Способ металлизации диэлектрических подложекв вакууме
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 275278
Автор: Хаскович
Текст
ПИСЗОБРЕ Союз СоаетскихоциалистическихРеспублик ИДЕТЕЛЬСТВУ К АВТОРСКО Зависимое От авт. свидеелста Ъд1290566/23-5) аявлено 16.Х 11.1 с присоединением заявки Приор ите МПК С 090 5/08УДК 621.793(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Сосете Министров СССРпублцковано ОЗХ 1.1970. Бюллетень ЛЪ 22ата опубликования описания 27 Х 1970 второбретеци Л. Хаськович аявит МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕ В ВАКУУМЕ дмет изобретен х под1 то,есецц С ВЬ 1. ц цо- ошно(у, ца аносят онглоПредлагаемый способ металлцзацци диэлектрических подложек в вакууме предназначается для нанесения металлических покрытий на ткани, стекло, пластмассы, бумагу и т. д.Известны способы металлизацип диэлектрц ческих подложек в вакууме 1 термцческое резистивное испарение, напыление с использованием электронного луча и т. д.). Недостатками этих способов являются низкая механическая прочносгь, плохая адгезия ц малая 10 сплошность нанесенного покрытия. Устранение этих недостатков ц является целью изобретения, что достигается предьарцтельным нанесением на исходную подложку путем термического испарения отдельных конгломера тов металла покрытия с образованием зародышевого подслоя, после чего нацесецныц подслой испаряют непосредственно на диэлектрике под действием потока заряженных частиц с плотностью тока О,1 - 10 1 а/с,т- в тече ние 0,5 - бО сек и затем на ссзародышевьп подслой наносят металл покрытия.Способ металлизацци диэлектрических подложек в вакууме состоит из нескольких операций. Сначала ца исходную подложку пацо сят термическим испарением зародышевый подслой, образованный цз отдельных конгломератов металлического цокрьпця. Желательно, чтобы толщина зародышевого цодслояоне превышала, например, ЗОА, Далее зародышевый подслой подвергают перецспаренцю непосредственно на подложке цод действием цотОка заряженных частиц (элсктроцов, положцтельцых и отрццательных ионов) с плотностью тока 0,1 - 10 лаал- в течение прцблпзцтельно 1 лия. Прц этом происходит удал:- цие газов с поверхности подложки благодаря пх цоццзаццц, ионизация частиц металла, которая значительно улучшает адгезп 1 о металла покрьтця к дЭлектрцескОЙ подло кке, а также изменение структуры зародышевого- подслоя, сопровождаемое снятием внутренних цапряжсццй и повышенпем механической прочности сплошностц покрытия.Далее па персцспареццый ссзародышевый подслой наносят металл покрытия, например, посредством термического испарения металла в вакууме. Способ металлцзаццц дцэлектрцческц. ложек в вакууме, от,исаощи 11 ся тем, целью обеспечения возможности нан металлического покрытия ца материал сокой диэлектрической пронццаемостью вышецця механической прочности, спл стц ц адгезци покрытия к дцэлектри сходную подложку предварительно н термическим испарением отдельные к275278 Составитель С. И. Симановский М% аРедактор Л, К, Ушакова Корректор Л. В. Юшина Заказ 3015/В Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4 у 5 Типография, по, Сапунова, 2 мераты металла покрытия с образованием зародышевого подслоя, после чего переиспаряют нанесенный подслой непосредственно на диэлектрике под действием потока заряжени ых частиц с плотностью тока 0,1 - 10 маслв в течение 0,5 - 60 сек и затем на зародышевый подслой наносят металл покрытия.
СмотретьЗаявка
1290566
В. Л. Хаськович
МПК / Метки
МПК: C09D 5/08
Метки: вакууме, диэлектрических, металлизации, подложекв
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-275278-sposob-metallizacii-diehlektricheskikh-podlozhekv-vakuume.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ металлизации диэлектрических подложекв вакууме</a>
Предыдущий патент: На основе алунда
Следующий патент: 275279
Случайный патент: Устройство жидкостного охлаждения ротора электрической машины