Выходной формирователь импульсов

)5 Н 03 К 5 ТЕНТНО ГОСУДАРСТВЕННО ВЕДОМСТВО ССС (ГОСПАТЕНТ ССС ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН зм но ск пу дин вхо и и клю ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Институт точной механики и вычислительной техники им, С.А.Лебедева .72) А.И.Бакшеев(56) Эйдунас Д.Ю. Измерение параметров цифровых интегральных микросхем. М.; Радио и связь, 1982, с. 267, рис. 6.21.Авторское свидетельство СССР .1457149, кл, Н 03 К 5/01, 1986,(54) ВЪХОДНОЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВВ57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устрОйствах импульсных сигналов наносекундного диапазона, Цель изобретения - повыИзобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах формирования импульсных сигналов наносекундного диапазона.Целью изобретения является повышение быстродействия и стабильности выходго напряжения при переменной нагрузке,На чертеже представлена злектричеая схема выходного формирователя имльсов.Устройство включает первый и второй каналы формирования соответственно верхнего и нижнего уровней, которые содержат первые и вторые ключи. Первый ключ первого канала выполнен на первом и втором транзисторах 1 - 1, 1-2 по схеме токового переключателя, змиттерном резисторе 1 - 3 и двух коллекторных резисторах 1 - 4, 1-5,Первый ключ второго канала выполнен на первом и втором транзисторах 2-1, 2 - 2,шение быстродействия и стабильности выходного напряжения при перемен ной нагрузке. Выходной формирователь импульсов содержит первый и второй каналы формирования верхнего и нижнего уровней, каждый из которых включает первый ключ, выполненный на двух транзисторах,и второй ключ, выполненный на диоде, основном транзисторе и четырех резисторах, Введение в схему конденсатора, двух вспомогательных транзисторов и двух дополнительных резисторов в каждый канал формирователя позволило ускорить рассасывание заряда, накопленного в базовой цепи основного транзистора, стабилизировать установившееся значение выходного напряжения.при колебаниях нагрузки. 1 ил,иттерном резисторе 2-3 и двух коллекторных резисторах 2-4, 2-5.Второй ключ первого канала содержит основной транзистор 3-1, первый и второй вспомогательные транзисторы 3 - 2, 3-3, диод 3 - 4, первый резистор 3-5, второй резистор 3-6 и дополнительный резистор 3-7,Второй ключ второго канала содержит основной транзистор 4-1, первый и второй вспомогательные транзисторы 4 - 2, 4 - 3. диод 4-4, первый и второй резисторы 4-5, 4-6 и дополнительный резистор 4-7, Между базами основных транзисторов вторых ключей включен конденсатор 5.Базы первого и второго транзисторов 1-1, 1-2 первого ключа первого канала соеены соответственно с первым и вторым дами 6 - 1, 6 - .2 устройства, а базы второго ервого транзисторов 2-2, 2-1 первого ча второго канала соединены соответст 179889810 20 30 40 50 венно с третьим и четвертым входами 6-3, 6-4 устройства, Обьединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 1 - 1,. 1 - 2 первого ключа первого канала через эмиттерный резистор 1 - 3 соединены с первой шиной 7 источника питания, к которой так.же подключены:эмиттеры первого и второго вспомогательных транзисторов 4-2, 4-3 второго канала через дополнительный и второй резисторы 4-6, 4 - 7 соответственно и коллектор основного транзистора 4-1 второго ключа второго канала, Коллекторы первого и второго транзисторов 2-1, 2 - 2 первого ключа второго канала через коллекторные резисторы 2 - 4, 2 - 5 подключены также к первой шине 7 источника питания, Обьединенные эмиттеры первого и второго транзисторов 2 - 1, 2 - 2 первого ключа второго канала через эмиттерный резистор 2-3 соединены со второй шиной 8 источника питания, к которой также подключены эмиттеры первого и второго вспомогательных транзисторов 3-2,3 - 3 первого канала через дополнительный и второй резисторы 3-6, 3 - 7 соответственно и коллектор основного транзистора 3 - 1 второго ключа первого канала. Коллекторы первого и второго транзисторов 1 - 1, 1 - 2 первого ключа первого канала через коллекторные резисторы 1 - 4, 1 - 5 подключены также ко второй шине 8 источника питания.База основного транзистора 3 - 1 второго ключа первого канала соединена с коллектором второго вспомогательного транзистора 3 - 3 первого канала и через обратно-включенный диод 3 - 4 первого канала . - с первым источником 9 опорного напряжения,База основного транзистора 4 - 1 второго ключа второго канала соединена с коллектором второго вспомогательного транзистора 4 - 3 второго канала и через обратно-включенный диод 4 - 4 второго канала - со вторым источником 10 опорного напряжения, Коллекторы первых вспомогательных транзисторов 3 - 2, 4 - 2 и эмиттеры основных транзисторов 3 - 1, 4 - 1 вторых ключей обоих каналов подключены к выходной шине 11. Между базой и эмиттером основных транзисторов 3 - 1, 4-1 включены .первые резисторы 3-5, 4 - 5, Базы первых вспомогательных транзисторов 3 - 2, 4 - 2 обоих каналов соединены соответственно с коллекторами первых транзисторов 1 - 1, 2- 1 первых ключей, базы вторых вспомогательных транзисторов 3 - 3, 4 - 3 обоихканалов подключены к коллекторам вторых транзисторов 1 - 2, 2 - 2 первых ключей.Работает устройство следующим образом, Если на входе 6- напряжение логической "1" положительной полярности, на входе 6-4 напрякение логической "1" отрицательной полярности, на входах 6-1 и 6-3 напряжения логического "0", напряжение на первом источнике 9 опорного напряжения Ов (напряжение верхнего уровня) положительной полярности, а на втором источнике 10 опорного напряжения Он (напряжение нижнего уровня), то транзисторы 1 - 2, 2-1 открыты, а транзисторы 1-1, 2-2 закрыты, что в свою очередь приводит к тому., что транзисторы 3 - .3, 3 - 1, 4 - 2 открыты, а транзисторы 4-3, 4-1, 3 - 2 закрыты, Ток коллектора открытого транзистора 3-3, задаваемый резистором 3 - 7, протекает черездиод 3-4 к источнику 9 опорного напряжения верхнего уровня, создавая на его аноде и нэ базе транзистора 3-1 напрякение, отличающееся от опорного напряжения верхнего уровня на величину падения на диоде, Ток коллектора транзистора 4-2, задаваемый резистором 4-6, и ток нагрузки протекают через транзистор 3 - 1, при этом на его эмиттере, связанном с выходной шиной 11, будет напряжение меньше, чем на его базе, на величину падения напряжения на переходе база-эмиттер,Таким образом напряжение на эмиттере транзистора 3-1 и выходной шине 11РавнО:,Овых = Ов + Од - Обэ, чтО ПРи Од ф= Обэ обеспечивает на выходной шине 11 Овых = =Ов. Ток, отдаваемый в,нагрузку, обеспечивается транзистором 3-1 и потребляется от второй шины 8 источника питания. При формировании плоской части выходного импульса транзистор 3-1 работает в режиме эмиттерного повторителя, т.к, диод 3-4 смещен в прямом направлении током транзистора 3 - 3 и к базе транзистора 3-1 подключен источник опорного напрякения,При подаче на вход 6-1 логической "1" положительной полярности, на вход 6-3 логической "1" отрицательной полярности, а на входы 6 - 2, 6 - 4 - логических нулей транзисторы 3 - 3, 3-1 и 4-2 закрываются, а открываются транзисторы 4-3, 4-1, 3-2 и на выходной шине 11 формируется напряжение, равное ОнПри смене логических напряжений на входах устройства, например, при переходе от формирования Ов к Он транзистор 3 - 3 закрывается, а транзистор 4-3 открывается. Часть тока транзистора 4 - 3 через конденсатор 5 рассасывает заряд, накопленный в базовой цепи транзистора 3 - 1, ускоряя его закрытие, а часть поступает а базу транзистора 4-1, На этой стадии формирования выходного импульса диод 4 - 4 закрыт - он открываетсяпри Овых, близком к Он, в базу транзистора 4-1 поступает больший ток,чем при формировании плоской части импульса. Процесс перехода от Он к О аналогичен,Формула изобретения Выходной формирователь импульсов, содержащий первый и второй каналы формирования соответственно верхнего и нижнего уровней, каждый из которых включает первый ключ, выполненный на двух транзисторах по схеме токового переключателя, второй ключ, выполненный на диоде и основном транзисторе, между эмиттером и базой которого включен первый резистор, и первый вспомогательный транзистор с проводимостью, противоположной проводимости основного транзистора второго ключа данного канала, объединенные эмиттеры первого и второго транзисторов первого ключа первого и второго каналов через соответствующие эмиттерные резисторы соединены с первой и второй шинами источника питания соответственно, к которым через коллекторнь 1 е резисторы подключены коллекторы транзисторов соответствующих первых ключей первого и второго каналов, базы которых соединены с первым, вторым, ,третьим и четвертым входами устройства, проводимость транзисторов первого и второго ключей первого канала противоположна проводимости первого и второго ключей второго канала, первый и второй источники опорного напряжения соответственно верхнего и нижнего уровней и два вторых резистора вторых ключей каналов; о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия и стабильности выходного напряжения при переменной нагрузке, введены конденсатор и в каждый из каналов второй вспомогательной транзистор с про водимостью, противоположной проводимости основного транзистора второго ключа данного канала, и дополнительный резистор,.причем эмиттеры первого и второго вспомогательных транзисторов обоих ка налов через второй и дополнительный резисторы подключены соответственно к второй и первой шинам источника питания, к которым подключены коллекторы основных транзисторов, базы первых вспомогатель ных транзисторов обоих каналов соединенысоответственно с коллекторами первых транзисторов первых ключей, базы вторых вспомогательных транзисторов обоих каналов подключены к коллекторам вторых 20 транзисторов первых ключей, коллекторыпервых вспомогательных транзисторов и змиттеры основных транзисторов вторых ключей обоих каналов подключены к выходной шине, база основного транзистора второ го ключа первого канала соединена сколлектором второго вспомогательного транзистора первого канала и с анодом диода, катод которого соединен с первым источником опорного напряжения, база основного 30 транзистора второго ключа второго каналасоединена с коллектором второго вспомогательного транзистора второго канала, с катодом диода анод которого соединен с вторым источником опорного напряжения, 35 а конденсатор включен между базами основных транзисторов вторых ключей.1798898Составитель Л, Сотникова Редактор А. Бер Техред М.Моргентал Корректор П. Гере Заказ 778: Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5изводственно-издательский комбинат Патент", г: Ужгород, ул,Гагарина