Бесконтактное реле
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 20.11 г,1963 ( 832088/26-24) хл. 21 д, 4 оз исоединением осударствеомитет поизобрете МПК Н 01 ЬУДК 621.318.57(088.8) ори дедам щ СССРОпубликовано 07.711.1965, БюллетеньДата опубликования описания 25 Х 111.19 ткрыт Авторыизобретения тров и М. П. Еремеев В. Заявите ОНТАКТНОЕ одггисегая ерг/гггга М 1Известны различные бескоцтактные реле, предназцаченцыс для работы в цепях постоянного тока, выполпенцые на управляемом полупроводниковом диоде, включенном после. довательно с нагрузкой.Предложенное реле отличается от известных меньшей потребляемой мощностью. Зто достигается тем, что параллельно нагрузке включены два накопительных конденсатора и переключающий диод, анод которого соеди цец с обкладкой одггого коггдеггсато 1 эа, а катод ге 1 зез т 1 загсфорггатор - с обкладкой противоположной ггоггярности другого конденсатора.На чертеже изображена принципиальная 1 схема предложенного устройства.При подаче импульсного сигнала г/, на включение управляемый полупроводниковый диод УД открывается и остается в этом состоянии после снятия сигнала С/, - реле вклю чено, Напряжение включения переключающего диода ПД больше напряхкения 1/,. сети; диод выклгочен. Конденсаторы Сг и С соединены параллельно с сопротивлением Янагрузки и соответственно через сопротивления 25 Ми Р заряжаются до напряжения С/. сети, Напряжение на переключающем диоде равно С . Если на обмотку Вг разделительного трансформатора Тр подать импульсный сигнал К, на отключение реле, в обмотке 1 г трансформатора Тр наводится э.д.с, е, в результате чего к диоду ПД оудет приложена сумма напряяений г/ +е, Эта сумма превышает величину напряжения включения диода ПД, и оц открывается, при этом конденсаторы С, и С включаются последовательно и разряжаются на нагрузку Й, Их суммарное напряжение, равное удвоенному напрлхкению Г сети, направлено навсгречу напряжению г/. и приложено к управляемому диоду УД в обратном направлении, Б результате этого управляемый диод УД закрывается - реле выключено. Когдеисаторы Сг и С разряжаются ца нагрузку Ри диод ПД закрывается. Сопротивлеггил Я, и Р выбираются достаточно болыпими и разрядом конденсаторов через них за время отключения управляемого диода можно пренебречь,Такие образом, в выключенном состоянии реле практически це потребляет мощности.Предмет изобр етени я Бескоптактцос реле, предназначенное для работы в цепях постоянного тока, выполненггое ца полупроводниковом управляемом диоде, включенном последовательно с нагрузкой, от,гггчающееся тем, что, с цечью уменьшения потребляемой мощности, параллельно нагрузке включены два накопительных конденсатора и переключающий диод, анод которого соединен с обкладкой одного конденсатора, а катод через трансформатор - с обкладкой противоположной полярности другого коцденсатора.Составитель И. Т. Засядниковедактор Н. С, Коган Техред Ю. В. Баранов Корректор Л, В, Тюняеаказ 20943 Тираж 575 Формат бум, 60;(90 Чв Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп, ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, 4Типография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
832088
В. П. Петров, М. П. Еремеев
МПК / Метки
МПК: H01H 47/32
Метки: бесконтактное, реле
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-172921-beskontaktnoe-rele.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Бесконтактное реле</a>
Способ повышения пробивного напряжения плоскостных кремниевых диодов
Номер патента: 129259
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Бедов, Лубашевский, Лукасевич, Маннов, Петров, Смолянский
МПК: H01L 21/447
Метки: диодов, кремниевых, плоскостных, повышения, пробивного
...упрощения технологцц оминий вводят около 10 о золота, из полученного Ольгу толщпной 0,05 - 1 л 1 л 1, зажимают ее меж 1,; и р-типа, помещают заготовку в вакуум и прои:- тиц при температуре порядка 900 - 1200. щения и чаю в ал 1 ют ф ция и е плас Известные способы повышсния пробивного напряжения плоскостных диодОВ ОсноВаны на создании многоступенчатых полупрОВОдцикОВых структур. Эти способы достаточно сложнь 1 по своей технологии и не обеспечивают высокого пробивного напряжения.Предлагаемый способ упрощает технологию изготовления полупроводниковых диодов и позволяет повысить пробивное напряжение их. Это достигается тем, что в диоде применен р - г - г переход, для получен:1 я которого использована диффузия золота в кремний.Способ...
Радиочастотный триггерный и логический элемент
Номер патента: 790339
Опубликовано: 23.12.1980
Автор: Дмитриев
МПК: H03K 19/20
Метки: логический, радиочастотный, триггерный, элемент
...ф 0. Если амплитуда напряжения Оп на базе и коллекторе транзистора 1 выше порога его отпирания, он отпирается и на выходе Овы макси,мально ( Овью"- Ъ ), т.е. реализуется состояние1. В исходном состоянии амплитуду переменного напряжения на базе устанавливают делителем, состоящим из резисторов 9, 10 и 2, причем амплитуда переменного напряжения на базе должна быть ниж уровня отпирания транзистора; 1. При этом с помощью управляющих напряжений Ц -04,реализуют триггерный режим (0,11) и логические операции НЕ и ИЛИ.Процесс отпирания транэйстора 1 объясняется следующим образом.При амплитуде напряжения, на базе транзистора 1 выше его порога отпирания в положительный полупериод напряжения Оп конденсатор 8 заряжается через переход...
Транзисторный ключ с защитой от перегрузки
Номер патента: 1339884
Опубликовано: 23.09.1987
Автор: Захаров
МПК: H03K 17/08
Метки: защитой, ключ, перегрузки, транзисторный
...место сигнал 1Такое включение диода 13 и обмоток 6 и 7 приводит к тому, что импульсы напряжения самоиндукции, возникающие при переходе сигнала на выходе схемы И-НЕ 3 из.состояния "0" в состояние "1", шунтируются диодом 13, поэтому переменное напряжение на выходе делителя 15 не достигает величины порога срабатывания триггера 2.Предположим, что при замкнутом состоянии силового транзистора 12 произошло короткое замыкание нагрузки, это приводит к появлению высокого напряжения силового (внешнего) питания на силовом выходе 18 относительно общей силовой шины 9, в результате этого диод 13 закрывается. После этого при каждом переходе сигнала на выходе схемы И-НЕ 3 из состояния "0" впоявляются узкие импульсы ЭДС самоиндукции на первой обмотке...
Способ электрической формовки полупроводниковых диодов
Номер патента: 133953
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Улановский
МПК: H01L 21/479, H01L 23/00
Метки: диодов, полупроводниковых, формовки, электрической
...снимается ссопротивления 34. Сопротивление 33 значительно больше остальныхэлементов цепи. Поэтому оно определяет ток в цепи диода при постоянной величине напряжения, снимаемого с сопротивления 34.Синхронный переключатель 16 замыкается одним из кулачков,установленных на валу 8. Реле 21 и 22, включенные через магнигныеусилители, подключаются параллельно диоду 30. Эти реле,- имеющиеразличную чувствительность, срабатывают в зависимости от величинынапряжения на диоде. Сопротивление 35 значительно больше сопротивления диода. Поэтому напряжение на диоде определяется, главным образом, его собственным сопротивлением. От реле 21 и 22 срабатывают реле 25 и 26, осуществляющие запоминание величины напряжения на диоде и коммутацию напряжения...
Устройство для определения пробивного напряжения полупроводниковых диодовв известных устройствах для определения пробивного напряжения мощных полупроводниковых диодов, содержащих блок ступенчатой регулировки по
Номер патента: 172374
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Вайварс, Карп, Францис, Якубайтис
МПК: G01R 31/26
Метки: блок, диодов, диодовв, известных, мощных, полупроводниковых, пробивного, регулировки, содержащих, ступенчатой, устройствах
...напряжении. г пзоор едм тенпя 20 Устройство для определения пробивного напряжения полупроводниковых диодов, содержащее подключенные к диоду блок ступенчатой регулировки подаваемого на диод напряже нпя, снабкенный набором коммутируемыхсопротивлений, и блок измерений величины производной обратного тока, от,ггчаощееся тем, что, с целью предотвращения выхода диода из строя в процессе измерений, последовательно 30 с каждым из сопротивлений блока ступенчатой регулировки напряжения включен стабил п трон. дпасная грпаа Л" 89 В известных устройствах для определенияпробивного напряжения мощных полупроводниковых диодов, содержащих олок ступенчатой регулироьки подаваемого на диод напряжения и блок измерения величины производной обратного тока, при...