Гиротахометр

Номер патента: 104886

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Дьяков

МПК: G01C 17/04, G01C 17/26

Метки: ведения, забоя, землесосного, папильонажем, прибор-датчик, снаряда

...ЛВтом;Пчсскогр;ц 1- чсцця поворота сцлрядл и соотвс- стВии с ЗЯДЯПОЙ 112 П 1)ППОЙ зл 05 и с целью лвтсмлтич(око о Ведсии ЗсООЯ В:ЛДсиЦо ЦЛИРЛВГСЦИИ, ;ВП)кки пс) цкллс рлздви лютя цл сотвстствукцций уг, л кцтлктц- уклз 1 тсл 1 иля стрсг 1 кл 1)лсп)г 11 лстС ХСЖДУ ЛВ И Ж Кс М И Ч С. 1 ТО т сскорс икялы, угог 1 котрог, О- рлзусмый дв;жклми, мсППс 180 1.1 ри папильоцлже, т. с. При повт- р 5 поих 51 пряВых и лсвых ПОВОр- ТЛХ СИЛ 1)ЯДЛ (ОИТЯКТЦО-) :.сЗсТЕ,Ь 1 с 51 С 1 Р СГ 1( с сс , С и 5 3 с 1Л Я С .Л 111ТИОИ СИСТСХ 10 Й, СГРСХИТС 51 ДСРЖс 1 Т 1 СЯ В ГЛОСКОСТЦ . сЗГЦ ИТИОГО 31(РИДИсп Ц с, я эгс 1(тричсс 1(ие 1(оитлкты;Вижков вместе со снарядом совсргцяют и- вороты вправо и влево, прц которых контакт стрелки 7 попсрсмсцю Взли - ходсЙствуст...

Номер патента: 557703

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Баранов, Горина, Достанко, Королев, Полякова, Савицкий, Чистяков

МПК: H01L 23/54

Метки: интегральных, материал, покрытия, полупроводниковых, приборов, проводящего, схем

...соединений типа А В, А Ви АВ, где А - металл платиновой группыф 60 4В - элемент ПВ или УВ группы: возможен также смешанный состав фаз, напри мер А В + АВ а также наличие промежуточных фаз, дефектных структур и т.д. Промежуточные фазы, в отличие от чистых ме. галлов, имеют свою электронную структуру и, в сэответствии с ней, другие межатомные расстояния, измененную решетку и, в конечном итоге, свой цвет металлического материала. При атом определяющим фактором являетсястроение электронных оболочек компонентов. Покрытие из такого материала будет иметь цвет, этличный от цвета исходных составляющих, его можно задавать выбором материалов и регулированием процентного содержания каждой компоненты, определяющего формульный состав и...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...

Номер патента: 1118854

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Заболотский, Подобрянский

МПК: G01B 11/26

Метки: бинокулярного, вокруг, изображения, оптических, осей, параллельности, поворота, прибора, проекционное, этих

...и плоским зеркалом, расположенным вне оптической оси между экраном с отверстиями, под углом к этому экрану с выходным зрачком системы. 40На фиг, 1 представлен главный вид.оптической системы устройства, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - вид экрана с отверстиями.Устройство содержит осветитель 1, диафрагму 2 с перекрестиями (не показаны), диафрагму 3 со штрихом (не показан), кол лиматорную линзу 4, систему входного 5 и выходного 6 плоских зеркал, экранс отверстиями, зеркало 8, проекционную линзу 9, экран 10.50Между коллиматорной линзой 4 и системой входного 5 и выходного 6 плоских зеркал укреплен испытуемый бинокль с возможностью поворота вокруг двух ортогональных осей, перпендикулярных оптической оси устройства, В...

Номер патента: 857704

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Заболотский, Кривовяз, Подобрянский, Хлебников

МПК: G01B 11/26

Метки: бинокулярного, вокруг, изображения, оптических, осей, параллельности, поворота, прибора, проекционное, этих

...линзой 4, каждой из трубок испытуемого бинокля 7 и проекционной линзой 5 на экране 6 служит мерой непараллельности оптических осей трубок бинокля. 5 1 о 15 20 25 зо 35 Обычно поле допуска для непараллельности определяется допусковым прямоугольником (фиг. 3).В случае параллельности оптических осей бинокля изображения 10 и 11 на экране 6 будут совмещены.Измерение угла поворота изображения бинокля по повороту изображения перекрестия на экране 6 не обеспечивает требуемой точности из-за малого радиуса перекрестия, который ограничен полем зрения проекционной линзы.Поэтому используется дополнительная диафрагма 3. Поскольку ход лучей в каждой из трубок бинокля идентичен, описание касается хода лучей только через одну трубку. Расстояние Ь от...