Запоминающий элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 27416 Сова Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельствал, 21 а 1, 3 969 ( 1329045/18-24 аявлено 15. с присоединением заявки ЛЪПриоритет МПК б 11 с 13/00 Комитет по делам аобретений и аткрытий ри Совете Министров СССР4.Ч.19 О, Бюллетеньания описания 22.1 Х.197 Опубликован ДК 681.32.6(088.8 та опублик 1 вторызобретениявахотный мофалов, В Киевский Великой А. Манжело, Я. В. Мартынюк и Н, В. П олитехнический институт имени 50-лети ктябрьской социалистической революции Заявител АПОМИНАЮЩИй ЭЛЕМЕНТ 2 Известен запоминающий элемент, состоящий из двух сегнетокерамических секций с нанесенными на них металлическими электродами, которые подключены к генератору возбуждения и источнику импульсов записи, Наиболее тонкая (пленочная) секция поляризуется в направлении, определяемом заносимой в нее информацией, Такое устройство принципиально может обладать не более чем тремя устойчивыми состояниями, т. е. пригодно только для фиксирования и хранения двоично- илн троичнокоди ров анной цифровой информации,Цель настоящего изобретения - обеспечение надежного длительного хранения величин, представленных в аналоговой форме.Предложенный элемент отличается тем, что его секции выполнены переменной толщины и соединены так, что общая их толщина постоянна.Сущность изобретения поясняется чертежами. На фиг. 1 показан общий вид запоминающего элемента; на фиг. 2 - схема включения; на фиг. 3 - зона поляризации генераторной секции элемента при записи сигнала определенного уровня,Запоминающий элемент состоит из сегнетокерамической секции возбуждения 1 и секции генератора 2 с нанесенными на них металлическими электродами 8 - б. Секции выполнены переменнои толщины н соединены так, что общая толщина Н (см. фиг. 3) элемента постоянна. В такой конструкции электрод 8 расположен в монолите элемента наклонно. На 5 противоположные грани элемента нанесеныэлектрод возбуждения 4 и выходной электрод б. Со всеми электродами соединены проводники-выводы б, Секция возбуждения 1 жестко поляризована прн изготовлении элемента, 10 Секция 1, подключенная к генератору синусоидального напряжения Е 1 (см. фиг. 2), вызывает механические колебания в монолите элемента на резонансной частоте. Амплитуда выходного напряжения на резисторе К кото рое значительно больше выходного сопротивления запоминающего элемента 33, пропорциональна толщине Х (см. фнг. 3) сегнетоматер нала части секции генератора, поляризованной по предельному циклу петли гистере зиса, Значение толщины Х поляризованногосегнетоматериала находится в прямой зависимости от максимального значения напряжения источника Е импульсов записи. Источник Е и сопротивление нагрузки Й подключены к 25 выходному электроду 5 через элементы Е и Сразделяющей цепи. Аналоговую величину записывают в предварительно подготовленный элемент, и в дальненшем информация длительно сохраняется независимо от количества 30 обращений в режиме считывания.Я г Редактор Б. федотов Составитель А. Соколов Корректоры: А, Абрамова-- и М, Коробова аказ 2568/9 Тираж 480 ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий Москва; Ж, Раушская набПодписное Совете Министров СССР 5Типография, пр. Сапунова,Запоминающий элемент, содержащий пластинчатые сегнетокерамические секции с нанесенными на них металлическими электродами,подключенными к генератору возбуждения и источнику импульсов записи, отличающийся тем, что, с целью хранения аналоговой информации, секции элемента выполнены перемен ной толщины,
СмотретьЗаявка
1329045
К. Г. Самофалов, В. А. Манжело, Я. В. Мартынюк, Н. В. Плахотный, Киевский политехнический институт имени летй Великой Окт брьской социалистической революции
МПК / Метки
МПК: G11C 13/00
Метки: запоминающий, элемент
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-274161-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элемент</a>
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1079079
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1012704
Опубликовано: 27.05.1997
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1531170
Опубликовано: 23.12.1989
Автор: Семенов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...запоминающих устройств (ППЗУ),Целью изобретения является повыше ние коэффициента программирования ЗУ.На фиг. 1 представлен разряд конструкции элемента памяти, на фиг, 2его топология1 ОЭлемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой,образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрическийслой 4 с отверстием 5., 5Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования 2 О(записи информации в ППЗУ), Электроды3 служат для соединения перемычки2 с другими элементами накопителя(матрицы запоминающих элементов) исхем управления ППЗУ. Подложка 1 и 25слой 4 служат для крепления, защиты...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства и способ его изготовления
Номер патента: 1642888
Опубликовано: 23.09.1992
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...полупроводниковой подложки 1. Под дейст-вием высокой напряженности электричес-. кого поля во втором диэлектрическомслое 8 электроны инжектируются с ниж- ней поверхности по 3 икремнневых областей 9, туннелируют через Второй диэлектрический слой 8 и удаляются через области 5, 12 В результате .этого пороговые напряжения запоминающихтранзисторов становятся отрицательными, что эквивалентно единичному про водящему состоянию в режиме считыва" ния информации.3 режиме программирования информа" ции на Выбранную адресную поликремпиевую шину и выбранные разрядные диффузионные шины подают высокое положительное импульсное напряжение(12 В, 1 мс), На соседние разрядныедиффузионные шины и остальные адресные шниы подают нулевое напряжение,на...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства и способ его изготовления
Номер патента: 1655242
Опубликовано: 23.09.1992
Автор: Овчаренко
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...за счетвысокой напряженности стокового электрического поля выбранных запоминаю "щнх транзисторов "горячие" электроныинжектируются из каналов этих транзисторов, захпзтьгваются поликремнггевыми областями, чТо приводит к повьппению их пороговых напряжений. Этоэквивалентно нулевому непроводящемусостоянию в режнгге считывания информации,Состояния остальных невыбраниыхзапоминающих транзисторов сохраняются неггзлгенными из-за нулевого напряжеггия на адресных поликремниевыхплглах илп низкого напряжения на разрядных диффузионных шинах, в результате чего отсутствует инжекция "горячих" электронов в их каналах.В режиме считьвания информации иа,адресные поликремниевые шины и разрядные диффузионные гпины подают более низкое (5 В) напряжение...
Предыдущий патент: Термопластический носитель информации
Следующий патент: Пробойная установка для проверки электрической прочности изоляции защитных полос телефотгнгбтхстанций
Случайный патент: Способ получения гранулированного карбамида