Способ получения двумерных структур

Номер патента: 1679450

Авторы: Николаев, Чечель

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 79450 А В 5/ ЕТЕН я повыше- оптических подложку иза, полупроводГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТПРИ ГКНТ СССР ПИСАНИЕ ИЗО ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Институт энергетических проблем химической физики АН СССР(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДВУМЕРНЫХСТРУКТУР(57) Изобретение относится к лазерной обработке пленок и может быть использовано при изготовлении дифракционныхоптических систем, например дифракционных решеток высокого разрешения. Цельизобретения - повышение качества изгоИзобретение относится к области лазерной обработки тонких пленок и можетбыть использовано при изготовлении дифракционных оптических систем, напримердифракционных решеток высокого напряжения.Целью изобретения являетсние качества изготовляемыхэлементов,На подложку с тонким слоем металла,диэлектрика или органического веществананосят по методу Лэнгмюра-Блоджетт тонкий органический слой, который после выжигания сфокусированным лазерным лучомучастков обоих слоев удаляют погружениемв растворитель, нерастворяющий первыйтонкий слой,Способ осуществляют следующим образом. На твердую прозрачн полированного стекла, кватовляемых оптических элементов. Согласно способу на прозрачную подложку последовательно наносят первый тонкий слой, а затем - по методу Лэнгмюра-Блоджетт - второй тонкий слой из органических молекул. Затем лазерным лучом выжигают микронные линии в обоих тонких слоях. После этого второй тонкий слой вместе с осевшими на его поверхности частицами выжигаемого материала удаляют погружением в растворитель. При этом первый слой также может быть нанесен по методу Лэнгмюра-Блоджетт и перед нанесением второго тонкого слоя полимеризован ультрафиолетовым светом или электронами,никового кристалла или другого материала наносят одним из существующих методов (вакуумный, химический, метод ЛэнгмюраБлоджетт и др.) тонкий слой металла, диэлектрика или органического вещества. Толщина этого слоя зависит от размера выжигаемых линий и приблизительно равна их ширине. Ширина выжигаемых линий определяется дифракционным пределом фокусировки лазерного луча, составляющим величину, равную 1,22 А /и, где А - длина волны света, и - показатель преломления материала тонкого слоя. Для используемых в промышленности лазеров эта величина составляет 0,5 - 1,0 мкм.Затем на этот слой наносят по методу Ленгмюра-Блоджетт органический слой из раствора амфифильных органических молекул с полярными, гидрофильной и гидрофобной группами на концах молекул в инертном растворителе, например, 0,1 - 0.3-ный1679450 Составитель А,ГуоовРедактор А.Бандар Техред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец Заказ 3213 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский омбина "Паест", г, ужгород, ул,Гагарина, 101 раствор й-октадецилакриламида, пентакоэа, 12-дииновой кислоты в хлороформе, бенэоле, толуоле, тетрагидрофуране, ацетонитриле, ацетоне или другом растворителе. Толщина органического слоя определяется конкретным составом предыдущего слоя и размером выжигаемых элементов и составляет 0,01 - 1,0 мкм.После этого остро сфокусированным лазерным лучом локально выжигают линии одновременно в обоих слоях. Частицы слоев, распыляемые при выжигании, оседают на внешнем органическом слое. Путем погружения в инертный растворитель они удаляются вследствие растворения в нем внешнего слоя.Таким образом в слое, находящемся непосредственно на подложке, получают ряд равноотстоящих линий с четкими границами.Если первым слоем (слой, непосредственно прилегающий к подложке) является слой иэ органического вещества, нанесенный по методу Лэнгмюра-Блоджетт, например 5-октадецилтиоиндий, то перед нанесением второго слоя первый подвергают полимеризаци облучением ультрафиолето вым светом или электронами с целью увеличения адгезии и повышения прочности. Формула изобретенияСпособ получения двумерных структур10 в тонких пленках, заключающийся в локальном удалении сфокусированным лазернымлучом участков слоя из металла, диэлектрика или органического вещества, нанесенного на подложку, о т л и ч а ю щ и й с я тем,15 что, с целью повышения качества изготовляемых оптических элементов, перед удалением участков тонкого слоя на его поверхностьнаносят по методу Лэнгмюра-Блоджетт органический слой, затем лазерным лучом од 20 новременно удаляют участки обоих слоев ипосле этого удаляют органический слой погружением в растворитель, который не растворяет первый слой,

Смотреть

Заявка

4745474, 03.10.1989

ИНСТИТУТ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ХИМИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ АН СССР

ЧЕЧЕЛЬ ОЛЕГ ВАЛЕНТИНОВИЧ, НИКОЛАЕВ ЕВГЕНИЙ НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G02B 5/18

Метки: двумерных, структур

Опубликовано: 23.09.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1679450-sposob-polucheniya-dvumernykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения двумерных структур</a>

Похожие патенты