, база - к источнику опорного напряжения, эмиттер соединен с эмиттерами транзисторов второй группы транзисторов и через резистор - с коллектором второго транзисторного ключа; база которого подключена к соответствующей шине управления, а эмиттер - к отрицательному полюсу...