Способ записи и считывания информации

О П И С А Н И Е 167683ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоцявлхстииескихРеспубпц;к ва М т авт. свидетельс 1.1963 ( 812552 ависим л, 42 пт, 1 Заявлено О 4 присоединением заявки тв-ннь 14 Йосу"вР Г 1 К 6 061 Приорите Опублико К ио 18.1.1965. Бюлл ата опубликования описания 29,1,1 Ф ЧЛ;,;т; ТГуив "Е аъ е , Авторзобретен аявитель. Я. Беркови СПОСОБ ЗАПИСИ И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ ТИПА У. А СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ЭЛЕМЕНТАХ С ЗАХВАЧЕННЬ ПОТОКОМОписываемый способ зинформации позволяет пработы запоми 1 ающих угроводииковых элементах1;ым потоком, напримерперзисторах. а о иси и с ысить и ройств амяти, с ячейках итывания дежиость а сверх- захваченКрау или Одписная грутга1 Описываемое изобретение относится к способам записи и считывания информации в запоминающем устройстве типа Х иа сверхпроводящих элементах памяти с захваченным потоком, работаю 1 цих в адиабатическом режиме. 5Двоичную информацию представляют в виде близкого к иул 1 о тока сзерхпроводимости в элементе памяти или сверхпроьодящего тока отрицатсльпого направления.Сущность описываемого способа закл 1 очает ся в слсду 1 ощемПри записи информации в вьбраииую числову 1 о линейку запоминающего устройства подают стирающий импульс тока положительной полярности. 15Амплитуда импульса тока достаточна для разрушения состояния сверхпроводимости всех элементов памяти выораииой числовой линейки,Режим работь сверхпроводящих элементов 20 памяти близок к адиабатическому, Поэтому после окончания стирающего импульса тока во всех элементах памяти числовой линейки ток сверхпроводимости равен или близок нулю, что соответствует записи единицы в этих 25 элеъеитах памят 1.При записи пуля, кроме пода ил в выбрани ю числовую ли;ейку стираю 1 цсго и: пульса токс 1, подают В разрядные иииы тех элементов памяти, в которых нуи(но записать нуль, 30 импульсы тока записи нуля положительнои полярности и длительностью, большей длительности стирающего импульса тока, Амплитуда тока записи нуля равна величине отрицательного тока сверхпроводимости, используемого для представления состояния пуля.Поэтому после окончания тока записи нуля в элементах памяти, в которых нужнозагисать нуль, будет циркулировать сверхпроводящий ток отрицательного направления.Считывание информации осуществляют подачей в выбранную числовую линейку положительного импульса тока. Амплитуда этого тока должна быть достаточна для установления нормального состояния сверхпроводимости тех элементов памяти, в которых хранится е;ц 1 ница, и недостаточна для изменения сверхпроводящего состояния тех элементов, в которых хранится пуль в виде отрицательного тока.Так как режим работы элементов памяти адиабатический, информация при считывании 11 е разрушается,167683 Предмет из об р ете н и я Составитель А. СоколовТехред А. А. Кудрявицкая Корректор Л. Е. Марисич Редактор П, Шлаин Заказ 3677/16 Тираж 825 Формат бум, 60)(901/8 Объем 0,13 изд, л. Цена 5 коп. ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр, Сапунова, 2 Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве типа Х на сверхпроводящих элементах с захваченным потоком, работающих в адиабатическом режиме, с представлением единицы в виде близкого к нулю тока сверхпроводимости, а нуля - в виде отрицательного тока сверхпроводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности указанного запоминающего устройства и считывания информации безее разрушения, запись информации призводят подачей в выбранную числовую линейку стирающего импульса тока положительной полярности, разрушающего состояние сверхпроводимости всех элементов памяти выбранной числовой линейки, и подачей в разрядные шипы тех элементов памяти, в которых нужно записать нуль, импульса тока записи нуля положительной полярности с длительностью, большей длительности стирающего импульса тока, и амплитудой, равной величине упомянутого отрицательного тока сверхпроводимости, а считывание информации осуществ ляют путем подачи в выбранную числовую линейку импульса тока положительной полярности, устанавливающего нормальное состояние проводимости элементов памяти, хранящих единицу, и неизменяющего сверхпроводящее 15 состояние элементов памяти, хранящих нуль.