Способ определения шероховатости поверхности

Номер патента: 1518745

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Броздниченко, Кудряш, Хинич

МПК: G01N 23/22

Метки: вторичной, металла, порога, электронной, эмиссии

...вторичной электронной эмиссии;х - эффективное электронное сродэфство 10Е; - энергия вторичных электронов 3д; - количество вторичных электронов, выходящих в вакуумс энергией Е 15Способ осуществляют следующим образом.Мишень, изготовленную из поликрис - таллической вольфрамовой фольги тол - шиной 0,1 мм, тщательно обезгаживают 20 в вакууме -10 Торр при температуре 2500 К. Измерения проводят в приборе типа квазисферического конденсагора с антидинатронной сеткой. Источником электронов служила элекгронная 25 пушка с прямонакальным вольфрамовым катодом. Распределение вторичных электронов по энергиям получали методом электрического дифференцирования кривых задержки вторичного тока и за писывали на двухкоординатном самописце.х...

Номер патента: 1075331

Опубликовано: 23.02.1984

Автор: Коляда

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, ионно-ионной, компонент, коэффициентов, образца, полупроводникового, эмиссии

...измерения коэффициентов ВИИЭ компонент образца из полу. проводникового материала.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения коэффициентов вторичной ионно-ионной эмиссии компонент образца из полупроводникового материала, в котором производят ионную и температурную очистку поверхности образца в условиях высокого вакуума, напускают активный по отношению к поверхности образца газ и измеряют токи первичных и вторичных ионов, проводимость поверхности образца поддерживают заданной путем изменения температуры в диапазоне, в пределах которого происходит адсорбция активного газа.Активность поверхности полупроводников по отношению к газовой среде тесным образом связана с электронной структурой его поверхности и с ее...

Номер патента: 824336

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Баскин, Борисов, Буров, Жуков, Фурсей, Южин

МПК: H01J 1/304

Метки: электронной, эмиссии

...что Ц = КИ, где К - коэффициент отражения, получаем2Сд 1 В фт В С. 6 ЛОтсюда можно найти энергию импульса дополнительного электромагнитного излучения Иа также необходимую длительностьимпульса16 ЛС йТ Лйс Е /ж(С,Из последнего выражения получаемдлительность импульса 1: 1010 "с,которая не занисит от В и 1., а также определяем ИК = 7,5 10" 7,5 10 Дж (Л.= 1 мкм)К = 7,5. 10 7,5 10Дж (А=10 мкм)Лазеры с такими параметрами импульсовизлучения уже применяются н науке итехнике.Таким образом, проведенные расчеты показывают, что даже если электрическое поле, создаваемое источником 2 у катода стремится к нулю, засчет поля дополнительного излучениявозможно получение антоэлектронноготока. Если же, поле создаваемое источником 2, больше нуля, то...

Номер патента: 1078502

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Коляда, Нагорная, Черепин

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, значения, ионно-ионной, компонент-поверхности, коэффициентов, относительного, твердых, тел, эмиссии

...при постоянном значении тока ионов первичного пучка ионное легирование производят тем же пучком первичных ионов с энергией, превышающей энергию ионов первичного пучка при распылении, при этом длительность масс-анализа устанавливают больше времени прекращения спада тока вторичных ионов с массой, соответствующей массе ионов первичного пучка.На фиг. 1 - 4 представлены варианты масс-спектров и временные зависимости токов (в.и.и.э.).При проведении масс-анализа происходит распыление ионнолегированного слоя, поэтому в спектре в.и.и.э., снятом в момент времени 0 ТсТ, наблюдаются вторичные токи компонент А (пики А, А, Аз, А 4) и вторичный ток 1-, который складывается из двух составляющих - вторичного тока 1 от ионов первичного пучка, легирующих...

Номер патента: 439775

Опубликовано: 15.08.1974

Автор: Сорокин

МПК: G01T 1/36

Метки: регистрации, спектров, электронной, эмиссии, энергетических

...- входная щель анализатора; 3 - электростатический анализатор; 4 - узкий поглощающий экран в фокальной плоскости аггализатора с коэффициентом вторичной эмиссии 6 = 0; 5 сетка, ускоряющая электроны до 1,0 - 1,5 кэв; 6 МП с диаметром КЭУ в несколыо десятков мкм; 7 - сигнальная пластина коллектора, общего для всех КЭУ; 8 - амплитудный анализатор импульсов (ААИ).Устройство работает следующим образом.Свет определенной длины волны выбивает из фотокатода 1 электроны разных энергий, сгруппированные в пачки с различной численностью в зависимости от величины энергии фотонов. Вся эмиссия собирается на входную щель 2 анализатора 3 и фокусируется в сагиттальном сечении фокальной плоскости в виде линий, соответствующих той или иной энергии...