Патенты с меткой «подложекв»

Номер патента: 275278

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Хаскович

МПК: C09D 5/08

Метки: вакууме, диэлектрических, металлизации, подложекв

...частиц с плотностью тока О,1 - 10 1 а/с,т- в тече ние 0,5 - бО сек и затем на ссзародышевьп подслой наносят металл покрытия.Способ металлизацци диэлектрических подложек в вакууме состоит из нескольких операций. Сначала ца исходную подложку пацо сят термическим испарением зародышевый подслой, образованный цз отдельных конгломератов металлического цокрьпця. Желательно, чтобы толщина зародышевого цодслояоне превышала, например, ЗОА, Далее зародышевый подслой подвергают перецспаренцю непосредственно на подложке цод действием цотОка заряженных частиц (элсктроцов, положцтельцых и отрццательных ионов) с плотностью тока 0,1 - 10 лаал- в течение прцблпзцтельно 1 лия. Прц этом происходит удал:- цие газов с поверхности подложки благодаря пх...