Формирователь импульсов

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликВОЮЗИЯ Ц 1 ь;МОТ . ,Зависимое от авт, овидетельстваЗаявлено 05,Ч 1.1967 (Лс 1170356/26-9) Кл. 21 ат, 36 рисоединением заявкиИПК Н иоритетубликовано 20.Ч 1.1969. Бюллетень21 та опубликования описания 14.Х 1.1969 Комитет по делам изобретений и открыти при Совете Министров СССР621.374 (088,8) Авторыизобретения Ю, Г, Будяшов и В. Г. Зинов ъединенный институт ядерных исследованЗаявитель ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМБУЛЬС 2 а туннельно. Выходной сис коллектораодном состояка туннельноном участкезакрыт.тает формиро возврат стояние маетсяВ исх чая точ туннель стор 2Рабо ватель следующим обра зов Входной сигнал в виде импульса тока поступает на туннельныи диод 1, переводя его рабочую точку на диффузионную ветвь характеристики. При срабатывании туннельного диода 15 транзисгор 2 открывается, через него проходитток, Через отрезок времени 1 = 2,.,х, где л, зад - время задержки линии, в коллекторе транзистора 2 за счет прихода отраженной волны от разомкнутого конца формирующей 20 линии импульс напряжения увеличивается.При появлении на коллекторе транзистора 2отраженного импульса диод 4 открывается, через транзистор 5 проходит ток, величина которого должна быть достаточной для возвра та туннельного диода в исходное состояние.После возвращения туннельного диода в исходное состояние транзистор 2 закрывается, напряжение на коллекторе транзистора уменьшается и поддерживается за счет отраженного 30 сигнала от конца линии задержки. Известен формирователь с нулевым времвв нем восстановления, содержащий триггер на туннельном диоде и короткозамкнутую линию задержки.Длительность выходного импульса формирователя определяется короткозамкнутой линией задержки и равна ее учетверенной длине. Величина волнового сопротивления линии задержки не должна превышать 200 - 300 ои. Для получения больших задержек (1 лксек и более) габариты искусственных линий с малым волновым сопротивлением получаются большими, что затрудняет применение линий.Предлагаемый формирователь отличается тем, что в нем база транзистора обратной связи подключена к аноду полупроводникового диода, катод которого подключен к коллектору транзистора выходного каскада, коллектор - к катоду туннельного диода, а эмиттер - к положительному полюсу источника питания. Это позволяет использовать формирующую линию задержки с произвольным волновым сопротивлением.На чертеже изображена принципиальная схема формирователя.Он содержит триггер на туннельном диоде 1, транзистор 2, который разделяет туннельный диод 1 и линию задержки 8, разомкнутую на конце, дискриминирующий диод 4 и транзистор 5 обратной связи, входящие в цепочку о диода в исходное согнал формирователя снитранзистора 2.нии формирователя рабоо диода 1 находится на характеристики. Транзи246576 Предмет изобретения Составитель М. ПорфировТехред Л. Я, Левина рректоры; А. Абрамова и Л. КорогодРедактор В. Кузнецов Заказ 2995/б Тираж 480 ПодписноеЦЕИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 ипографии, пр, Сапунова Через отрезок времени 1 = 41 Л Зад от момента прихода входного сигнала напряжение на коллекторе транзистора 2 возвращается в исходное состояние.Таким образо:;1, на коллекторе транзистора 2 формируется импульс, длительность которого определяется четырехкратным временем задержки разомкнутой на конце линии, включенной в коллекгор транзистора.Активные элементы схемы (туннельный диод и транзистор 2), влияющие на быстродействие, участвуют в формировании выходного импульса только в первую половину его длительности. К моменту окончания формирования выходного импульса туннельный диод и транзистор 2 успевают полностью восстановить свое первсначальное состояние. Благодаря этому формирователь имеет нулевое мертвое время,Формирователь импульсов длительностью,равной учетверенной электрической длине линии задержки, с нулевым временем восстановления, содержащий триггер на туннельном диоде, выходной каскад на транзисторе, в коллекторной нагрузке коорого включена разомкнутая на конце линия задержки, и транзистор обратной связи, отличаюшийся тем, что, с целью использования формирующей линии задержки с произвольным волновым сопротивлением, база транзистора обратной связи подключена к аноду полупроводникового 15 диода, катод которого подключен к коллектору транзистора выходного каскада, коллектор - к катоду туннельного диода, а эмиттер - к положигельному полюсу источника питания,