Мультивибратор на транзисторах

Номер патента: 515291

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Петров, Поляков

МПК: H04B 3/24

Метки: линии, односторонней, передачи, связи, сигналов, согласующее

...кабель),подключенную к входу приемного каскада 1 0Резисторы 5 и 7 соединены с плюсом источника питания 11,Устройство работает следу зщим образом,При переключении логических элементов2, 3 из низковольтного состояния на выходе в высоковольтное выходные транзисторыэтих элементов закрываются ц передающийкаскад 1 отключается от остальной части16устройства, Базовым током, задаваемымрезистором 5, открывается транзистор 6,и положительный перепад напряжения, равный напряжению источника питания 11 завычетом падения напряжения на резисторе 7ц напряжения коллектор - эмцттер транзиИстора 6, поступает по линии связи 9 навход приемного каскада 10 и переключаетего. Нагрузкой линии связи 9 служит входное сопротивление приемного каскада 10,как...

Номер патента: 843231

Опубликовано: 30.06.1981

Автор: Иванов

МПК: H03K 17/56, H05B 41/30

Метки: ключ, постоянного, тиристорный

...силового тиристора.На чертеже показана электрическая схема предлагаемого тиристорного ключа постоянного тока.Устройство содержит силовой тиристор 1, с помощью которого нагрузка 2 подключается через дроссель 3 к источнику питания. Для искусственного запирания силового тиристора 1 служит тиристорный мост 4 - 7 и конденсатор 8, Для сброса избыточной энергии, запасаемой в дросселе 3 служит трансформатор 9, у которого первичная обмотка через обратный диод 1 О соединена с дросселем 3, а вторичная через другой обратный диод 11 соединена со входом устройства.Устройство работает следующим образом В исходном состоянии все тиристоры и диоды закрыты, конденсатор 8 заряжен до напряжения питания с полярностью, указанной на чертеже (знаки без скобок)....

Номер патента: 866742

Опубликовано: 23.09.1981

Автор: Новиков

МПК: H03K 17/60

Метки: транзистором

...через диод 7 с ныводом электронного ключа 8, управляющий вход которого соединея с дополнительным выходом блока 9 управления. Второи вы 40 вод электронного ключа 8 соединен с шиной дополнительного источника питания +Е )Кроме того, имеются ограничительный резистор 10, диод 11, дополнитель ные диоды 12, 13 и конденсатор 14.Одноименные выводы обмоток трансформатора 3 обозначены точками.В момент времени йо с выхода блока 9 управления на базу транзистора 6 50 поступает импульс, насыщающий этот транзистор. Одновременно импульс, поступающий с дополнительного выхода блока 9 управления на управляющий вход ключа 8, отпирает этот ключ, Кон в 55 денсатор 14 быстро заряжается через диод 13 и резистор 10. После запирания в момент временитранзистора 6...

Номер патента: 930741

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Вельгуш, Лапкин, Марков

МПК: H04N 3/16

Метки: блока, выходного, защиты, каскада, пробоя, развертки, строчной, транзистора

...длительность, с , определяемой параметрами одновибратора 3.Импульс с одновибратора 3 поступает на базу транзистора 4 предвыходного каскада блока 5 строчной развертки, и результате чего защищаемый транзистор 2 запирается на время действия импульса. Импульс с выхода блока 1 поступает также иа Управляющий вход блока б блокировки питания.Управляющим входом блока б является управляющий электрод первого 40 45 триодного тиристора 15. Первый триодный тиристор 15 включается, приэтом через него протекает ток, достаточный для срабатывания максимальной токовой защиты источника 14 питаний, после чего напряжение на 50 входе блока б становится равньм нулю. Отсутствие напряжения на анодах триодных тиристоров 15 и 16 приводит к их выключению. Включение...

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...