Способ контроля сушки материалов

Номер патента: 841104

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Левченко, Медведев

МПК: H03K 5/22

Метки: детектор, значение, перехода, сигнала, черезнулевое

...элемента ИЛИ 11, Однако, как видно из 15 диаграмм (диаграммы д,о,л,и,к нафиг 2) в этот момент времени (припереходе сигнала ограничителя ототрицательного к положительному значению) открыт многовходовый логичес кий элемент И 9 второго канала сиг.налом логической 1, поступающимот триггера 13 (диаграмма н на фиг,2) и выходным сигналом согласующегоусилителя 18 (диаграмма г на фиг. 2),Это позволяет пройти двум импульсамот мультивибратора 10 через логические элементы И 9 и 11 на счетныйвход триггера 12 (фиг. 2 к), который ЗО35 40 455055 60 65 делит частоту этих импульсов на 2, и в результате на его клемме 24 имеется выходной сигнал (диаграмма л на фиг. 2), соответствующий переходу аналогового сигнала на объединенном входе усилителей 2 и б через...

Номер патента: 198036

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Агрофизический, Лискер, Орехова

МПК: G01N 27/02, G01N 33/24

Метки: влаги, дисперсных, связи, слоях, состояния, тонких, форм

...константами почвы, При этом для построения термограммы сушки производят непрерывное взвешивание и определение температуры образца и окружающей среды. Это требует значительных затрат времени и сложной аппаратуры,Предлагаемый способ, с целью повышения точности измерений, осуществляет контроль за влажностью почвы в процессе сушки путем непрерывного измерения электрического сопротизления почвы, которое быстро реагирует на всякое изменение влагосодержания.Сущность описываемого способа заключается с следующем,Образец исследуемой почвы произвольной влажности в виде тонкого слоя помещают между двумя электродами. Один из электродов представляет собой тонкую металлическую чашку, другой - тонкое металлическое кольцо, О состоянии и формах...

Номер патента: 864060

Опубликовано: 15.09.1981

Автор: Гудзь

МПК: G01N 11/14

Метки: вязкости, мономолекулярных, поверхностной, слоев

...всех дальнейших измерениях остаются неизменными, приступают к измере нию вязкости мономолекулярных слоев веществ . Для этого чувствительный элемент (диск 1) перемещают вместе с устройством вдоль вертикали и приводят его в контакт с чистой подложкой, находящейся в кювете. Затем выверяют "нуль" устройства по горизонтально расположенной миллиметровой шкале 13 амплитуд, т.е. поворотом юстировочной головки 10 в горизонтальной плоскости приводят в движение механическую подвижную систему через токопроводящие упругие элемен.ты 7 так, чтобы световой поток, направленный в горизонтальной плоскости от осветителя, попадал при помощи эерк.-ла 5 на нулевое деление горизонтально расположенной миллиметровой шкалы амплитуд (А=О, Км= + 00) . Затем путем...

Номер патента: 371548

Опубликовано: 25.07.1975

Автор: Данилин

МПК: G01V 5/00

Метки: баланса, верхнем, влаги, наблюдения, почвы, слое, элементами

...толщине просвечиваемых гамма-лучами слоев почтовы одинаковы Нпн =ся= Ин 1 (что вовсе не обязательно). Тогда, измерив в следующий момент, например, через день, декаду и т.,д интенстввности 7 г,гз, Ан проникающей гамма-радиации, можно определить, изменились ли начальные влаго запасыь тзь д нь на основе соотношений:1 пУ 1 - 1 пЬ.311548 Предмет изобретения Составитель В, ТыминскийТехред 3. Тараненко Редактор И. Орлова Корректор В, Гутман Заказ 1095/1596 Изд, М 926 Тираж 619 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 415Тип. Харьк. фил. пред, Патент где р - массовый коэффициент поглощения гавма-лучей,даиной энергии водой.Поглощение гамма-лучей самим...

Номер патента: 763751

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Кон, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, слоя

...того, кривые дифракционных отражений от исследуемой и ненарушенной поверхности монокристалла получают с помощью поляризованных пучков рентгеновского излучения.и Чтобы пояснить физическую сущностьпредлагаемого способа, рассмотрим модель,описывающую дифракию на тонких кристаллических слоях. Кристалл (подложка)представляет собой плоскопараллельнуюплаСтину с идеальной кристаллической решеткой, на поверхности которой находитсянарушенный слой толщиной 1, При этомслой считается слабо отражающим. Этосправедливо при условии, когда толщина слоя 1.н меньше экстракционнойзь длины кристалла Еэ, которая в геометрии Брэгга зависит от порядка отраженияи величины структурной амплитуды. Рассеяние в такой ситуации описывается кинетической теорией....