265996

Номер патента: 116131

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Володин, Симкин, Фальков

МПК: B23Q 35/00, B27C 5/08, B27M 3/10

Метки: большой, деревянных, длины, копирования, наличием, объемного, сложной, тонких, формы, элементов

...формы со вставными регулируемыми ножами, Радиус образующей фрезы бочкообразной формы равен радиусу врагцаюцегося коппрного ролика, а ра,.- ПОЛО)КЕНИЕ ОСИ ВРаЩЕНИЯ фРЕЗ ПЕРПЕНДИКУЛЯРНО ОСИ ВРаЩЕНИЯ ПЗпЕ- лия. способа поясняется нижеследующей схемой. пиндельный узел с бочкообразной фрезой 2, уемые ножи, смонтированы на одном жестСущность описываемо Копирный ролик 1 и меющий вставные регулПредмет изобретения Способ объемного копирования деревянных изделий большой длины, сложной формы и с наличием тонких элементов, о т л и ч а ю гц и йс я тем, что, с целью получения оптимального режима резания и условий для каче"твенной обработки, используют принцип продольно- поперечного фрезерования (путем совмещения продольного перемещения...

Номер патента: 962546

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Белохин, Клоницкий, Стрельникова

МПК: E04G 21/12

Метки: арматурного, концевого, участка, фиксации, элемента

...в горизонтальных прорезях 4 вертикальных стенок рамы 5. В местахкрепления оси 3 к раме 5 имеетсяконтргайки 6. Верхняя горизонтальнаястенка рамы 5 имеет горизонтальнуюпрорезь 7 перпендикулярную прорезям4 для прохождения подвески 8, имеющейнарезку 9 и контргайки 10 в местахкрепления оси 8 и раме 5 и несущей конструкции 11, котораялюбым способом прикреплена к арматурным карка"сам или ,уже готовым конструкциям,Нижняя стенка горизонтальной рамы 5имеет сквозное отверстие 12.Горизонтальная ось 3 позволяетобеспечить определенный угол наклонацилиндра для размещения концевогоучастка арматурного элемента 1 в вертикальной плоскости, а контргайки 6зафиксировать это положение цилиндра.Прорези 4 и 7 позволяют ориентироватьцилиндр в...

Номер патента: 1277840

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Прохоров, Романова, Янсон

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.

Номер патента: 1155128

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Врублевский, Кадомский, Календин, Невзорова, Погоцкий, Полякова, Точицкий

МПК: H01L 21/66

Метки: литографических, размеров, слоев, элементов

Способ измерения размеров элементов литографических слоев, включающий формирование увеличенного изображения литографического слоя, измерение параметров увеличенного изображения и преобразование этих параметров в размер элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, перед формированием увеличенного изображения в литографическом слое выполняют голографическую решетку и наносят на его поверхность латексные сферы, увеличенное изображение литографического слоя формируют с помощью растрового электронного микроскопа, после чего проводят юстировку микроскопа по латексным сферам, а параметры увеличенного изображения измеряют по форме распределения видеосигнала, при этом определяют расстояние B, соответствующее размеру...

Номер патента: 1415476

Опубликовано: 07.08.1988

Автор: Бугаец

МПК: H05K 1/11

Метки: интегральных, контактирующее, кристаллов, монолитных, свч, схем

...в гнездо 8, образованное прямоугольным отверстием 3 и плоскостьюпьедестала. Кристалл накрывается элас.томерным разъемом 11 (фиг.1). При визуальном наблюдении с помощью микроскопа золотые контакты 13 совмещаютс контактными площадками на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4,и подается разряжение (форвакуум) . Это обеспечивает надежный электрический контакт экрана кристалла 14 с металлическим основанием 1, а также замыкание с помощью контактов 13 на пленке 12 соответствующих контактных площадок на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4, или выступом 2 на металлическом основании 1 (корпуса)После этого включаются питающие напряжения, подаются измерительные сигналы и производятся измерения соответствующих электрических...