Способ изготовления заготовки для гибридной микросхемы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)5 Н 05 К 3/38 НИЯИЕ ИЗОБ ОПИ БУ ОУУ СВ К АВ скии институт етельство СССР М00, 1987, 49971, Н 05 К 3/38,ЕНИЯ ЗАГОТ ИКРОСХБУЦ ология микро ология изгот 100 элек- овлеЭкспони нога слоя пр Используетс 383. Стравли дится в растХимичес дится в раст никель х ортофос кислота темпера выдержки 1 Катализа ниевый конт палнительнокое никелиров оре состава: ористый 2 форная произво 40 г/дмужиталюм даемого д 1000-1400 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛКИ ДЛЯ ГИБРИДНОЙ М(57) Использование; технтроники, в частности техн Изобретение относится к областимикроэлектроники, в частности, к изготовлениюгибридных микросхем.Целью изобретения является повышение выхода годных заготовок для гибридныхмикросхем за сче 1 улучшения адгезии золота к проводящему слою никеля, что достигается активизацией поверхностинапыленного никеля атомами химическиосажденного никеля.П р и м е р. Напыление коммутационнойструктуры (титан-никель-хром) производятна установке УВ НП. Вакуум в процессенапыления не хуже 2,66 10Па, температу ра диэлектрической подложки 250 С. Никель напыляет до,толщины 1000-2500 А,хром - до 300-400 А,Технологический слой хрома защищаетповерхность основного слоя никеля от заГрязнения и стравливается непосредственно перед химическим осаждениемдополнительного слоя никеля,ния гибридных микросхем, Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку в вакууме напыляют подслой титана, проводящий слой /С/ никеля толщиной 1000- 2500 А и технологический С хрома. После стравливания С хрома на поверхность напыленного никеля дополнительно осаждают Соникеля толщиной 1000-1400 А химическим методом. Далее осуществляют гальваническое осаждение антикоррозионного токонесущего С золота, Способ обеспечивает повышение выхода годных заготовок по адгезии золотых С к проводниковым С до У) рование рисунка коммутационоводится на установке УПСЭ-З, я позитивный фоторезист ФПвание верхнего хрома произв воре состава:калий железосинерадистый 250 г/дг.кали едкое 30 г/дм Температура раствора 40 С .5 С. Вр травления 60 -10 с. Затем подложка тщ ьно промывается дистиллированно1762424 Составитель Н.ОвсянниковаТехред М.Моргентал Корректор Н.Бучок Редактор Л.Волкова Заказ 3266 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101 Подложка тщательно промывается дистиллированной водой, Минимальная толщинаопределяется требованием сплошностипленки, верхний предел ограничен резкимснижением скорости осаждения химического никеля из раствора после 1-1,5 мин. выдержки, что, по-видимому, обусловленоизменением энергетического состояния поверхности слоя,Для гальванического осаждения антикоррозионного слоя золота используетсяэлектролит следующего состава:Дицианоаурат калия 10-15 г/дмз(в пересчете назолото)калий железистосинеродистый 150-200 г/дмзкалий углекислый 50-60 г/цмзкалий роданистый 100 г/дмвода дистиллированная до 1 л,Процесс идет при температуре 50-60 С,Перед началом процесса поверхностьдополнительного слоя химического никеляактивируют в составе: аммоний надсернокислый 200 г/дм кислота серная 50 мл/дм время декопирования 2-3 с, Испытание коммутационных слоев по казала, что покрытие выдерживает без измерения термическую нагрузку в 450-500 С в течение 20 мин, трехкратную перепайку припоем ПОСК 50-18,усилие отрыва не менее 0,6%,08 кг/мм 2.10 Выход годных заготовок по адгезии золотых слоев к проводникавым слоям составил 100,.Формула из обретения Способ изготовления заготовки для гиб ридной микросхемы, включающий напыление в вакууме на диэлектрическую подложку подслоя титана и слоя никеля толщиной 1000-2500 А, с последующим гальваническим осаждением слоя золота, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышениявыхода годных, после напыления основного слоя никеля проводят химическое осаждение дополнительного слоя никеля толщиной
СмотретьЗаявка
4740336, 12.09.1989
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
БЛАГИНИНА НЕЛЛИ ВСЕВОЛОДОВНА, ВАЙСБЕРГ ИННА ИСАКОВНА, ЗУБКОВА ГАЛИНА ФЕДОРОВНА
МПК / Метки
МПК: H05K 3/38
Метки: гибридной, заготовки, микросхемы
Опубликовано: 15.09.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1762424-sposob-izgotovleniya-zagotovki-dlya-gibridnojj-mikroskhemy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления заготовки для гибридной микросхемы</a>
Способ нанесения слоя благородного металла на рабочую поверхность контактов из сплавов металла с золотом
Номер патента: 238023
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Кузьмиченко, Морозов
МПК: H01H 1/02, H01H 11/04
Метки: благородного, золотом, контактов, металла, нанесения, поверхность, рабочую, слоя, сплавов
...медью, у которых:в процессе трения н а блюд а ется а том а рное выделение золота ва поверхности трения. Создание на контактной поверхности слоя, обогащенного золотом, у контактов из данного типа сплавов удобно осуществить, например, с помощью вращающегося фетрового круга.Фетровый круг в некоторых случаях можно слегка смачивать маслом, которое при трении круга о контактную поверхность сводит к миНимуму абрази)вное снятие атомарно выделивНСГОС 51 ЗОЛОТЯ, и ТЯКЖС СПОСООСТВ ) С РЯВНО- мерному рязмазывацнк) его по поверки)тц.Б результате фрикциоццого золочеи 1 я ца,Онтя)НОЙ пове 1 зхцости создастся тонкий с.ОЙ, 5 Обогащенный золотом. Это увеличивает цаДСЖНОСТЬ ЭЛСКТРНЧЕСКОГО КОНТЯКТЯ, ТЯК КЯК этот слой обладает большей, чем исходный...
Электролит для осаждения покрытий из сплава никель-железо
Номер патента: 863722
Опубликовано: 15.09.1981
Автор: Костюк-Кульгавчук
МПК: C25D 3/56
Метки: никель-железо, осаждения, покрытий, сплава, электролит
...толщиной 0,07- 0,08 мм, что улучшает одноосевую ани" зотропию пленок,30Тиосемикарбазид солянокислый МН- СН-Г"МН НС 1 способствует получению1 Таблица 1 Показатели по примерам 260 280 280 290 280 280 280 8 10 10 12 10 10 10 20 30 30 50 30 30 30 260-290 Сульфат. никеля Сульфат железа Борная кислота 8-10 20-50 Тиосемикарбазидсолянокислый 0,025 0,05 0,05 0)10 0,05 Натриевая сольи-сульфамидоанилинометансульфокислоты 1,0 - 0,5 0,05 0,5 Состав электролита, г/л Натриевая сольоксиметансульфокислоты 22 4пермаллоевых пленок (807. 81 и 20 ЕГе) толщиной 1000-3000 А и имеющих коэрцитивную силу 1-2 Э.Натриевая соль и-сульфамидоанилинометансульфокислоты (растворимый и оксиметансульфокислый натрий НОСН -50 На повышают коэффициент прямоугольности петли...
Способ измерения толщины слоя и устройство для его осуществления
Номер патента: 872955
Опубликовано: 15.10.1981
Авторы: Вильдгрубе, Лапушкина, Тимофеев, Федотов
МПК: G01B 11/06
...и вторым фотоприемником.На чертеже показана схема измерения.Устройство измерения толщины слоясодержит осветитель 1, например ла,зер, направляющий световой поток 2нормально к поверхности напыляемогона прозрачную подложку 3 слоя 4.Световой поток, прошедший через этотслой, характеризуется регулярной составляющей 5 и диффуэно-рассеяннымисоставляющими б и 7. На одной оптической оси 1-1 по ходу потока 2 размещены модулятор 8 света, Фотоприемник9, Фокусирующая оптическая система1 О и Фотоприемник 11. Фотоприемники9 и 11 электрически связаны соответ.ственно с измерительными схемами 12и 13 Прозрачная подложка 3 с нанесенным иа нее слоем 4, толщина которого измеряется, размещается междумодулятором 8 и оптической системой10. Фотоприемник 9...
Магнитный способ определения содержания ферритной фазы и толщины слоя наплавки на ферромагнитном основании
Номер патента: 1196786
Опубликовано: 07.12.1985
Авторы: Лухвич, Мелешко, Рудницкий
МПК: G01R 33/12
Метки: магнитный, наплавки, основании, слоя, содержания, толщины, фазы, ферритной, ферромагнитном
...толщин наплавленных слоеви процентных содержаний ферритнойфазы.Предлагаемый способ реализуется З 0 следующим образом.В качестве прибора, регистрирующего отрывное усилие, используют магнитный ферритометр МФА - 1, разработанный на базе магнитного толщинометЗ 5 ра типа МТА. Составной постоянныймагнит ферритометра выполнен из материала КС - 37 А (кл. ЯшС )., имеющего коэрцитивную силу порядка100 кА/м. Верхняя часть магнита вы полнена в видестержня диаметром 5 мми высотой 3 мм. Нижняя часть имеетдиаметр 5 мм и высоту 1,1 мм. Одиниз магнитов составляют из частей содинаковым направлением их намагни ченности, а другой - с противоположным. В качестве образцов для проверкипредлагаемого способа используютпластины аустенитной нержавеющей стали...
Способ определения толщины нарушенного слоя на поверхности кристаллов
Номер патента: 1455786
Опубликовано: 07.07.1993
Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко
МПК: C30B 33/00
Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины
...слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А,...