168330

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...

Номер патента: 119253

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Рубинштейн, Фистуль

МПК: G01R 27/08

Метки: кристаллов, поверхностной, полупроводниковых, проводимости

...по результатам измерений эффективного сопротивления кристалла, по спаду тока фото- проводимости, либо по измерению контактных потенциалов.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в процессе измерений непосредственно определяют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7, к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.На чертеке изобракена принципиальная схема определения поверхностной проводимости полупроводников по предлагаемому способу,Образец, с помощью которого производятся измерения, выполняется в виде клина 1 с углом наклона не более 7. К этому образцу через контакты с постоянным переходным сопротивлением подводится электрический...

Номер патента: 150176

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Левинзон

МПК: H01L 21/66

Метки: зонд, полупроводниковых, потенциальный, проводимости, типа

...боковые отверстия в стенках заполняется жидким газом.Включается зонд по обычной схеме потенциального зонда, Через ко такт зонда со слитком 5 пропускается переменный ток от источника регулируемого напряжения,Падение напряжения на контакте и на сопротивлении Р 1, включенм последовательно слитку, подается соответственно на горизонтальный и вертикальный усилители электронного осциллографа 6, на экране которого наблюдается вольтамперная характеристика.Для проведения измерения зонд опускают в сосуд Дюара, где онохлаждается в течение 20 - 30 сек. Затем зонд приводится в контакт сослитком. Хорошая теплопроводность контакта создает в слитке локальную область примесной проводимости, т. е. собственные носители заряда в этой области практически...

Номер патента: 621997

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Гуревич, Лапушков, Романов

МПК: G01N 25/32

Метки: минералов, полупроводниковых, проводимости, типа

...с заданной точкой исследуемого минерала, Сигнал термо-ЭДС регистрируют в установившемся режиме.Особенностями этого метода являетсявысокая экспрессность измерений и низкая точность результатов, позволяющаяс большой степенью достоверности говорить только о знаке термо-ЭДС,звестен способ определения типа прЗаказ 5004/6 Тираж 1 1 12 ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва Ж, Раущская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент," г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Целью изобретения является определение типа проводимости полупроводниковых минералов по знаку их термо-ЭЯС без предварительного нагрева одного иэ зондов.Поставленная цель достигается тем, что в известном способе одним...

Номер патента: 868512

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Лапушков, Романов

МПК: G01N 25/32

Метки: минералов, полупроводниковых, проводимости, типа

...ударе зонда о минерал частьэнергии удара переходит в тепловую и разогревает приконгактную область минервла, Градиент температур, в свою очередь,вызывает появление термо-Экоторой определяется типом проТаким образом, ударно-спускнизм заменяет энергоемкий наобеспечивая градиент температу . ерале только в момент удара,На чертеже схематически изображенопредлагаемое устройство для определенияпроводимости минералов по знатсуМеньщени Составитель Н, наРедактор Т. Мермелштайн Техред С.Мигунова Корректор С. Шекмар 8310/59 0 Подписноенного комитета СССРений и открытий, Раушская наб., д. 4/ Тираж 91Государствелам изобретосква, Ж 3 ВНИИ 1303 илиад ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,з 8685Устройство включает в себя зойды 1 и 2,...