Мультиплексор

(5) 5 Н 03 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ЕТЕЛЬСТВ ОМУ К АВТ(57) Изобретениетехнике и преднания в логических ОРтносится к импулачено для исполустройствах ЭСЛ ьснои зова- типа. СЭ (л ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР 775966/092,01.905,03.92. Бюл, М 10аучно-исследовательский инсярной электроники.М,Игнатьев21;375.024 (088.8)вторское свидетельство ССС78048, кл. Н 03 К 19/086, 198 Цель изобретения - повышение быстродействия. Мультиплексор содержит переключатели 11, 121, выполненные на первых, вторых и третьих транзисторах 21, 22, ,. 2 п, 31, 32, , Зп и 41, 42, . 4 п, генератор тока 5, четвертый транзистор 6, резистор 7 и пятый транзистор 8. Компенсация изменений напряжений узла коллекторов транзисторов 31, 32, Зп позволяет снизить негативное влияние процессов перезаряда емкости этого узла на задержку переключения уровней на выходе устройства и тем самым достичь высокого быстродействия мультиплексора.1 ил.Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в логических устройствах ЭСЛ-типа.Цель изобретения - повышение быстродействия.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема мультиплексора.Мультиплексор содержит переключатели тока 11, 12, , 1 п, выполненные на первых транзисторах 21, 22, , 2 п, вторых транзисторах 31, 323 п и третьих транзисторах 41, 42,4 п, ГЕНЕРатОР 5 тОКа, ЧЕтВЕРтЫй транзистор 6, резистор 7, пятый транзистор 8, при этом базы третьих транзисторов явЛяЮтСя адрЕСНЫМИ ВХОдаМИ 91, 92, 9 п, а базы пеовых и вторых транзисторов являются информационными входами 101, 102, , 10 п и 111, 112, , 11 п,Мультиплексор работает следующим образом.Для включения нужного входного канала на соответствующий адресный вход, например 91, подается напряжение более высокого уровня, чем на остальные входы, Благодаря этому ток генератора 5 тока через соответствующий транзистор 4 включится в эмиттерный узел транзисторов 21 и 31 выбранного входного канала. На входы 101 и 11 устройства поступает входной сигнал в виде двух потенциалов с определенной разностью. Если на входе 101 более высокий потенциал, чем на входе 111, то ток, поступающий в узел эмиттеров транзисторов 21 и 31, разделится между транзисторами 21 и 31 так, что большая его часть ответвится в транзистор 21, соответствующий входу 101, Токи транзисторов 2 т и 31 через соответствующие транзисторы 8 и 6 протекают в шину питания и резистор 7 соответственно. Транзистор 8, подключенный по диодной схеме, формирует напряжение, поступающее на базу транзистора 6. Резистор 7, на котором ток транзистора 6 создает падение напрякения, предназначен для формирования напряжения на выходе устройства. При рассмотренном соотношении входных потенциалов напрякение на выходе превышает свой средний уровень и соответствует высокому логическому уровню. В случае более высокого потенциала на входе 111 величина тока в транзисторе 31 будет больше, чем в транзисторе 21 и напряжение на выходе будет соответствовать низкому логическому уровню. Таким образом, входы 101, 102, , 10 п являются прямыми, а входы 111, 112 11 инверсными информационными входамимультиплексора.5 Транзистор 8 предназначен для компенсации изменения напряжения в узлеколлекторов транзисторов 31, 323 п -Окз,возникающего вследствие изменения напряжения база-эмиттер транзистора 6 Обзб10 при изменении тока. Напрякение Окз равнонапряжению на шине питания минус сумманапрякений Обэ транзисторов 6 и 8. Компенсация изменений напряжения Обэб достигается благодаря тому, что, когда в15 транзисторе 6 протекает большой ток, втранзисторе 8 он меньше и ОбэбОбив, а вслучае большего тока в транзисторе 8ОбэбОбэвитакимобразомсумма Обэтранзисторов 6 и 8 при переключении выходныхуровней изменяется мало,20 Компенсация изменений напряженийузла коллекторов транзисторов 31, 323 ппозволяет снизить негативное влияние процессов перезаряда емкости этого узла назадеркку переключения уровней на выходе25 и тем самым достичь высокого быстродействия мультиплексора.Формула изобретенияМультиплексор, содеркащий и переключателей тока, каждый из которых выпол 30 нен по дифференциальной схеме на первоми втором транзисторах, базы которых являются информационными входами мультиплексора, а эмиттеры объединены иподключены к коллектору третьего транзи 35 стора, эмиттер которого соединен с эмиттерами третьих транзисторов всехпереключателей тока и через генератор токаподключен к соответствующей шине питания, при этом базы третьих транзисторов40 являются адресными входами мультиплексора, а коллекторы вторых транзисторов переключателей тока объединены иподключены к эмиттеру четвертого транзистора, коллектор которого через резистор45 соединен с соответствующей шиной питания и с коллектором пятого транзистора, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия, коллекторы первыхтранзисторов переключателей тока объеди 50 нень 1 и подключены к базе четвертого транзистора и эмиттеру пятого транзистора,база которого обьединена с его коллектором, а коллектор четвертого, транзистора я вляется выходом мультиплексора.55