Мультивибратор на транзисторах

Сова Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 21,Х.1969 ( 1368296/26-9 МПК Н 03 с 3/30 оединением заявкириоритет Комитет по деламобретений и открытири Совете МинистровСССР УДК 621,373.52(088,8. П. Карасев и Р. Х. Каримулл Заявите УЛЬТИВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРА 2 ра 30 моПредлагаемый мультивибратор может быть использован в различных импульсных устройствах радиоэлектронной техники в качестве генератора с повышенной скважностью генерируемых импульсов.Известны мультивибраторы на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, имеющие в качестве одного элемента связи конденсатор, а в качестве другого - резистор. Известные мультивибраторы генерируют импульсы прямоугольной формы с максимальной скважностью порядка 20,Однако известные мультивибраторы обладают ограниченной скважностью.С целью увеличения скважности генерируемых импульсов в предлагаемом мультивибраторе последовательно с конденсатором емкостной связи включен диод, анод которого соединен с конденсатором, при этом регулирование скважности производится резистором, включенным параллельно диоду.На чертеже дана схема предлагаемого мультивибратора,Мультивибратор выполнен с коллекторно- базовыми связями. Конденсатор связи 1 через диод 2, подключенный плюсовым выводом к конденсатору, соединяет коллектор транзистора 3, подключенный к минусу источника питания Ек через резистор 4, с базой транзистора 5, подключенной к минусу источника питания Ек через резистор б, Транзистор 5 включен винверсном направлении, Вторым элементомсвязи является резистор 7, включенный между базой транзистора 3 и эмиттером транзистора 5, соединенным с минусом источника питания Ек через резистор 8.Мультивибратор работает следующим образом,Конденсаторпериодически заряжается и10 разряжается. В стадии заряда транзистор 3закрыт, а транзистор 5 насыщен, Заряд происходит по цепи: плюс источника питания Ек,входное сопротивление транзистора 5, обратное сопротивление диода 2, конденсатор 1, ре 15 зистор 4 и минус источника питания Ек, Вре.мя заряда определяется обратным сопротивлением диода 2, которое можно регулироватьрезистором 9. По мере заряда конденсатора 1ток базы транзистора 5 уменьшается и в не 20 который момент времени принимает значение,при котором транзистор 5 после завершенияпроцесса рассасывания избыточных неосновных носителей в его базе выходит из насыщения.25 Вследствие этого возникает лавпнообразньшпроцесс, приводящий к насыщению транзистора 3 и запиранию транзистора 5.После этого начинается разряд конденсато 1 по цепи: обкладка конденсатора 1, пряе сопротивление диода 2, резистор б, сопро301827 Предмет изобретения Составитель Н. СтепановРедактор Т. И. Морозова Текред Л. А. Евдонов Корректор Н. Рождественская Заказ 1370/5 Изд.519 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 475 Типография, пр. Сапунова, 2 тивление источника питания Ек, сопротивление, эмиттер, коллектор транзистора 3, обкладка конденсатора 1. Время разряда определяется величиной сопротивления резистора 6, которая при инверсном включении транзистора 5 на порядок ниже, чем при прямом включении. Наряду с зарядом конденсатора 1 через обратное сопротивление диода 2 уменьшение величины сопротивления резистора 6 увеличивает скважность генерируемых импульсов,По мере разряда конденсатора 1 изменяется базовое напряжение транзистора б в сторону меньших положительных значений, В неко. торый момент времени это напряжение достигает величины, при которой транзистор б открывается.В следующей стадии оба транзистора открыты, и процесс опрокидывания развивается лавинообразно. В результате транзистор б пере ходит в насыщенное состояние, а транзистор 3 - в закрытое,Далее процессы повторяются. Мультивибратор на транзисторах с резистивной и емкостной коллекторно-базовыми связями, один из транзисторов которого включен в инверсном направлении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скважности генериру.емых импульсов, последовательно с конденса.15 тором емкостной связи включен диод, анод которого соединен с конденсатором, при этом регулирование скважности производится резистором, включенным параллельно диоду.