Управляемое свч устройство

Номер патента: 278800

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Кантор

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема

...желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на...

Номер патента: 145914

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Рабинович, Фомин

МПК: H01P 1/22, H03L 5/02

Метки: диодах, мощности, полупроводниковых, свч, стабилизатор

...которого определяется. В другом плече тройника находится согласованная конечная нагрузка 3, позволяющая раздельно изменять фазу и модуль коэффициента отражения для компенсации ассиметрии волноводного тройника 1,Ввиду отсутствия взаимной связи между плечами силовых линий Е и Н и отсутствия отражения от конечной нагрузки 3 на индикаторе 4 можно наблюдать коэффициент отражения испытуемого элемента, Для измерения малых отражений необходимо, чтобы линии связи имели минимальные потери в тракте, в связи с чем в стабилизаторе СВЧ мощности применены в качестве регулирующих элементов четыре низкочастотных германиевых диода. Диоды включены в линию парами с разной полярностью в ларе и последовательно по постоянному току. В схеме примене СВЧ...

Номер патента: 1109829

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Коломойцев, Лукаш, Самойлов, Соколовский

МПК: H01P 1/00

Метки: диода, крепления, полупроводникового, свч, узел

...металлического основания, и гайку, направляющая трубка выполнена составной из первой и второй втулок, при этом в первой втулке выполнены сквозной продольный паз и два торцовых конусообразных углубления, а один из торцов второй втулки выполнен в виде конусообразного выступа, угол образующей которого равен углу образующей 40 одного торцового конусообразного углубления первой втулки, угол образующей другого торцового конусообразного углубления которой равен углу образующей конусообразного цангового наконечника.45На фиг. 1 изображен СВЧ узел крепления полупроводникового диода, продольный разрез; на фиг. 2 - то же, поперечный разрез.СВЧ узел крепления полупроводникового диода содержит металлическое основание 1, 50 металлический штырь...

Номер патента: 1559993

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/93

Метки: диод, полупроводниковый, туннельно-пролетный

ТУННЕЛЬНО-ПРОЛЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД с резонансно-туннельной инжекцией носителей заряда, содержащий со стороны эмиттерного контакта двухбарьерную квантовую гетероструктуру с двумя барьерными слоями широкозонного полупроводника толщиной b1, b2 и расположенным между ними слоем узкозонного полупроводника толщиной а, образующим квантовую потенциальную яму с дискретным спектром поперечных составляющих энергии и импульса электронов, а также пролетный участок толщиной W, выполненной из узкозонного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения отрицательного сопротивления, КПД и полезной мощности диода в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн, толщины полупроводниковых слоев а, b1 и...

Номер патента: 2003128

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Сергеев, Юдин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, корпус, переход, полупроводниковых, сопротивления, теплового

...мощности, которая определяется произведением действующего значения огибающей токана действующее значение огибающей напряжения О;ЬР= О, Р)НВЧаЛЬНЦЙТОКДИОДд нач, ПРОТЕКаЮЩИй в промежутках времени между действиями греющих импульсов тока, поддерживается постоянным и под действием переменной греощей мощности за период модуляции Тм создает переменное падение напряжения Отп на диоде.Выбирая период модуляции Тм из условия Ут,к-с Тм ю т.п-к, где т т,к-с - тепловая постоянная времени корпус-среда диода, а также период следования греющих импульсов тока Ттт,п-к, напряжение Огп будет отслеживать изменение греющей мощнбсти ЛР. Измерение реющей мощности ЬР можно осуществить ограничивая ток и напРЯжение на УРовне огр и Оогр (см. фиг, 2 а и 2 б)....