Симметричный мультивибратор на транзисторах

Номер патента: 255349

Автор: Мурза

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ255349 Союз Советскиа Социалистичесниа РеспуОлиа(088.8) Комитет по делам иаобретеиий и отнрытий при Совете МииистроаДата опубликования описания 18.111.1970 Авторизобретения В, И, Мурза Заявитель СИММЕТРИЧНЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРАХ Настоящее изобретение относится к области импульсной техники и может быть применено при генерировании импульсных периодических сигналов, скважностью которых необходимо управлять.Известен симметричный мультивибратор на транзисторах, состоящий из двух реостатноем костных плеч, снабженных цепями положительной обратной связи. Для управления скважностью такого мультивибратора базовый резистор одного плеча подключают к источнику управляющего напряжения. Управляющее напряжение изменяет начальные условия процесса релаксации, влияя тем самым на длительность и скважность генерируемого сигнала,Однако этот мультивибратор характеризуется малым диапазоном регулирования скважности. При изменении управляющего напряжения изменяется базовый ток управляемого транзистора при неизменном коллекторном токе. Изменение режима транзистора приводит к срыву колебаний. Отношение максимально допустимой скважности к минимальной не превышает 2 - 5. Кроме того, схема имеет малую крутизну преобразования напряжение - скважность,Целью настоящего изобретения является увеличение диапазона и крутизны регулирования скважности мультивибратора. 2%Эта цель достигается путем одновременного подключения базового и коллекторного резисторов одного плеча мультивибратора к источнику управляющего напряжения.На чертеже изображена схема мультпвибратора.Он выполнен на двух ключевых транзисторах 1 и 2, образующих плечи мультпвибратора. Коллекторныи резистор 3 и базовый ре зистор 4 транзистора 1 подключены к источнику управляющего напряжения Г, а коллекторный резистор 5 и базовый резистор 6 транзистора 2 подключены к источнику напряжения питания Е. Коллектор транзистора 1 со единен через конденсатор 7 с базой 8 транзистора 2, а коллектор транзистора 2 через конденсатор 9 - с базой 10 транзистора 1,В момент включения транзистор 1 илн 2мультивибратора из-за неизбежной асиммет рии схемы открывается, а другой закрывается. Предположим, что открыт транзистор 1, а транзистор 2 закрыт. Конденсатор 9 быстро заряжается через резистор 5 до напряжения Е. Это приводит к открыванию транзистора 2 25 и к короткому регенератнвному процессу всхеме, заканчивающемуся закрыванием транзистора 1 и насыщением транзистора 2. Время пребывания в последующем квазиустойчивом состоянии определяется перез ар ядом 30 конденсатора 9 от начального напряжения255349 Составитель Э. Фридолина едактор В. Кузнецов ехред Т. П, Курилк ректор Г. С. Мухи Заказ 516/18 Тираж 480 ПодписноЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий ври Совете Министров СССР Москва Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунов+Е через резистор 4 к предельному напряжению У. Процесс прерывается в момент открывания транзистора 1. В результате регенеративного процесса транзистор 1 открывается, а транзистор 2 закрывается. Длительность следующего квазиустойч иного состояния определяется перезарядом конденсатора 7 от начального напряжения +У до предельного напряжения - Е через резистор б, Пере- заряд происходит до момента открывания транзистора 2. Далее процесс повторяется.Изменение управляющего напряжения вызывает изМенение скважности генерируемого сигнала,"в то время как степень насыщения транзистора 1, определяемая соотношением коллекторного и базовых токов, задается соотношением резисторов 3 и 4 постоянно при практически любых величинах напряжения. Вследствие этого отношение максимально достижимой скважности к минимальной может быть доведено до 30 - бО. Дальнейшее увеличение ограничено лишь максимально допустимыми напряжениями применяемых транзн. стор ов.В описанном мультивибраторе по сравнению с известным крутизна преобразования напряжение - скважность увеличивается примерно вдвое. Предмет изобретения10 Симметричный мультивибратор на транзисторах с переменной скважностью, управляемой напряжением, в котором источник управляющего напряжения подключен через резистор к базе транзистора одного из плеч муль тивибратора, отличающийся тем, что, с цельюрасширения пределов регулирования скважности и повышения крутизны характеристики преобразования напряжение - скважность, источник управляющего напряжения одно временно подключен через резистор к коллектору упомянутого транзистора.

Смотреть

Заявка

1259193

В. И. Мурза

МПК / Метки

МПК: H03K 3/281

Метки: мультивибратор, симметричный, транзисторах

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-255349-simmetrichnyjj-multivibrator-na-tranzistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Симметричный мультивибратор на транзисторах</a>

Похожие патенты